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最新专利技术
  • 异常检测方法、半导体检测设备及半导体工艺设备
    异常检测方法、半导体检测设备及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411061069.5
    本申请涉及一种异常检测方法、半导体检测设备及半导体工艺设备，异常检测方法包括：响应于针对目标设备模块对应的工艺文件的检测指令，解析工艺文件包括的目标信息；目标信息包括处理对象在目标设备模块中的滞留时长；基于目标信息和预设滞留阈值，确定目标设...
    2026-02-12
  • 加热盘及其制造方法、温控装置、半导体制造设备
    加热盘及其制造方法、温控装置、半导体制造设备_深圳市新凯来工业机器有限公司_202411057698.0
    本申请提供一种加热盘及其制造方法、温控装置、半导体制造设备，涉及半导体处理技术领域。加热盘包括加热主体，加热主体包括基体、加热层、封装层及若干焊球；基体包括相背的第一面和第二面，加热层通过半导体制造工艺形成于基体的第二面，封装层形成于加热层...
    2026-02-12
  • 一种用于清洗晶圆的排列式兆声清洗装置
    一种用于清洗晶圆的排列式兆声清洗装置_杭州众硅电子科技有限公司_202511683010.4
    本发明公开了一种用于清洗晶圆的排列式兆声清洗装置，包括：清洗槽；第一主动轴和第二主动轴，平行设于清洗槽内，且在驱动单元的驱动下可绕其自身中心线周向旋转，其长度为60‑350mm；第一主动轴上沿长度方向设有三个第一卡槽，第二主动轴上沿长度方向...
    2026-02-12
  • 基于化学清洗的背封硅片翘曲调控方法
    基于化学清洗的背封硅片翘曲调控方法_上海中欣晶圆半导体科技有限公司_202511646059.2
    本发明公开了基于化学清洗的背封硅片翘曲调控方法，具体涉及半导体技术领域，该方法包括：S1：硅片预处理；S2：氧化硅背封；S3：抛光与一次洗净；S4：第一次平坦度测定；S5：化学清洗调控；S6：第二次平坦度测定；S7：最终清洗与检查。本发明所...
    2026-02-12
  • 一种晶圆边缘清洁设备
    一种晶圆边缘清洁设备_芯达半导体设备(苏州)有限公司_202511624647.6
    本发明提供一种晶圆边缘清洁设备，属于半导体加工技术领域，具体包括毛刷清洁组件和晶圆定位机构，毛刷清洁组件用于对晶圆进行清洁；毛刷头能够与晶圆耦合，微动电机连接有压力传感器，压力传感器能够获取毛刷头对晶圆施加的压力，所述微动电机能够根据压力传...
    2026-02-12
  • 一种无损清洁的功能膜结构及其制备方法
    一种无损清洁的功能膜结构及其制备方法_武汉纳佰新电子有限公司_202511594610.3
    本发明公开了一种无损清洁的功能膜结构及其制备方法，属于半导体设备维护技术领域，包括依次层叠设置的刚性支撑层、界面锚定层、过渡层、清洁层和防护层；其通过设置界面锚定层，在刚性支撑层与柔性过渡层之间形成强结合界面，并通过设置过渡层缓解界面锚定层...
    2026-02-12
  • 清洁硅衬底表面的方法及系统
    清洁硅衬底表面的方法及系统_重庆芯联微电子有限公司_202511379132.4
    本发明提供了一种清洁硅衬底表面的方法及系统，首先通过H自由基在Si表面形成H‑Si钝化层，后通入NH33使其选择性吸附于SiO22表面；经惰性气体吹扫清除残留气相物质后，引入等离子体解离NF33所产生的氟自由基(F*)，使其与预吸附NH33...
    2026-02-12
  • 衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置
    衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置_株式会社国际电气_202510546619.0
    本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置。课题在于提供能够对形成于衬底的凹部的内表面中的所希望的表面进行选择性处理的技术。解决手段包括(a)准备衬底的工序，该衬底包含具有第1末端并构成凹部的内表面的至少一部分的第...
    2026-02-12
  • 半导体衬底及其制备方法、半导体器件
    半导体衬底及其制备方法、半导体器件_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511382559.X
    本公开提供了半导体衬底及其制备方法、半导体器件，所述半导体衬底包括：基底；形成在所述基底上的多个多晶硅层；其中，至少一个所述多晶硅层的远离所述基底并且与其他所述多晶硅层相接触的第一表面的算术平均粗糙度小于20纳米。
    2026-02-12
  • 一种西格玛沟槽刻蚀工艺控制方法、系统、设备及介质
    一种西格玛沟槽刻蚀工艺控制方法、系统、设备及介质_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202411028035.6
    本申请公开了一种西格玛沟槽刻蚀工艺控制方法、系统、设备及介质，属于半导体技术领域，该方法首先获取前道刻蚀的前道量测数据；然后根据前道量测数据、前道量测数据和后道量测数据的关系，以及后道量测数据目标值，确定后道刻蚀的刻蚀时间；最后执行该刻蚀时...
    2026-02-12
  • 用于氧化铪的原子层刻蚀方法、设备以及半导体器件
    用于氧化铪的原子层刻蚀方法、设备以及半导体器件_上海邦芯半导体科技有限公司_202610012754.1
    本发明提供一种用于氧化铪的原子层刻蚀方法、设备以及半导体器件，所述方法包括对反应腔内待刻蚀器件顶面的氧化铪层执行多次循环处理，直至所述氧化铪层达到目标刻蚀要求，其中，每次循环处理包括：将所述待刻蚀器件的温度调节至目标反应温度；提供工艺气体，...
    2026-02-12
  • 一种半导体结构及其制作方法
    一种半导体结构及其制作方法_上海邦芯半导体科技有限公司_202610018433.2
    本申请公开了一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括：衬底；设于所述衬底表面上的刻蚀停止层；设于所述刻蚀停止层表面上的多个注入掩膜，相邻两个所述注入掩膜之间具有开口；所述刻蚀停止层包括自所述开口的底部上露出的第一部分，和位于所述注入掩膜下...
    2026-02-12
  • 一种晶圆表面的薄膜沉积方法
    一种晶圆表面的薄膜沉积方法_物元半导体技术(青岛)有限公司_202511606413.9
    本申请提供了一种晶圆表面的薄膜沉积方法，至少包括以下步骤：S1：提供一经干法刻蚀处理的晶圆；S2：对晶圆进行快速热退火处理，以修复干法刻蚀造成的表面损伤；S3：在经快速热退火处理后的晶圆表面上，通过等离子体增强化学气相沉积工艺沉积电介质薄膜...
    2026-02-12
  • 沉积碳导电膜的方法
    沉积碳导电膜的方法_美光科技公司_202511047447.9
    本申请涉及沉积碳导电膜的方法。所述方法可包含使第一前体与基底材料反应以在材料上形成碳化合物。所述第一前体可包含锗、硅或锡中的至少一种。所述方法可进一步包含使第二含碳前体与所述碳化合物反应以在所述基底材料上形成层。在此类情况下，可通过将多个材...
    2026-02-12
  • 基于硬掩模剥离技术的功能氧化物薄膜及高温图形化制备方法
    基于硬掩模剥离技术的功能氧化物薄膜及高温图形化制备方法_西安交通大学_202511552348.6
    本发明基于硬掩模剥离技术的功能氧化物薄膜及高温图形化制备方法，属于半导体薄膜技术领域。针对传统工艺难以实现高温沉积功能氧化物薄膜的高质量图形化问题，提出了一种基于双层金属硬掩模的剥离工艺。该方法以耐高温且对温度稳定的镍金属层作为承载层，以适...
    2026-02-12
  • 一种柔性电子器件临时键合方法
    一种柔性电子器件临时键合方法_江西钛矽芯能科技有限公司_202511740073.9
    本发明涉及柔性电子器件制造技术领域，公开一种柔性电子器件临时键合方法。所述临时键合方法包括以下步骤：提供复合衬底，所述复合衬底包括柔性衬底和设置在所述柔性衬底表面的UV解粘膜；提供刚性载体，在所述刚性载体表面制备环绕柔性电子器件区的挡坝；将...
    2026-02-12
  • 一种生物忆阻器的制备及其用于胚胎发育监测的方法
    一种生物忆阻器的制备及其用于胚胎发育监测的方法_西安交通大学_202511624422.0
    一种生物忆阻器的制备及其用于胚胎发育的监测方法，包括以下步骤；步骤一：采收腊肠果；步骤二：对腊肠果进行去皮，将收集的果肉进行清洗烘干，研磨制备成超细的粉末；步骤三：将超细的粉末与N‑甲基吡咯烷酮混合，常温下搅拌，然后通过真空过滤收集上清液，...
    2026-02-12
  • 一种基于壳聚糖忆阻器及其制备方法和逻辑运算装置
    一种基于壳聚糖忆阻器及其制备方法和逻辑运算装置_青岛科技大学_202511476391.9
    本发明涉及忆阻器技术领域，本发明提供一种基于壳聚糖忆阻器，包括从下至上依次层叠设置的衬底、缓冲层、复合介质层和顶电极；所述缓冲层为PEDOT : PSS水溶液旋涂于所述衬底后经热处理形成的；所述复合介质层为氧化石墨烯水分散液与壳聚糖乙酸溶液...
    2026-02-12
  • 有效减小铁电畴壁存储器矫顽电压的嵌入式电极结构及其制备方法
    有效减小铁电畴壁存储器矫顽电压的嵌入式电极结构及其制备方法_复旦大学_202511510759.9
    本发明属于铁电存储器技术领域，具体为有效减小铁电畴壁存储器矫顽电压的嵌入式电极结构及其制备方法。本发明采用铁电薄膜作为基本存储单元；铁电薄膜表面设有嵌入式电极凹槽，凹槽中填充电极材料；铁电薄膜下为金属或金属氧化物电极、二氧化硅/硅基或钙钛矿...
    2026-02-12
  • 一种基于衬底调控YBCO纳米线开关电压的方法
    一种基于衬底调控YBCO纳米线开关电压的方法_电子科技大学_202511626474.1
    本发明提供一种基于衬底调控YBCO纳米线开关电压的方法，属于单光子探测技术领域。该方法通过科学选取衬底材料，并在薄膜沉积前对衬底进行退火处理，再在其上制备YBCO纳米线，保证YBCO薄膜外延质量的同时降低界面热导率，延长声子逃逸时间，从而增...
    2026-02-12
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