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最新专利技术
  • 一种背接触电池的后制绒制作方法及其电池
    一种背接触电池的后制绒制作方法及其电池_福建省金石能源股份有限公司_202610005309.2
    本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种背接触电池的后制绒制作方法及其电池，包括：S2、在硅片背面形成第一半导体层，同时自然形成磷硅玻璃层作为掩膜层；S3、背面形成第二半导体开口区；S4、采用激光刻划的方式，对硅片正面进行整面刻蚀，以去除...
    2026-02-13
  • 光伏电池及其制造方法、叠层电池及光伏组件
    光伏电池及其制造方法、叠层电池及光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202512018749.X
    本公开涉及光伏领域，提供一种光伏电池及其制造方法、叠层电池及光伏组件，光伏电池的制造方法包括：提供电池基片，具有沿第一方向相对的两个表面侧；在至少一个表面侧上印刷第一浆料，第一浆料至少包括第一导电颗粒和第二导电颗粒，第一导电颗粒和第二导电颗...
    2026-02-13
  • 一种基于激光无损切割的光伏电池片划片设备及方法
    一种基于激光无损切割的光伏电池片划片设备及方法_广州蓝海机器人系统有限公司_202512008184.7
    本发明提供一种基于激光无损切割的光伏电池片划片设备及方法，包括：S1第一输送机构接收并输送装载有大电池片的料盒；S2第一抓取机构将大电池片抓取到纠正平台上；S3第一检测机构对纠正平台上的大电池片进行检测，如合格则通过第一检测机构对大电池片的...
    2026-02-13
  • 一种红外窄带光电器件及其制备方法
    一种红外窄带光电器件及其制备方法_苏州大学_202511984085.6
    本发明公开了一种红外窄带光电器件及其制备方法，包括如下步骤：在FTO玻璃上制备电子传输层后，在电子传输层上制备活性吸收层，将活性吸收层进行氯化镉处理钝化缺陷后，在活性吸收层上制备硫氰酸亚铜层或氧化镍层作为空穴传输层，当空穴传输层为氧化镍层时...
    2026-02-13
  • 一种背接触太阳能电池的制造方法
    一种背接触太阳能电池的制造方法_青海黄河上游水电开发有限责任公司光伏产业技术分公司_202511680937.2
    本发明属于太阳能电池生产技术领域，特别涉及一种背接触太阳能电池的制造方法，具体包括提供一太阳能电池基片，太阳能电池基片的背光面设置有交替分布的P型掺杂区和N型掺杂区；在背光面通过激光开槽，使P型掺杂区和N型掺杂区之间形成有高低台阶差的激光槽...
    2026-02-13
  • 一种异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池
    一种异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202511675604.0
    本发明公开一种异质结太阳能电池的制备方法及异质结太阳能电池。制备方法包括：提供异质结电池基体，异质结电池基体的第一主表面和第二主表面分别设置第一透明导电膜层和第二透明导电膜层；第一透明导电膜层的外侧形成间隔排列的隔热层，第二透明导电膜层的外...
    2026-02-13
  • 一种减轻光伏电池制程中膜层损伤的方法
    一种减轻光伏电池制程中膜层损伤的方法_晋能光伏技术有限责任公司_202511662899.8
    本发明公开了一种减轻光伏电池制程中膜层损伤的方法，涉及太阳能电池领域：具体为控制制绒过程，硅片正背面进行第一次制绒后利用掩膜遮挡板，硅片正背面非遮挡区域沉积SiNx薄膜；将未沉积SiNx薄膜位置的绒面进行抛光处理；抛光后进行第二次制绒，然后...
    2026-02-13
  • 一种太阳能光伏板加工用层压设备
    一种太阳能光伏板加工用层压设备_北京兴明钱铭建筑工程有限公司_202511652759.2
    本发明公开了一种太阳能光伏板加工用层压设备，属于光伏板层压技术领域。一种太阳能光伏板加工用层压设备，包括安置箱，还包括：支撑平台，设置在安置箱的一侧，且支撑平台的顶部还设置有带内槽滑台，带内槽滑台的顶部还设置有旋转机械臂，气动夹持加热结构，...
    2026-02-13
  • 背接触太阳能电池制备方法
    背接触太阳能电池制备方法_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511634254.3
    本申请提供了一种背接触太阳能电池制备方法，包括：将已经完成扩散和刻蚀的电池片等份切割为至少两个分片；对切割后的分片进行表面制绒；对分片的背面、正面进行钝化工艺，并在钝化工艺中于分片的背面、正面和切割面上共同形成钝化层；对形成有钝化层的分片进...
    2026-02-13
  • 一种太阳能电池边缘钝化方法
    一种太阳能电池边缘钝化方法_湖南红太阳光电科技有限公司_202511532854.9
    本发明公开了一种太阳能电池边缘钝化方法，包括以下步骤：步骤S1、电池片切片后置于料盒内堆叠成垛，再将多个料盒置于舟托上，送入PECVD反应腔室中；步骤S2、将反应腔室升温至100℃～300℃，并抽真空；步骤S3、在电池片边缘沉积钝化层；步骤...
    2026-02-13
  • 一种光伏组件制备方法及光伏组件
    一种光伏组件制备方法及光伏组件_无锡奥特维科技股份有限公司_202511488754.0
    本申请提供了一种光伏组件制备方法及光伏组件，包括如下步骤：将第一电池串与第二电池串沿电池串长度方向放置，第一电池串、第二电池串相互靠近的电池片分别为第一电池片和第二端部电池片，第一端部电池片与第二端部电池片之间具有间隙，第一端部电池片、第二...
    2026-02-13
  • 一种提升背接触太阳电池双面率的工艺方法
    一种提升背接触太阳电池双面率的工艺方法_长三角太阳能光伏技术创新中心_202511396071.2
    本发明公开了一种提升背接触太阳电池双面率的工艺方法，其步骤包括双面制绒、双面氧化、背面栅线位置激光去除氧化层、抛光、背面氧化层去除、隧穿氧化层/poly层制备、背面掩膜、P区激光开膜、硼扩撒、掩膜清洗、二次掩膜、N区激光开膜、磷扩散、退火、...
    2026-02-13
  • 一种三台面结构雪崩光电二极管制备方法
    一种三台面结构雪崩光电二极管制备方法_北京工业大学_202511366940.7
    一种三台面结构雪崩光电二极管制备方法属于半导体光电器件领域。在半绝缘InP衬底上外延生长多层结构；经切割清洗后，通过光刻与湿法刻蚀形成终止于第二i‑InAlGaAs渐变层的第一台面；在第一台面沉积SiO22掩膜后，采用干法刻蚀与湿法刻蚀相结...
    2026-02-13
  • 光电探测器的制造方法
    光电探测器的制造方法_上海集成电路研发中心有限公司_202411056088.9
    本发明提供一种光电探测器的制造方法，先在探测器区上依次形成预刻蚀层和第一介质层，然后形成第二介质层，第二介质层覆盖第一介质层和非探测器区；接着，依次刻蚀探测器区上的第二介质层和第一介质层以形成开口，开口暴露出预刻蚀层；接着，以第二介质层为掩...
    2026-02-13
  • 激光控制方法、装置、存储介质、电子设备及激光机
    激光控制方法、装置、存储介质、电子设备及激光机_一道新能源科技股份有限公司_202411051962.X
    本公开涉及一种激光控制方法、装置、存储介质、电子设备及激光机，该方法包括：获取第一加工时间段内待加工的目标工件的多个电压值，并确定该多个电压值的电压值极差和电压值方差，并根据该电压值极差和该电压值方差，调整该激光机在第二加工时间段内的激光烧...
    2026-02-13
  • 电池片串接生产线及串接方法
    电池片串接生产线及串接方法_无锡奥特维旭睿科技有限公司_202411050898.3
    本申请实施例公开了一种电池片串接生产线及串接方法。其中，电池片串接生产线包括分选模块、串接模块以及中转模块，中转模块包括至少一个第一AGV和多个识别单元。通过本申请实施例，利用分选模块对电池片进行分类，按照电池片的规格将电池片放入对应的料盒...
    2026-02-13
  • 电池片烧结与光注入一体化设备
    电池片烧结与光注入一体化设备_一道新能源科技股份有限公司_202411044260.9
    本公开涉及电池片生产制造技术领域，提供一种电池片烧结与光注入一体化设备。电池片烧结与光注入一体化设备包括：位置调整模块，所述位置调整模块用于根据电池片的位置信息将所述电池片调整到预设烧结位置处；烧结模块，所述烧结模块用于对电池片进行烧结处理...
    2026-02-13
  • 一种光伏管式高温设备的反应室
    一种光伏管式高温设备的反应室_东莞嘉拓日晟智能科技有限公司_202411043397.2
    本发明公开了一种光伏管式高温设备的反应室，属于光伏电池片制造设备技术领域，所述反应室包括载片舟单元、内腔体单元、加热器单元、隔热单元和外腔体单元，所述内腔体单元、加热器单元、隔热单元和外腔体单元皆为腔体结构，所述载片舟单元、内腔体单元、加热...
    2026-02-13
  • 一种光电集成式半导体封装结构及其制备方法
    一种光电集成式半导体封装结构及其制备方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202411025833.3
    本发明公开了一种光电集成式半导体封装结构及其制备方法，光电集成式半导体封装结构包括第一重新布线层，金属柱位于第一重新布线层上，金属柱的一端与第一重新布线层电连接。光波导层位于第一重新布线层上，设置于金属柱的外围。中介层位于第一重新布线层上，...
    2026-02-13
  • 2.5D光电芯片堆栈结构的制造方法
    2.5D光电芯片堆栈结构的制造方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202411030228.5
    本发明提供一种2.5D光电芯片堆栈结构的制造方法，在进行硅芯片与TGV光电转接板的键合时，分别对TGV光电转接板的待键合面及硅芯片的待键合面进行SPM溶液的表面平坦化处理以及NaOH溶液的表面活化处理，其中，通过SPM溶液的表面平坦化处理可...
    2026-02-13
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