Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 存储单元
    存储单元_中国科学院微电子研究所_202511698829.8
    本公开提供了一种存储单元，包括有源区、有源区上的堆叠结构和堆叠结构上的栅电极。堆叠结构包括有源区上的隧穿层、隧穿层上的电荷俘获层和电荷俘获层上的阻挡层。其中，阻挡层包括电介质层和反铁电层的叠层。
    2026-02-20
  • 半导体存储器件以及包括该半导体存储器件的电子系统
    半导体存储器件以及包括该半导体存储器件的电子系统_三星电子株式会社_202510649816.5
    一种半导体存储器件可以包括：衬底，包括单元阵列区和扩展区；多个栅电极，在第一方向上交替堆叠在衬底上，并在扩展区上呈阶梯状结构；沟道结构，穿透单元阵列区上的多个栅电极并在第一方向上延伸；通孔，穿透多个栅电极中的第一栅电极和多个栅电极中的第二栅...
    2026-02-20
  • 存储器装置和存储器装置的制造方法
    存储器装置和存储器装置的制造方法_爱思开海力士有限公司_202510339114.7
    本申请涉及存储器装置和存储器装置的制造方法。一种存储器装置包括：层叠结构，其包括在第一方向上与层间绝缘层交替层叠的导电层；沟道层，其延伸穿过层叠结构；以及电荷捕获图案，其位于沟道层和导电层之间并且在第一方向上间隔开。电荷捕获图案当中的第一电...
    2026-02-20
  • 基于二维材料的纳米晶颗粒闪存器件及其制备方法
    基于二维材料的纳米晶颗粒闪存器件及其制备方法_绍芯实验室_202511540021.7
    本申请涉及一种基于二维材料的纳米晶颗粒闪存器件及其制备方法。该器件包括绝缘体衬底、栅极底电极、阻挡层、浮栅层、隧穿层、二维沟道层、源极和漏极；其中浮栅层由金属Pt纳米晶颗粒构成，隧穿层为BN介质，阻挡层为高介电常数HfO2，通过引入高κ介质...
    2026-02-20
  • 铆钉式隔离和方法
    铆钉式隔离和方法_美光科技公司_202511056075.6
    本申请涉及铆钉式隔离和相关方法。公开设备和方法，其包含互连路径、通孔、存储器单元、半导体装置和系统。实例半导体装置和方法包含在堆叠的顶层与所述堆叠的底层之间穿过的导电通孔。一或多个隔离层环绕所述导电通孔的各侧和底部。展示了在沿着所述导电通孔...
    2026-02-20
  • 半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统
    半导体装置和包括该半导体装置的数据存储系统_三星电子株式会社_202511018242.8
    提供了一种半导体装置和一种数据存储系统。该半导体装置可以包括：第一半导体结构，其包括衬底、衬底上的电路装置、电耦接到电路装置的第一互连结构、以及电路装置和第一互连结构上的第一接合金属层；第二半导体结构，其在第一半导体结构上连接到第一半导体结...
    2026-02-20
  • 三维闪存及其制造方法
    三维闪存及其制造方法_旺宏电子股份有限公司_202411181533.4
    本发明提供一种三维闪存及其制造方法。所述三维闪存包括堆叠结构、环状的通道柱、第一源极/漏极柱、第二源极/漏极柱与电荷储存结构。堆叠结构设置于介电基底上，且包括交替堆叠的多个栅极层与多个绝缘层。绝缘层中具有气隙。通道柱设置介电基底上，且贯穿堆...
    2026-02-20
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统
    半导体器件及其制备方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411073869.9
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、存储系统。半导体器件包括堆叠结构和连接结构，堆叠结构包括栅极层，连接结构沿第一方向延伸至堆叠结构中并与栅极层连接，栅极层包括在第二方向上相对设置的两个第一子栅极层以及位于两个第一子栅极层之间的第二子栅...
    2026-02-20
  • 半导体装置和制造半导体装置的方法
    半导体装置和制造半导体装置的方法_爱思开海力士有限公司_202510324656.7
    本申请涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。一种半导体装置包括：栅极结构，所述栅极结构包括交替层叠的多个绝缘层和多个导电层；接触结构，该接触结构在所述栅极结构内延伸并且电连接到所述导电层之一；多个第二支撑件，每个第二支撑件包括支柱和突起，所...
    2026-02-20
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411067461.0
    本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备。该半导体器件包括：衬底、多层晶体管以及多层字线；多层晶体管，设置于衬底的一侧，晶体管包括半导体层和栅极；半导体层沿第一方向延伸，包括第一源漏极、第二源漏极、以及位于第一源漏极与第二源漏极之间...
    2026-02-20
  • 多次可擦除可编程存储器的制备方法
    多次可擦除可编程存储器的制备方法_成都锐成芯微科技股份有限公司_202610007975.X
    本发明涉及一种多次可擦除可编程存储器的制备方法，所述存储器的存储单元包含一个实施编程和擦除的晶体管，该方法包括如下步骤：在形成衬底表面上的有源区和隔离区之后、和形成所述晶体管的栅氧层之前，有源区上覆盖有一层牺牲氧化层，使用一个光罩露出有源区...
    2026-02-20
  • 一种半导体器件结构及其制备方法和半导体器件
    一种半导体器件结构及其制备方法和半导体器件_上海邦芯半导体科技有限公司_202610018430.9
    本申请公开了一种半导体器件结构及其制备方法和半导体器件，半导体器件结构包括：设于衬底上的有源区；设于有源区上的接触孔；接触孔中填充有掺杂半导体层，掺杂半导体层的顶面上具有凹陷结构，凹陷结构增大在掺杂半导体层顶面上的接触面积。本申请通过将对掺...
    2026-02-20
  • 半导体存储器装置及其制造方法
    半导体存储器装置及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202511964352.3
    一种半导体存储器装置的制造方法包括以下步骤。于基板上形成多个容器型电容。在容器型电容之间对牺牲介电材料进行蚀刻以将其去除，从而在容器型电容之间形成间隙，并暴露每一容器型电容的上电极。在这些间隙内对每一容器型电容的上电极进行二硼烷处理。在间隙...
    2026-02-20
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202511095451.2
    提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：位线结构，所述位线结构位于衬底上并且在与所述衬底的上表面平行的第一方向上延伸；沟道，所述沟道位于所述位线结构上并且电连接到所述位线结构；前栅电极结构，所述前栅电极结构位于所述沟道在所述第一方向上的一...
    2026-02-20
  • 在有源图案之间包括气隙的半导体装置
    在有源图案之间包括气隙的半导体装置_三星电子株式会社_202510523540.6
    一种半导体装置包括：有源图案，其包括第一‑第一有源图案、第二‑第一有源图案和第三‑第一有源图案；背栅电极，其在第一‑第一有源图案和第二‑第一有源图案之间延伸并且在第一方向上延伸；第一字线和第二字线，第一字线和第二字线在第二‑第一有源图案和第...
    2026-02-20
  • 存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备
    存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备_华为技术有限公司_202411074852.5
    本申请提供一种存储阵列及其制备方法、存储器、电子设备，涉及半导体技术领域，用以解决如何提高存储阵列性能的问题。该存储阵列包括层叠结构和存储单元，层叠结构包括交替层叠设置的绝缘层和信号线层；存储单元设置于层叠结构中；其中，每一信号线层包括信号...
    2026-02-20
  • 半导体器件及其制备方法和电子设备
    半导体器件及其制备方法和电子设备_北京超弦存储器研究院_202411073911.7
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法和电子设备，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供形成有叠层结构的基底，叠层结构包括在第一方向上交替层叠的绝缘层和牺牲层，叠层结构包括字线预设区、晶体管预设区、位线预设区和存储预设区，字线预设区沿第二方向...
    2026-02-20
  • 半导体结构及其制备方法、存储器件、电子设备
    半导体结构及其制备方法、存储器件、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411067672.4
    本申请提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器件、电子设备。该半导体结构的制备方法包括：提供一衬底，衬底正面具有多个第一沟槽；接着在第一沟槽内形成牺牲部，并使多个牺牲部分别朝向衬底正面一侧的表面相对于衬底凹陷并平齐；接着形成绝缘部，绝缘部填...
    2026-02-20
  • 存储器器件及用于形成半导体器件的方法
    存储器器件及用于形成半导体器件的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511474393.4
    本申请的实施例公开了存储器器件及用于形成半导体器件的方法。存储器器件包括具有彼此相对的第一侧和第二侧的衬底；第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管，形成在衬底的第一侧上的第一层级处，第一至第三晶体管均形成有第一导电性；以及第四晶体管、第五晶体管...
    2026-02-20
  • 集成电路结构及其形成方法
    集成电路结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511466207.2
    本公开实施例提供了IC结构及其形成方法，IC结构包括：衬底，具有SRAM区域、逻辑区域和跨越在SRAM区域和逻辑区域之间的边缘区域；掺杂阱，形成在衬底中，并且包括第一N阱、第二N阱和P阱；有源区域，形成在掺杂阱上并且沿第一方向纵向取向；ST...
    2026-02-20
首页 上一页 20 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证