Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 静电防护半导体器件和集成电路
    静电防护半导体器件和集成电路_杰华特微电子股份有限公司_202510031149.4
    公开了一种静电防护半导体器件和集成电路，静电防护半导体器件包括：衬底、漂移区、分布在漂移区的两个端部的第一阱区和第二阱区、间隔分布在第一阱区上部的第一N+注入区和第一P+注入区、间隔分布在第二阱区上部的第二P+注入区和第二N+注入区、位于第...
    2026-02-19
  • 一种机器人关节GaN阵列系统芯片结构及其制备方法
    一种机器人关节GaN阵列系统芯片结构及其制备方法_中科(深圳)无线半导体有限公司_202511424933.8
    本发明公开了一种机器人关节GaN阵列系统芯片结构及其制备方法，涉及机器人关节驱动控制技术领域。其中的结构包括三个基本单元，每个单元内含两个HEMT器件，通过将第一HEMT器件的源极与第二HEMT器件的漏极互联，构成三相半桥拓扑，其三个输出端...
    2026-02-19
  • 包括背侧布线的集成电路及其设计方法
    包括背侧布线的集成电路及其设计方法_三星电子株式会社_202510994540.4
    示例集成电路包括多个单元，该多个单元位于在第一水平方向上延伸的多个行中。该多个单元包括设置在第一行中的第一单元。第一单元包括在第一水平方向上延伸的第一有源图案和在竖直方向上与第一有源图案重叠并在第一有源图案下方的第一背侧布线层中沿第一水平方...
    2026-02-19
  • 具有正面和背面连接的双单元高度架构
    具有正面和背面连接的双单元高度架构_英特尔公司_202510914477.9
    本文中提供技术以形成具有双高度标准单元布局的集成电路，该布局能够既利用正面连接又利用背面连接。该布局涉及将晶体管中的两个晶体管合并成单个更宽的晶体管，该更宽的晶体管沿着双高度标准单元布局的中线延伸。因此，双高度标准单元布局可包括总共三个晶体...
    2026-02-19
  • 一种基于铁电氧化物薄膜晶体管的驱动电路及其制备方法
    一种基于铁电氧化物薄膜晶体管的驱动电路及其制备方法_东南大学_202511369856.0
    本发明公布了一种基于铁电氧化物薄膜晶体管的驱动电路及其制备方法，本发明利用铁电薄膜晶体管的极化特性，设计了一种基于铁电氧化物薄膜晶体管的驱动电路，并优化制备工艺降低退火温度，每一个驱动单元包含一个铁电晶体管和一个普通晶体管，并通过布线连接，...
    2026-02-19
  • 显示装置和电子装置
    显示装置和电子装置_三星显示有限公司_202511089516.2
    本公开涉及显示装置和电子装置。显示装置包括：基底，包括具有多个发射区域的显示区域和布置在显示区域周围的非显示区域；电路层，设置在基底上；多个发光元件，设置在发射区域中并设置在电路层上，其中，电路层包括：发光像素驱动器，电连接到多个发光元件中...
    2026-02-19
  • 一种阵列基板、显示面板和电子装置
    一种阵列基板、显示面板和电子装置_深圳莱宝高科技股份有限公司_202411050771.1
    本发明涉及平板显示技术领域，公开了一种阵列基板、显示面板和电子装置，该阵列基板包括衬底、多条扫描线、多条扫描总线、多条数据线、第一绝缘层、第二绝缘层和主动元件，每个像素区域内均设置有一个像素电极，第二绝缘层上开设有通孔，每一行的扫描线通过通...
    2026-02-19
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_惠科股份有限公司_202511788410.1
    本申请公开了一种显示面板及显示装置。显示面板包括：阵列基板，包括：第一衬底；栅极驱动电路层，设于第一衬底的非显示区；公共电极转接层，设于第一衬底且位于栅极驱动电路层靠近显示区一侧，包括第一凸起部和第一透明导电层；第一凸起部顶面设有凹槽；在非...
    2026-02-19
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_武汉华星光电半导体显示技术有限公司_202511768652.4
    本申请公开了一种显示面板及显示装置，涉及显示技术领域，用以至少缓解相关技术中第一走线的边缘段上方形成较高台阶的技术问题。显示面板包括衬底以及位于衬底上且依次设置的第一走线、无机绝缘层、第二走线、第一平坦层和第三走线。第一走线包括相互连接的第...
    2026-02-19
  • 集成电路器件及其形成方法
    集成电路器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511474395.3
    本申请的实施例公开了集成电路器件及其形成方法。集成电路器件包括沿第一方向延伸的一对堆叠的有源区结构。集成电路还包括第一开关栅极导体、第一CFET栅极导体、第二CFET栅极导体和第二开关栅极导体，它们与一对堆叠有源区结构相交，并与沿第二方向延...
    2026-02-19
  • 半导体器件
    半导体器件_台湾积体电路制造股份有限公司_202511474390.0
    本申请的实施例提供了半导体器件。半导体器件使用互补场效应晶体管。半导体器件包括第一互补场效应晶体管(CFET)对。第一CFET对包括第一n型晶体管，具有与差分对的第一输入端耦合的第一栅电极。第一CFET对包括第一p型晶体管，具有与差分对的第...
    2026-02-19
  • 集成电路器件、其制造方法及生成集成电路布局图的方法
    集成电路器件、其制造方法及生成集成电路布局图的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511474389.8
    本申请的实施例公开了集成电路器件、其制造方法及生成集成电路布局图的方法。IC器件包括位于衬底中的静态随机存取存储器(SRAM)器件，该SRAM器件包括第一互补场效应晶体管(CFET)、第二CFET、第三CFET和第四CFET，其中第一互补场...
    2026-02-19
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510718858.X
    一种半导体器件包括：衬底；第一有源图案和第二有源图案，第一有源图案和第二有源图案间隔开，第二有源图案的第二宽度大于第一有源图案的第一宽度；第一多个纳米片，第一多个纳米片在第一有源图案上堆叠并且彼此间隔开；第二多个纳米片，第二多个纳米片在第二...
    2026-02-19
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_三星电子株式会社_202511088625.2
    提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：沟道结构；在沟道结构上的栅极结构；在栅极结构上的背侧隔离结构；在背侧隔离结构的下侧表面上的对准间隔物层，对准间隔物层包括与背侧隔离结构不同的材料；在沟道结构上的源极/漏极图案；以及在源极/...
    2026-02-19
  • 集成电路器件
    集成电路器件_三星电子株式会社_202511018385.9
    一种集成电路器件，包括：单元晶体管，在第一竖直水平处；前布线结构，在高于第一竖直水平的第二竖直水平处；以及后布线结构，在低于第一竖直水平的第三竖直水平处。后布线结构包括：器件隔离层，布置在单元晶体管的底表面上；后接触部，布置在穿过器件隔离层...
    2026-02-19
  • 半导体器件结构及其形成方法
    半导体器件结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510446418.3
    本公开涉及半导体器件结构及其形成方法。本公开的实施例提供了一种半导体器件结构及其形成方法。该结构包括：第一半导体层；第二半导体层，设置在第一半导体层之上；栅极电介质层，设置在第一半导体层和第二半导体层之间；以及电介质材料的第一区域和第二区域...
    2026-02-19
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411047869.1
    一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：沟道凸起部，位于器件区的基底上；隔离层，位于基底上，隔离层包括第一隔离层和位于第一隔离层上的第二隔离层，器件区的第一隔离层覆盖沟道凸起部的部分侧壁，且第一隔离层的致密度高于第二隔离层的致密度，因而...
    2026-02-19
  • 一种具有p-GaN电容的GaN单片集成驱动电路
    一种具有p-GaN电容的GaN单片集成驱动电路_西安电子科技大学_202511531857.0
    本发明公开了一种具有p‑GaN电容的GaN单片集成驱动电路，其基本单元由电容耦合逻辑电路(CFET)构成，CFET逻辑电路中的电容C称为自举电容，包括增强型GaN HEMT器件M11、增强型GaN HEMT器件M12、增强型GaN HEMT...
    2026-02-19
  • 位错SMT工艺方法
    位错SMT工艺方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511587273.5
    本发明公开了一种位错SMT工艺方法，包括：步骤一、提供包括PMOS和NMOS形成区域的半导体衬底且形成有栅极结构和嵌入式锗硅外延层。步骤二、形成包括依次叠加的第一氧化层和第二氮化层的位错SMT层。步骤三、进行SMT退火进行拉应力转移并使NM...
    2026-02-19
  • 用于金属栅极填料的化学镀方法
    用于金属栅极填料的化学镀方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511548997.9
    本申请涉及用于金属栅极填料的化学镀方法。在用于纳米片FinFET器件的栅极替换工艺中，实施例采用电化学工艺来将金属栅极电极沉积在栅极开口中。可以使用促进剂和抑制剂来针对金属栅极电极的填充材料实现自下而上的沉积。
    2026-02-19
首页 上一页 20 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证