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最新专利技术
  • 使用VFM在HBM模块中形成互连结构的半导体器件和方法
    使用VFM在HBM模块中形成互连结构的半导体器件和方法_JCET星科金朋韩国有限公司_202510971950.7
    一种半导体器件具有第一电气部件和第二电气部件。混合焊剂材料沉积在第一电气部件和/或第二电气部件上。混合焊剂材料可以是具有非导电膜或非导电膏的焊剂材料。第二电气部件堆叠在第一电气部件上。第一电气部件可以是半导体晶片或半导体管芯，并且第二电气部...
    2026-02-11
  • 芯片堆叠封装结构及其制作方法
    芯片堆叠封装结构及其制作方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202411025250.0
    本发明提供一种芯片堆叠封装结构及其制作方法，该芯片堆叠封装结构包括第一布线层、初步封装体、保护层及导电凸块，其中，初步封装体包括第一和二柱、叠层结构、封装层及第二布线层，叠层结构包括第一、二堆叠结构，第一堆叠结构包括错位堆叠的第一芯片及第一...
    2026-02-11
  • 功率半导体模块的布局结构
    功率半导体模块的布局结构_深圳基本半导体股份有限公司_202511351251.9
    本申请公开了一种功率半导体模块的布局结构。该布局结构包括基板和设于基板上的半桥结构，基板上相对设置有上桥臂布局区域和下桥臂布局区域；上桥臂布局区域包括上桥臂芯片布局区、第一电流回路区和第一端子连接区，上桥臂芯片布局区与第一电流回路区沿第一方...
    2026-02-11
  • 包含嵌入式电子组件的微电子装置以及相关联方法及系统
    包含嵌入式电子组件的微电子装置以及相关联方法及系统_美光科技公司_202511022904.9
    包含嵌入式电子组件的微电子装置以及相关联方法及系统包含衬底及所述衬底中的至少一个导电结构。所述微电子装置进一步包含至少部分地嵌入所述衬底中的电子组件。所述电子组件在所述电子组件的第一端处耦合到所述至少一个导电结构且在所述至少一个导电结构与所...
    2026-02-11
  • 半导体封装载板结构及其制法
    半导体封装载板结构及其制法_恒劲科技股份有限公司_202411021243.3
    本发明提出一种半导体封装载板结构及其制法。半导体封装载板结构包括一基板本体、一第一介电材以及一第二介电材，基板本体具有相对的第一表面及第二表面、自该第一表面凹陷的多个第一开孔、自该第二表面凹陷的多个第二开孔及多个第三开孔，其中，该多个第三开...
    2026-02-11
  • 半导体封装载板结构及其制法
    半导体封装载板结构及其制法_恒劲科技股份有限公司_202411021241.4
    本发明公开一种半导体封装载板结构及其制法，半导体封装载板结构包括具有多个开孔、多个导电柱及至少一置晶部的基板本体、设于该多个开孔中的介电材，以及设于该基板本体的表面上的图案化线路层；其中，该多个导电柱、该置晶部的侧面周身呈凹弧状，且该图案化...
    2026-02-11
  • 能提升玻璃基板可靠性的多层玻璃衬底结构及其制作方法
    能提升玻璃基板可靠性的多层玻璃衬底结构及其制作方法_无锡中微高科电子有限公司_202511832166.4
    本发明涉及一种能提升玻璃基板可靠性的多层玻璃衬底结构及其制作方法，包括多层玻璃衬底层压体，多层玻璃衬底层压体包括呈纵向间隔叠置的玻璃芯材衬底层以及位于相邻玻璃芯材衬底层之间的粘接性介质层，在多层玻璃衬底层压体中设有至少一个导通孔，导通孔包括...
    2026-02-11
  • 包括互连结构的半导体封装
    包括互连结构的半导体封装_爱思开海力士有限公司_202510029241.7
    本申请涉及包括互连结构的半导体封装。一种半导体封装包括下互连结构。下互连结构包括下绝缘层和下互连图案。第一包封层设置在下互连结构上。提供穿透第一包封层并且连接到下互连图案的柱电极。提供设置在第一包封层内并且具有上绝缘层和上互连图案的上互连结...
    2026-02-11
  • 封装结构及其形成方法
    封装结构及其形成方法_北京有竹居网络技术有限公司_202411020981.6
    一种封装结构及其形成方法，所述封装结构包括：多个芯片封装，在第一方向上并排设置，其中每个芯片封装包括：第一封装基板，具有在第二方向上彼此相对的第一侧和第二侧，所述第二方向与所述第一方向相交；以及芯片结构，包括至少一个芯片，设置于所述第一封装...
    2026-02-11
  • 半导体封装方法及半导体封装结构
    半导体封装方法及半导体封装结构_飞腾信息技术有限公司_202511394518.2
    本申请提供了一种半导体封装方法及半导体封装结构，属于半导体技术领域，该半导体封装方法先形成包括中介层组及缓冲层的中介模组，再将中介层背离缓冲层一侧与封装基板固定，之后去除缓冲层，再将至少一个裸片固定在中介层背离封装基板的一侧。本申请规避了晶...
    2026-02-11
  • 功率器件封装结构及车载电源
    功率器件封装结构及车载电源_浙江吉利控股集团有限公司_202610004068.X
    本申请提供一种功率器件封装结构及车载电源，涉及半导体器件技术领域，功率器件封装结构包括封装体，封装体包括顶壁和多个侧壁，至少两个侧壁上分别从封装体内引出有多个引脚，引出有引脚的各侧壁分别与顶壁之间设置有至少一级过渡台阶。由于引出有引脚的各侧...
    2026-02-11
  • 集成电路及其封装中的导电连接器
    集成电路及其封装中的导电连接器_成都芯源系统有限公司_202511003884.0
    公开了一种集成电路(Integrated Circuit，IC)及其封装中的导电连接器。该IC包括引线框架、IC裸片以及导电连接器。IC裸片安装在引线框架的第一部分上并具有连接到引线框架的第一部分的裸片底面以及形成有第一接触焊盘的裸片顶面。...
    2026-02-11
  • 集成电路及其封装中的引线框架
    集成电路及其封装中的引线框架_成都芯源系统有限公司_202511003883.6
    公开了一种集成电路(Integrated Circuit，IC)及其封装中的引线框架。该IC包括引线框架以及IC裸片。引线框架包括在水平方向上相互分离的第一部分和第二部分。IC裸片安装在引线框架的第一部分上并具有连接到第一部分的裸片底面以及...
    2026-02-11
  • 功率模块
    功率模块_现代自动车株式会社_202510281894.4
    本发明公开了一种功率模块。功率模块包括连接件引脚和引脚保持部，所述连接件引脚配置为接收电信号，所述引脚保持部在其上表面和下表面处分别形成有配置为接收连接件引脚的上部插入孔和下部插入孔。上部插入孔和下部插入孔的每个与连接件引脚的表面或边缘形成...
    2026-02-11
  • 一种DDR封装方法
    一种DDR封装方法_天津津航计算技术研究所_202511607945.4
    本发明涉及一种DDR封装方法，属于异构芯片集成技术领域。该方法是基于Chiplet设计方法学，通过芯片流片布局在晶圆级进行RDL、IPD互联等先进封装技术解决DDR在系统封装内应用受限的问题，从而使得在封装内以最小尺寸方案扩充带宽并解决阻抗...
    2026-02-11
  • 一种嵌入硅桥和高密度硅电容的中介层的制备方法及结构
    一种嵌入硅桥和高密度硅电容的中介层的制备方法及结构_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511571498.1
    本发明公开一种嵌入硅桥和高密度硅电容的中介层的制备方法及结构，属于集成电路先进封装领域。本发明可用于2.5D先进封装高密度互连；该中介层结构包括中介层背面RDL再布线层、使用高分子环氧树脂料EMC埋入硅桥及高密度硅电容的中间层、以及中介层正...
    2026-02-11
  • 基于光刻胶牺牲层的ABF嵌入式空腔制备方法及结构
    基于光刻胶牺牲层的ABF嵌入式空腔制备方法及结构_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511571366.9
    本发明涉及一种基于光刻胶牺牲层的ABF嵌入式空腔制备方法及结构，其中方法包括：在核心基板上图形化光刻胶形成牺牲层结构与垂直互连通道空间；电镀铜柱后去除通道光刻胶；层压ABF介质层完全包覆结构与铜柱；研磨至暴露牺牲层与铜柱顶面；最后去除牺牲层...
    2026-02-11
  • 一种覆铜陶瓷基板化银时侧壁不上银的方法
    一种覆铜陶瓷基板化银时侧壁不上银的方法_浙江德汇电子陶瓷有限公司_202511512577.5
    本发明涉及覆铜陶瓷基板制造技术领域，尤其涉及一种覆铜陶瓷基板化银时侧壁不上银的方法，包括以下步骤：(1)对覆铜陶瓷基板进行化学镀银，使所述基板的表面和侧壁形成银层；(2)在所述基板表面银层上形成耐碱保护层；(3)将步骤(2)得到的基板浸泡在...
    2026-02-11
  • 集成电路封装及形成其的方法
    集成电路封装及形成其的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511319726.6
    本发明提供一种装置包括封装衬底第一侧上的中介层元件上芯片，以及封装衬底的第一侧上的第一环状结构。第一环状结构延伸围绕中介层元件上芯片的周边。封盖可能配置在第一环状结构上。装置还包括封装衬底的第二侧上的连接器的阵列，其中封装衬底第二侧相对于封...
    2026-02-11
  • 3D堆栈结构的制造方法
    3D堆栈结构的制造方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202411031619.9
    本发明提供一种3D堆栈结构的制造方法，在进行TGV基板的键合时，对TGV基板的待键合面进行SPM溶液的表面平坦化处理以及NaOH溶液的表面活化处理，其中，通过SPM溶液的表面平坦化处理可缩小TGV基板的待键合面的表面粗糙度，使得待键合面平整...
    2026-02-11
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