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最新专利技术
  • 发光器件、显示面板和显示装置
    发光器件、显示面板和显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202411045215.5
    本发明公开一种发光器件、显示面板和显示装置，发光器件包括：层叠设置的空穴注入层、第一发光层、电子产生层、空穴产生层、第二发光层与电子注入层；所述发光器件包括第一颜色发光区域与第二颜色发光区域，位于所述第一颜色发光区域的空穴产生层与位于所述第...
    2026-02-12
  • 发光器件
    发光器件_株式会社半导体能源研究所_202511047862.4
    提供一种特性良好发光器件。发光器件在一对电极间至少包括发光层及空穴传输层，空穴传输层以与发光层接触的方式设置，发光层包含作为主体材料的第一化合物及作为客体材料的第二化合物，空穴传输层包含第三化合物，第二化合物的HOMO能级高于第一化合物的H...
    2026-02-12
  • 一种有机电致发光器件和显示装置
    一种有机电致发光器件和显示装置_阜阳欣奕华新材料科技股份有限公司_202511305990.4
    本发明提供一种有机电致发光器件和显示装置，涉及有机电致发光技术领域。本发明的有机电致发光器件电压低、效率高，使用寿命长。
    2026-02-12
  • 一种叠层电池及其制备方法
    一种叠层电池及其制备方法_天合光能股份有限公司_202511645633.2
    本发明提供一种叠层电池及其制备方法。所述叠层电池的至少一个相邻子电池单元之间的堆叠界面处设有纳米透光层，所述纳米透光层含有绝缘透明的金属氧化物的纳米颗粒，所述纳米颗粒的直径小于等于350nm。本发明通过在叠层电池的堆叠界面处制备具有纳米结构...
    2026-02-12
  • 一种柔性钙钛矿太阳能组件及其制备方法
    一种柔性钙钛矿太阳能组件及其制备方法_仁烁光能(苏州)有限公司_202512033205.0
    本发明公开了一种柔性钙钛矿太阳能组件，包括多个串联的钙钛矿子电池，在多个串联的钙钛矿子电池的首尾两端的钙钛矿子电池表面分别设置有正极引流条和负极引流条；在每个钙钛矿子电池中，包括依次设置的基底、功能层和第二电极层，其中基底包括柔性衬底和第一...
    2026-02-12
  • 电池组件及其形成方法
    电池组件及其形成方法_新加坡星耀光伏能源有限公司_202511446420.7
    一种电池组件及其形成方法，其中电池组件包括：基底；位于基底上串联的若干子电池模块；子电池模块包括：底电极层、电能产生层和顶电极层；相邻底电极层基于第一沟槽相互分离；相邻子电池模块的电能产生层连接且间具有第二沟槽；相邻顶电极层基于第三沟槽相互...
    2026-02-12
  • 一种太阳能电池用钝化剂及应用和太阳能电池
    一种太阳能电池用钝化剂及应用和太阳能电池_南京工程学院_202511663440.X
    本发明公开了太阳能电池技术领域的一种太阳能电池用钝化剂及应用和太阳能电池，包括式(I)所示化合物及其衍生物中的一种或多种：其中：R1~R10各自独立地选自氢、氟；Z为碘、溴、氯、氟、硫氰根、三氟甲磺酸离子中的一种的一价阴离子。本发明提供的太...
    2026-02-12
  • 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用
    一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用_正泰新能科技股份有限公司_202411042851.2
    本发明提供一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法和应用，所述钙钛矿太阳能电池包括依次设置的第一电极层、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层和第二电极层；所述空穴传输层与钙钛矿层之间设置螯合钝化层，和/或，所述钙钛矿层与电子传输层之间设置螯合钝化层；所...
    2026-02-12
  • 一种提高顶衬结构薄膜太阳电池及其制备方法
    一种提高顶衬结构薄膜太阳电池及其制备方法_东莞理工学院_202511592777.6
    本发明公开了一种提高顶衬结构薄膜太阳电池及其制备方法，所述方法采用二硫化钼(MoS22)作为电子传输层替代传统的有毒硫化镉(CdS)缓冲层，并计通过调节Sb22(S, Se)33吸收层中的S/Se化学量比，优化MoS22/Sb22(S, S...
    2026-02-12
  • 钙钛矿太阳电池及其制备方法、光伏组件
    钙钛矿太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202511549562.6
    本申请涉及太阳电池领域，尤其涉及钙钛矿太阳电池及制备方法、光伏组件。本申请公开了一种钙钛矿太阳电池，该钙钛矿太阳电池包括：电子传输层；设置在电子传输层上的第一氧化锡层，其氧空位含量为1.0×101919/cm33~1.0×102020/cm...
    2026-02-12
  • 修复层、钙钛矿太阳能电池、叠层电池和光伏组件
    修复层、钙钛矿太阳能电池、叠层电池和光伏组件_协鑫集成科技股份有限公司_202511460769.6
    本申请公开了修复层、钙钛矿太阳能电池、叠层电池和光伏组件。所述修复层包括聚合物基体和分散在所述聚合物基体中的复合体，所述聚合物基体含有羟基、伯胺基、仲胺基、动态硼酸酯键、二硫键、狄尔斯‑阿尔德环、亚胺键、超分子聚合物中的一种或多种，所述复合...
    2026-02-12
  • 基于铁电钙钛矿非简并双光子吸收的光电探测器及系统
    基于铁电钙钛矿非简并双光子吸收的光电探测器及系统_深圳大学_202511647373.2
    本发明涉及光电探测技术领域，具体涉及基于铁电钙钛矿非简并双光子吸收的光电探测器及系统。所述光电探测器，包括：基底层；位于所述基底层上的金属电极层；位于所述基底层上的光吸收层，由铁电钙钛矿薄膜构成；保护层，由六分氮化硼薄膜构成；所述金属电极层...
    2026-02-12
  • 一种柔性钙钛矿太阳能电池及其制备方法
    一种柔性钙钛矿太阳能电池及其制备方法_九江市柔烁光电科技有限公司_202511975561.8
    本发明提供一种柔性钙钛矿太阳能电池及其制备方法，所述柔性钙钛矿太阳能电池包括增韧层和钙钛矿吸光层；所述增韧层的制备原料包括α‑硫辛酸；所述钙钛矿吸光层的制备原料包括钙钛矿前驱体材料和添加剂；所述添加剂包括α‑硫辛酸和其他含二硫键的小分子化合...
    2026-02-12
  • 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
    一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法_成都晶信明能光伏科技有限公司_202511692165.4
    本申请涉及光伏发电技术领域，公开了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，提升钙钛矿太阳能电池的光电转化效率和使用寿命。该钙钛矿太阳能电池包括依次层叠的基底、第一载流子传输层、钙钛矿吸光层以及第二载流子传输层，所述钙钛矿吸光层由包含钙钛矿材料前驱...
    2026-02-12
  • 一种光伏器件及其制备方法、光伏电池组件
    一种光伏器件及其制备方法、光伏电池组件_合肥京东方光能科技有限公司_202411004323.8
    本申请提供一种光伏器件及其制备方法、光伏电池组件，涉及光伏器件技术领域，所述光伏器件包括：基板；依次层叠设置在所述基板一侧的第一电极层、第一功能层、光电转换层以及第二功能层，所述第二功能层靠近所述基板设置；所述光伏器件包括第一开口，所述第一...
    2026-02-12
  • 一种钙钛矿电池组件及其制备方法
    一种钙钛矿电池组件及其制备方法_国网甘肃省电力公司电力科学研究院_202511809537.7
    为克服现有钙钛矿电池存在紫外线诱导的稳定性问题，本发明提供了一种钙钛矿电池组件，包括依次层叠的透明导电层、电子传输层、钙钛矿吸光层、空穴传输层和金属背电极层，所述钙钛矿吸光层包括ABX33型晶体以及包覆于所述ABX33型晶体表面的萘并吡喃类...
    2026-02-12
  • 一种基于复合导电薄膜的光传感器
    一种基于复合导电薄膜的光传感器_安徽机电职业技术学院_202511619878.8
    本发明公开了一种基于复合导电薄膜的光传感器，属于光传感器技术领域，该传感器包括柔性基底、复合导电薄膜与封装层，复合导电薄膜集成电极与光活性层功能，由透明导电网络和光敏复合层结合而成；透明导电网络局部嵌入柔性基底且表面覆盖无机氧化物保护层，光...
    2026-02-12
  • 一种小分子有机太阳能电池器件及基于外电场调控界面电子耦合优化其性能的方法
    一种小分子有机太阳能电池器件及基于外电场调控界面电子耦合优化其性能的方法_辽宁大学_202511612675.6
    本发明公开一种小分子有机太阳能电池器件及基于外电场调控界面电子耦合优化其性能的方法。小分子有机太阳能电池器件，包括活性层、电极和外电场施加装置；其中活性层由供体材料MTDATA和受体材料TmPyPB组成。通过在外电场强度范围为‑10×10‑...
    2026-02-12
  • 基于复合空穴阻挡层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
    基于复合空穴阻挡层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法_杭州纤纳光电科技股份有限公司_202411044638.5
    本发明涉及一种基于复合空穴阻挡层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法，钙钛矿太阳能电池的结构包括由下往上的透明基底、透明导电层、空穴传输层、钙钛矿吸光层、电子传输层和背电极层，在电子传输层及背电极层之间设置有复合空穴阻挡层，复合空穴阻挡层包括有机...
    2026-02-12
  • CMOS集成电路及制备方法
    CMOS集成电路及制备方法_北京大学重庆碳基集成电路研究院_202511445323.6
    本公开提供了一种CMOS集成电路及其制备方法。该CMOS集成电路包括：N个晶体管层，N≥2，N个晶体管层在CMOS集成电路的垂直方向中设置成上下排布方式，N个晶体管层包括：一个第一晶体管层，位于CMOS集成电路的最下层，第一晶体管层中形成有...
    2026-02-12
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