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最新专利技术
  • 一种多波长光子晶体表面发射激光器芯片及其制造方法
    一种多波长光子晶体表面发射激光器芯片及其制造方法_深圳市柠檬光子科技有限公司_202511241007.7
    本申请提供了一种多波长光子晶体表面发射激光器芯片及其制造方法，多波长光子晶体表面发射激光器芯片包括：衬底；至少两个沿外延生长方向堆叠设置的激光发射单元，每个激光发射单元被配置用于产生特定波长的光信号，且至少两个激光发射单元产生的特定波长互不...
    2026-03-12
  • 一种片上串联激光器bar条及其制造方法
    一种片上串联激光器bar条及其制造方法_江苏柠芯半导体有限公司_202511236159.8
    本申请提供了一种片上串联激光器bar条及其制造方法，片上串联激光器bar条包括衬底、在衬底上设置的至少两个半导体激光器单元以及片上电性互连结构，其中，每个半导体激光器单元都包含至少一个用以产生激光的半导体异质结堆叠结构，堆叠结构包括P型半导...
    2026-03-12
  • 一种单模638nm半导体激光器件及其制备方法
    一种单模638nm半导体激光器件及其制备方法_山东华光光电子股份有限公司_202511494514.1
    本发明涉及一种单模638nm半导体激光器件及其制备方法。该半导体激光器件由下至上依次包括GaAs衬底、GaAs缓冲层、第一N限制层、第一光波导层、第二N限制层、第二光波导层、第三N限制层、下波导层、GaInP第一量子阱、AlGaInP第一垒...
    2026-03-12
  • 基于二阶光栅衍射的面发射半导体激光器及其制备方法
    基于二阶光栅衍射的面发射半导体激光器及其制备方法_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202511412203.6
    本发明涉及半导体激光器领域，尤其涉及一种基于二阶光栅衍射的面发射半导体激光器及其制备方法，激光器包括衬底层，在衬底层的顶面设置外延层，外延层通过刻蚀形成通电增益部分和出光光栅部分；其中，通电增益部分包括脊波导，脊波导的顶面构成P型台面，脊波...
    2026-03-12
  • 一种非稳腔半导体激光器芯片的制备方法及半导体器件
    一种非稳腔半导体激光器芯片的制备方法及半导体器件_山东华光光电子股份有限公司_202511585649.9
    本发明提供一种非稳腔半导体激光器芯片的制备方法及半导体器件，属于半导体激光器芯片制备技术领域，本发明通过在非出光腔面引入弧形布拉格光栅，通过布拉格光栅作为反射镜代替自然解理面所形成的反射镜，为减小自然解理面剩余反射率所带来的影响，在非出光腔...
    2026-03-12
  • 基于环状布拉格光栅的二维全固态大角度蝶型激光器
    基于环状布拉格光栅的二维全固态大角度蝶型激光器_聚光科芯(杭州)光电子科技有限公司_202511487190.9
    本发明涉及半导体激光器技术领域，具体为基于环状布拉格光栅的二维全固态大角度蝶型激光器，包括：衬底；激光量子阱增益层，设置在所述衬底的上端面；环状布拉格光栅，刻蚀在所述激光量子阱增益层的上部波导层；上包层，通过半导体二次外延法构建在所述环状布...
    2026-03-12
  • 一种具备智能反馈系统的宏通道激光器及其制备方法
    一种具备智能反馈系统的宏通道激光器及其制备方法_郑州中镭光电科技有限公司_202511578667.4
    本申请涉及半导体激光器制备领域，公开了一种具备智能反馈系统的宏通道激光器及其制备方法，包括：激光器芯片、热沉、光电探测器模块、温度检测模块、电路板、显示屏和通信接口。所述光电探测器模块安装在热沉表面用于监测能量；所述温度检测模块安装在靠近芯...
    2026-03-12
  • 一种可连续调谐的钙钛矿激光器及其制备方法和应用
    一种可连续调谐的钙钛矿激光器及其制备方法和应用_北京工业大学_202511602477.1
    本发明提供一种可连续调谐的钙钛矿激光器及其制备方法和应用，涉及半导体技术领域。本发明的可连续调谐的钙钛矿激光器，包括相对平行设置的上反射镜和下反射镜，所述上反射镜的内侧依次设置钙钛矿增益层、间隔层，所述间隔层和下反射镜的内层分别设置上ITO...
    2026-03-12
  • 一种半导体多波长独立激光发生装置的控制方法
    一种半导体多波长独立激光发生装置的控制方法_广州可美斯光电科技有限公司_202511312025.X
    本发明公开了一种半导体多波长独立激光发生装置的控制方法，属于半导体激光器技术领域，其装置包括转接线路板、巴条和主机，所述巴条的正负极通过所述转接线路板的转接端子与所述主机电连接；其方法包括：S1：获取用户选择的模式；S2：所述主机根据用户选...
    2026-03-12
  • 一种电吸收调制半导体激光器芯片及其制备方法
    一种电吸收调制半导体激光器芯片及其制备方法_江苏索尔思通信科技有限公司_202511646911.6
    本发明涉及一种电吸收调制半导体激光器芯片及其制备方法，属于光通信技术领域，包括衬底、设置在衬底上方的下拓展波导结构、设置在下拓展波导结构上方并具有量子阱结构的LD部分、设置在下拓展波导结构上方并与LD部分相对接的EAM部分、设置在下拓展波导...
    2026-03-12
  • 一种VCSEL激光器及制造方法
    一种VCSEL激光器及制造方法_威科赛乐微电子股份有限公司_202511364565.2
    本申请提供一种VCSEL激光器及制造方法，包括衬底、P‑电极网络、N‑电极网络及线阵列单元，所述衬底上依次堆叠有第一Buffer层、第二Buffer层、外延层、接触Cap层和钝化层，所述P‑电极网络和N‑电极网络在所述钝化层表面上纵横交错设...
    2026-03-12
  • 一种激光二极管
    一种激光二极管_厦门耀烁激光科技有限公司_202511654869.2
    本发明公开了一种激光二极管，其包括管座、管脚、管帽、反射镜和双准直透镜，管座包括铜圆基板、可伐圆套、封接玻璃和可伐环，铜圆基板设有圆柱型的托台、环形槽和引脚孔，管脚通过封接玻璃和可伐圆套封装在引脚孔内，可伐环通过钎焊封装在环形槽内，管帽通过...
    2026-03-12
  • 分布反馈激光器和分布反馈激光器制备方法
    分布反馈激光器和分布反馈激光器制备方法_武汉敏芯半导体股份有限公司_202511367691.3
    本申请实施例公开了一种分布反馈激光器和分布反馈激光器制备方法，分布反馈激光器包括了激光器主体、第一介质层、加热电阻和加热电极，分布反馈激光器可以通过半导体功能层叠结构上的脊型波导实现分布反馈激光器的工作功能。而在分布反馈激光器工作过程中，可...
    2026-03-12
  • 一种多型号芯片贴片机
    一种多型号芯片贴片机_深圳九州光电子技术有限公司_202511692943.X
    一种多型号芯片贴片机，包括壳体，壳体上的台面一端设有进出料装置，进出料装置的进料端设有点胶装置，壳体内的另一端设有芯片上料装置，点胶装置和芯片上料装置之间设有贴片装置，进出料装置用于托盘的进料和出料操作。本发明通过进出料装置能够向贴片机自动...
    2026-03-12
  • 表面发射激光器、相关装置及其设计方法
    表面发射激光器、相关装置及其设计方法_杭州开幕光子技术有限公司_202610014924.X
    本申请涉及半导体器件技术领域，揭示了一种表面发射激光器、相关装置及其设计方法。表面发射激光器包括表面发射激光单元和光束整形结构，表面发射激光单元浸没设置于光束整形结构内，光束整形结构的折射率大于空气的折射率以使得位于光束整形结构内部的表面发...
    2026-03-12
  • 封装结构及其制造方法
    封装结构及其制造方法_湖北江城实验室_202610013162.1
    本公开实施例公开了一种封装结构及其制造方法，其中，封装结构包括：基板，以及位于基板上的至少一个第一中介层，第一中介层内具有第一光学元件；多个光处理单元组，位于第一中介层上，每一光处理单元组包括一个或者多个间隔排布的光处理单元；第二中介层，以...
    2026-03-12
  • 一种激光芯片封装结构、封装方法和激光器阵列
    一种激光芯片封装结构、封装方法和激光器阵列_度亘核芯光电技术(苏州)股份有限公司_202610019139.3
    本申请涉及激光芯片封装技术领域，提供了一种激光芯片封装结构、封装方法和激光器阵列，激光芯片封装结构主要包括上盖板、带空腔的中间层和下盖板，共同形成基座结构；激光芯片固定于下盖板并容置于中间层的空腔内。基座内部设有用于填充电极材料的通孔，通过...
    2026-03-12
  • 半导体结构的制备方法
    半导体结构的制备方法_苏州长光华芯光电技术股份有限公司_202610031609.8
    本发明提供一种半导体结构的制备方法，包括：在待刻蚀层的一侧形成第一牺牲层；在第一牺牲层背离待刻蚀层的一侧形成掩膜层；在掩膜层中形成第一开口和第二开口，第一开口贯穿掩膜层，第二开口朝向待刻蚀层一侧的掩膜层的厚度大于零；刻蚀第一开口底部的第一牺...
    2026-03-12
  • III-V族激光器与硅基波导的键合方法、集成器件
    III-V族激光器与硅基波导的键合方法、集成器件_北京大学_202511323497.5
    本发明提供一种III‑V族激光器与硅基波导的键合方法、集成器件，属于光电子集成技术领域，包括：对晶圆依次进行清洗、等离子体活化、获取共价键结合积分面积、直接键合、获取键合面积占比；直接键合的键合温度低于预设温度阈值；若键合面积占比小于第一阈...
    2026-03-12
  • 双波长异步共腔放大和频589nm激光器及方法
    双波长异步共腔放大和频589nm激光器及方法_山东大学_202610018119.4
    本发明属于激光器技术领域。提出了一种双波长异步共腔放大和频589nm激光器及方法，1064nm与1319nm单频连续种子源经对应声光调制器斩波后，分别通过透镜整形，由第一耦合镜耦合入射固体放大模块，两脉冲光频率均为、时序相差，均位于泵浦源下...
    2026-03-12
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