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最新专利技术
  • 集成电路封装及其形成的方法
    集成电路封装及其形成的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511418428.2
    本揭露提供一种集成电路封装及其形成方法。集成电路封装可包含集成电路晶粒以及在集成电路晶粒的侧壁上的介电材料。集成电路晶粒可包含基材、在基材中的保护结构、在基材上的互连结构以及在互连结构中与保护结构接触的密封环结构。保护结构与基材可包含相同半...
    2026-02-11
  • 一种新型低成本、高屏蔽、准气密混合微系统
    一种新型低成本、高屏蔽、准气密混合微系统_上海无线电设备研究所_202511379875.1
    本发明公开了一种新型低成本、高屏蔽、准气密混合微系统，该系统包含：底板、金属围框、顶盖、底部球阵列和多层板，其中，金属围框设置在底板上表面四周，顶盖与金属围框连接，底板、金属围框和顶盖围成一腔体，底部球阵列设置在底板的底部，底部球阵列包含常...
    2026-02-11
  • 固态断路器封装模块及其制备方法
    固态断路器封装模块及其制备方法_伊顿电力设备有限公司_202510487811.7
    本发明提供了一种固态断路器封装模块及其制备方法，固态断路器封装模块包括：至少一个基板，布置在所述至少一个基板上的至少一个功率半导体和至少一个能量吸收堆，和用于封装所述至少一个功率半导体和所述至少一个能量吸收堆的外壳，其中，所述能量吸收堆包括...
    2026-02-11
  • 一种晶圆级芯片尺寸封装结构及方法
    一种晶圆级芯片尺寸封装结构及方法_江苏芯德半导体科技股份有限公司_202512050156.1
    本申请公开一种晶圆级芯片尺寸封装结构及方法，涉及半导体封装技术领域。该晶圆级芯片尺寸封装方法，包括：在临时载板上形成布线结构，布线结构包括介质复合层以及设置于介质复合层内的互联结构，且互联结构在介质复合层的两端面具有连接点，介质复合层包括依...
    2026-02-11
  • 一种适用于垂直器件的晶圆级转模塑封方法
    一种适用于垂直器件的晶圆级转模塑封方法_派恩杰半导体(浙江)有限公司_202511626918.1
    本发明提供了一种适用于垂直器件的晶圆级转模塑封方法，其具体步骤包括：对晶圆划片取片，获得垂直型器件；将垂直型器件的漏极与铜框架进行连接，形成功率子单元半成品；在垂直型器件的源极以及栅极上分别布置铜片，以将垂直型器件的各电极引出，为用户端提供...
    2026-02-11
  • 一种芯片封装设备
    一种芯片封装设备_江苏润鹏半导体有限公司_202511297405.0
    本发明提出的一种芯片封装设备，属于芯片封装技术领域。该设备包括工位调节转轴、放置板、芯片模具、塑封料上料模具和上料组件。放置板固定设于工位调节转轴上，且受工位调节转轴驱动转动；芯片模具于放置板上可拆卸设有多组，芯片模具上设有塑封料上料孔；塑...
    2026-02-11
  • 层叠体
    层叠体_东京应化工业株式会社_202511024708.5
    本发明涉及层叠体。本发明的课题是提供支撑体与器件层介由粘接层贴合而成的层叠体，所述层叠体的翘曲量小，可抑制相对于外力的变形，并且粘接层的洗涤除去性良好。本发明的解决手段为采用下述层叠体，其为支撑体、第1粘接层、第2粘接层及器件层依次层叠而成...
    2026-02-11
  • 3DIC封装结构及其制备方法
    3DIC封装结构及其制备方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202411040688.6
    本发明提供一种3DIC封装结构及其制备方法，该制备方法通过在C2W过程中将芯片与裸硅载体晶圆直接键合连接，再于载体晶圆键合有芯片的一侧裸露的表面上形成晶圆介质层，通过对载体晶圆和芯片的表面进行减薄和平坦化处理，以裸露出芯片电路层，再进行W2...
    2026-02-11
  • 2.5D封装结构及其制备方法
    2.5D封装结构及其制备方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202411029872.0
    本发明提供一种2.5D封装结构及其制备方法，在制备2.5D封装结构的过程中，直接将大尺寸的基板与重新布线层电连接，相较于传统的先封装再进行基板贴装的工艺制程，可以有效解决高性能、大尺寸芯片封装结构翘曲问题，避免因热膨胀系数不匹配造成的虚焊问...
    2026-02-11
  • 混合键合方法
    混合键合方法_荣芯半导体(宁波)有限公司_202511719670.3
    本发明提供一种混合键合方法。所述混合键合方法包括：研磨去除第一介质层顶面上的第一金属层且保留第一介质层中第一凹槽内的第一金属层；在第一介质层上生成第二介质层；去除第一金属层正上方的第二介质层；研磨去除第三介质层顶面上的第二金属层且保留第三介...
    2026-02-11
  • 一种具有应力自适应调节的铜夹及其设计方法、系统
    一种具有应力自适应调节的铜夹及其设计方法、系统_成都天奥电子股份有限公司_202511364354.9
    本申请涉及铜夹技术领域，提供了一种具有应力自适应调节的铜夹及其设计方法、系统，包括多个芯片焊接板、任意两个芯片焊接板之间通过拱形连接件固定连接；拱形连接件包括伸缩板以及设置于伸缩板两端的斜边板；伸缩板为可伸缩的波纹板；两个斜边板分别与不同的...
    2026-02-11
  • 用于制造引脚的可润湿侧壁的方法和系统
    用于制造引脚的可润湿侧壁的方法和系统_半导体元件工业有限责任公司_202411658692.9
    本公开涉及用于制造引脚的可润湿侧壁的方法和系统。半导体封装件的实施方式可以包括：一个或多个引脚，该一个或多个引脚与一个或多个半导体器件操作地耦接；以及模塑料，该模塑料耦接到一个或多个引脚并且使一个或多个引脚的侧面通过模塑料的表面暴露，该表面...
    2026-02-11
  • 基板及其制备方法
    基板及其制备方法_北京有竹居网络技术有限公司_202411025970.7
    一种基板及其制备方法。该基板包括衬底以及信号线，信号线设置在衬底上，其中，信号线的截面呈环形，该环形包括环线部分以及位于环线部分中的环心部分，该环心部分是绝缘的。在上述基板中，信号线实现为“空心”信号线，相比于传统的实心信号线，在信号线的线...
    2026-02-11
  • 一种模块自动贴片线
    一种模块自动贴片线_深圳宝创电子设备有限公司_202610009818.2
    本发明公开了一种模块自动贴片线，其包括贴片单元一、贴片单元二、贴片单元三、贴片单元四和焊接模组，所有加工单元均安装有用于输送焊接托盘的主传输系统和回流输送系统，且在产线端部的贴片单元一和贴片单元二处还安装有用于将焊接托盘在主传输系统与回流输...
    2026-02-11
  • 半导体器件烧结方法及半导体器件
    半导体器件烧结方法及半导体器件_深圳芯源新材料有限公司_202610003868.X
    本申请涉及一种半导体器件烧结方法及半导体器件，所述烧结方法中在第一基片的第一面上和第二面上分别制备烧结层，得到第一复合片；基于第一预设温度，对第一复合片烘干，得到第二复合片；将第二复合片设置在基板上，将待贴装芯片设置在第二复合片上，形成预互...
    2026-02-11
  • 一种多尺寸凸块的芯片封装方法、系统、终端及存储介质
    一种多尺寸凸块的芯片封装方法、系统、终端及存储介质_宁波芯健半导体有限公司_202511625970.5
    本申请涉及一种多尺寸凸块的芯片封装方法、系统、终端及存储介质, 涉及芯片封装技术领域，其方法包括：在加工晶圆上依次形成PI层和种子层；在加工晶圆上形成第一光刻胶层；在第一光刻胶层上形成铜柱开口，并在铜柱开口内电镀形成铜柱；去除第一光刻胶层；...
    2026-02-11
  • 封装载板及其制备方法
    封装载板及其制备方法_中国科学院微电子研究所_202511347858.X
    本申请公开了一种封装载板及其制备方法，属于半导体封装技术领域，主要目的是提升转接板与基板垂直互联的机械稳定性、导电可靠性及封装良率。本申请的主要技术方案为：该封装载板包括基板和转接板；所述基板具有面向所述转接板的第一键合面，所述第一键合面包...
    2026-02-11
  • 2.5D封装结构及其制备方法
    2.5D封装结构及其制备方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202411030252.9
    本发明提供一种2.5D封装结构及其制备方法，在制备2.5D封装结构的过程中，直接将大尺寸的基板键合到重新布线层上，实现基板与重新布线层的电性连接，相较于传统的先封装再进行基板贴装的工艺制程，可以有效解决高性能、大尺寸芯片封装结构翘曲问题，避...
    2026-02-11
  • 2.5D封装结构的制备方法
    2.5D封装结构的制备方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202411026687.6
    本发明提供一种2.5D封装结构的制备方法，在制备2.5D封装结构的过程中，直接将大尺寸的基板与重新布线层电连接，相较于传统的先封装再进行基板贴装的工艺制程，可以有效解决高性能、大尺寸芯片封装结构翘曲问题，避免因热膨胀系数不匹配造成的虚焊问题...
    2026-02-11
  • 使用VFM在HBM模块中形成互连结构的半导体器件和方法
    使用VFM在HBM模块中形成互连结构的半导体器件和方法_JCET星科金朋韩国有限公司_202510971950.7
    一种半导体器件具有第一电气部件和第二电气部件。混合焊剂材料沉积在第一电气部件和/或第二电气部件上。混合焊剂材料可以是具有非导电膜或非导电膏的焊剂材料。第二电气部件堆叠在第一电气部件上。第一电气部件可以是半导体晶片或半导体管芯，并且第二电气部...
    2026-02-11
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