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最新专利技术
  • 一种倒装LED芯片封装方法
    一种倒装LED芯片封装方法_江西省兆驰光电有限公司_202511627121.3
    本发明提供了一种倒装LED芯片封装方法，所述方法包括：S1、将高温锡膏通过蘸取点入所述封装支架中，以形成锡点；S2、将目标粘连胶蘸取点在所述锡点中间；S3、将倒装LED芯片对应固定在锡点处，通过高温锡膏与目标粘连胶将倒装LED芯片与封装支架...
    2026-02-18
  • 改善光提取效率的显示装置及其制备方法
    改善光提取效率的显示装置及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511384433.6
    本公开提供了一种改善光提取效率的显示装置及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该显示装置包括：发光块、平坦层、金属电极层和双曲超材料层；所述发光块位于所述金属电极层的表面上，所述平坦层位于所述金属电极层的表面上，且覆盖所述发光块，所述双曲超...
    2026-02-18
  • 发光二极管的封装支架及其封装方法和封装器件
    发光二极管的封装支架及其封装方法和封装器件_京东方华灿华汇智造(广东)有限公司_202511381577.6
    本公开提供了一种发光二极管的封装支架及其封装方法和封装器件，属于光电子制造技术领域。该封装支架包括：金属底板和反光围挡，所述反光围挡的一端位于所述金属底板的板面，所述反光围挡和所述金属底板围成用于容置LED芯粒的封装槽。本公开实施例能改善因...
    2026-02-18
  • 一种UVB LED芯片及制备方法
    一种UVB LED芯片及制备方法_山西中科潞安紫外光电科技有限公司_202610013935.6
    本发明属于LED制造技术领域，具体涉及一种UVB LED芯片及制备方法，旨在提高UVB LED芯片的光透过率。UVB LED芯片包括衬底、增透膜、滤波膜、N型半导体层、有源层和P型半导体层。增透膜位于衬底的一侧表面上，滤波膜位于增透膜远离衬...
    2026-02-18
  • 一种透明导电镀膜及其制备方法、外延片及LED芯片
    一种透明导电镀膜及其制备方法、外延片及LED芯片_江西兆驰集成科技有限公司_202610025191.X
    本发明提供一种透明导电镀膜及其制备方法、外延片及LED芯片，该透明导电镀膜包括依次层叠设置的内层、过渡层以及外层；其中，内层包括铟锡氧化物、稀土氧化物和石墨烯量子点，过渡层包括氧化硅和氧化钛，外层包括氧化锆和氧化铝。本发明解决了现有技术中的...
    2026-02-18
  • 改善光效的发光二极管、显示面板及其制备方法
    改善光效的发光二极管、显示面板及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511540726.9
    本公开提供了一种改善光效的发光二极管、显示面板及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：外延层和隧穿结，所述外延层位于所述隧穿结的表面上；所述外延层包括依次层叠的第一p型层、多量子阱层和第一n型层，所述隧穿结包括依次层叠的第二...
    2026-02-18
  • 发光二极管及其制作方法、发光单元
    发光二极管及其制作方法、发光单元_京东方华灿光电(浙江)有限公司_202610007001.1
    本公开提供了一种发光二极管及其制作方法、发光单元，属于发光器件领域。该发光二极管包括：外延结构和焊盘结构；所述焊盘结构包括第一子结构和第二子结构，所述第一子结构的一端与所述外延结构，所述第一子结构的另一端与所述第二子结构连接；所述第一子结构...
    2026-02-18
  • 改善漏电的发光二极管及其制备方法
    改善漏电的发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511399309.7
    本公开提供了一种改善漏电的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：外延层、绝缘层、第一电极、第二电极和第一焊盘，所述第一电极和所述第二电极均位于所述外延层上，且分别与所述外延层的不同导电类型的半导体层相连，所述第二...
    2026-02-18
  • 改善电极可靠性的发光二极管及其制备方法
    改善电极可靠性的发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511399048.9
    本公开提供了一种改善电极可靠性的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：外延层和电极，所述电极位于所述外延层的表面上；所述电极的侧壁包括至少两段倾斜面，所述至少两段倾斜面沿远离所述外延层的方向依次相连，所述至少两段...
    2026-02-18
  • 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
    发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管_佛山市国星半导体技术有限公司_202511576527.3
    本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。其中，发光二极管外延片依次包括衬底，依次层叠于所述衬底上的第一缓冲层、恢复层、阻挡层、N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层；其中，所述恢复层包括交替层叠的第...
    2026-02-18
  • 具有双限制层的发光二极管芯片及其制备方法
    具有双限制层的发光二极管芯片及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511384410.5
    本公开提供了一种具有双限制层的发光二极管芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。该发光二极管芯片包括依次叠设的N型限制层、有源层和P型限制层；N型限制层为N型AlInP层；P型限制层为周期性交替层叠的P型AlGaInP层和P型AlInP层。本...
    2026-02-18
  • 发光二极管芯片、背光装置、照明装置及直显装置
    发光二极管芯片、背光装置、照明装置及直显装置_纳微朗科技(深圳)有限公司_202511385078.4
    本申请提供一种发光二极管芯片、背光装置、照明装置及直显装置。该发光二极管芯片包括：N型半导体层；P型半导体层；第一发光区，设置在N型半导体层和P型半导体层之间，且发出至少一种波长的光线；第二发光区，设置在第一发光区靠近N型半导体层的一侧，且...
    2026-02-18
  • 改善亮度的发光二极管及其制备方法和显示面板
    改善亮度的发光二极管及其制备方法和显示面板_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511297358.X
    本公开提供了一种改善亮度的发光二极管及其制备方法和显示面板，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：衬底、第一外延层、第二外延层、第一平坦层、第一电极、第二电极和第三电极；第一电极和第一外延层依次层叠在衬底上，第一电极在衬底上的正投影位于...
    2026-02-18
  • 一种LED芯片封装机
    一种LED芯片封装机_江西易晖光电科技有限公司_202610024149.6
    本发明公开了一种LED芯片封装机，包括支撑台、吸风孔平台、膜材、第一多轴机器人和第二多轴机器人，吸风孔平台安装于支撑台上；膜材吸附固定于吸风孔平台上；第一多轴机器人设置于支撑台的一侧，第一多轴机器人底端设置有第一视觉机构和点胶机构，第一视觉...
    2026-02-18
  • 一种去除MicroLED芯片背面残留镓的方法
    一种去除MicroLED芯片背面残留镓的方法_苏州芯聚半导体有限公司_202511665347.2
    本申请涉及半导体加工技术领域，公开了一种去除MicroLED芯片背面残留镓的方法，该方法包括：将激光剥离后的MicroLED芯片进行预处理；通过与皮秒激光束同轴布置的层流喷嘴，在所述芯片的残留镓层表面施加惰性气体层流；在所述惰性气体层流的持...
    2026-02-18
  • 被动降低光伏器件温度的光伏系统
    被动降低光伏器件温度的光伏系统_浙江大学_202511468327.6
    本发明涉及一种被动降低光伏器件温度的光伏系统，包括光伏组件，所述光伏组件的背板设有辐射制冷层，所述光伏组件的背光侧非接触式设有反射件，所述反射件用于反射所述光伏组件发出的热辐射；其中，辐射制冷层在0.3μm‑2.5μm波段的太阳光谱加权反射...
    2026-02-18
  • 太阳能电池及其制备方法
    太阳能电池及其制备方法_晶科能源股份有限公司_202511786066.2
    本申请实施例涉及太阳能电池领域，提供一种太阳能电池及其制备方法，至少可以解决分片电池的性能较差的问题。太阳能电池包括：分片电池，至少两个所述分片电池为对同一整片太阳能电池沿第一方向进行分割处理后形成的，所述分片电池包括第一面、第二面以及连接...
    2026-02-18
  • 一种杂环芳烃桥接-螯合协同钝化的硫化铅量子点红外探测器及其制备方法
    一种杂环芳烃桥接-螯合协同钝化的硫化铅量子点红外探测器及其制备方法_西安工业大学_202511707995.X
    本发明公开了一种杂环芳烃桥接‑螯合协同钝化的硫化铅量子点红外探测器及其制备方法，属于光电器件技术领域。所述杂环芳烃桥接‑螯合协同钝化的硫化铅量子点红外探测器的结构包括依次堆叠的透明导电基底、NiO空穴传输层、PbS‑EDT过渡层、协同钝化P...
    2026-02-18
  • 一种可降低串扰的黑硅光电四象限结构及制备方法
    一种可降低串扰的黑硅光电四象限结构及制备方法_无锡中微晶园电子有限公司_202511581305.0
    本发明属于功率半导体工艺技术领域，特别涉及一种可降低串扰的黑硅光电四象限结构及制备方法。包括N‑低掺杂体硅区；N+正面高浓度掺杂区，对称布设于所述N‑低掺杂体硅区的正面两侧；P型掺杂区，靠近每侧所述N+正面高浓度掺杂区的内侧布设；N+背面高...
    2026-02-18
  • 一种基于水合调控的高性能p型透明导电材料及其制备方法
    一种基于水合调控的高性能p型透明导电材料及其制备方法_苏州大学_202511324703.4
    本发明公开了一种基于水合调控的高性能p型透明导电材料及其制备方法，光电材料技术领域。本发明将铯源、铋源或锑源、锌源或锑源、配体和溶剂混合均匀后在搅拌条件下真空干燥；随后升温，快速注入氯源或溴源，结束后立即浸入冰水浴冷却至室温，反应结束后，向...
    2026-02-18
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