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最新专利技术
  • 一种内存颗粒的刷新周期自适应方法
    一种内存颗粒的刷新周期自适应方法_深圳市晶存科技股份有限公司_202610010068.0
    本发明涉及数据存储技术领域，公开了一种内存颗粒的刷新周期自适应方法，该方法包括：当发现内存颗粒出现损坏时，调试内存颗粒的刷新周期时间；以预设第一时间作为初始刷新周期时间，使内存颗粒以初始刷新周期时间进行数据读取；若读取到的数据为正确数据，则...
    2026-02-26
  • 存储器系统的温度传感器读出
    存储器系统的温度传感器读出_美光科技公司_202511031101.X
    本公开涉及存储器系统的温度传感器读出。本文中描述将温度传感器数据提供到存储器控制器。一种实例系统包含存储器设备，其包括：存储器装置；控制器，其耦合到所述存储器装置且经配置以：从耦合到所述存储器装置的第一寄存器接收所述存储器装置的温度状态；确...
    2026-02-26
  • 一种提升双器件存储单元密度的位单元逻辑结构和阵列
    一种提升双器件存储单元密度的位单元逻辑结构和阵列_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511541510.4
    本发明公开一种提升双器件存储单元密度的位单元逻辑结构和阵列，属于半导体器件领域。本发明编程管、存储单元和选择管；基于传统1T1M双器件存储单元的位单元逻辑，增加一个外部编程晶体管，原晶体管仅作选择管使用，使得编程晶体管和选择晶体管分离。编程...
    2026-02-26
  • 具有数字线转换速率控制的存储器装置
    具有数字线转换速率控制的存储器装置_美光科技公司_202511040725.8
    本申请涉及具有数字线转换速率控制的存储器装置。本公开描述一种电子装置，其可包含多个存储器单元、多个数字线以及多个感测放大器，所述多个感测放大器各自通过目标数字线耦合到存储器单元且包含输出级。所述输出级可被配置成产生驱动所述目标数字线的输出信...
    2026-02-26
  • 包括辅助晶体管的存储器件及其操作方法
    包括辅助晶体管的存储器件及其操作方法_三星电子株式会社_202511075669.1
    一种存储器件，包括：存储单元阵列，包括连接到第一位线或第一源极线的多个磁存储单元；多个辅助晶体管，连接到第一位线或第一源极线，并且彼此并联连接；以及控制逻辑电路，连接到多个辅助晶体管中的每一个的栅电极。控制逻辑电路可以响应于针对连接到第一字...
    2026-02-26
  • 可选择字线驱动器
    可选择字线驱动器_美光科技公司_202511039726.0
    本公开涉及可选择字线驱动器。一种存储器装置包含：一或多个存储器单元；全局字线；多条局部字线，其各自耦合到所述一或多个存储器单元中的相应存储器单元；字线晶体管，其耦合到所述全局字线及所述多条字线中的局部字线；及电压产生电路系统。所述电压产生电...
    2026-02-26
  • 一种感测电路、存储器及其访问控制方法、电子设备
    一种感测电路、存储器及其访问控制方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411046574.2
    一种感测电路、存储器及其访问控制方法、电子设备，感测电路包括：第一感测放大器、第二感测放大器、第一参考存储单元、第一选通子电路、第二参考存储单元和第二选通子电路，第一参考存储单元连接第一参考位线，再通过第一选通子电路连接到第一感测放大器的第...
    2026-02-26
  • 存储电路、存储器及其访问方法、电子设备
    存储电路、存储器及其访问方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411045928.1
    一种存储电路、存储器及其访问方法、电子设备，存储电路包括：第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管的栅电极包括：第一栅电极和第二栅电极，第一晶体管的第一栅电极与读字线电连接，第一晶体管的第二栅电极与存储节点电连接，第一晶体管的第一极与位线电连接，...
    2026-02-26
  • 非易失存储器及其状态寄存器写操作的控制方法、系统
    非易失存储器及其状态寄存器写操作的控制方法、系统_上海优村科技有限公司_202512013475.5
    本公开提供了一种非易失存储器及其状态寄存器写操作的控制方法、系统，所述非易失存储器包括围绕存储单元阵列布设的外围阵列，所述外围阵列外侧依次设有感测放大器、Y方向选择器和外围电路；所述外围电路中设有外围状态寄存器阵列；所述存储单元阵列中的目标...
    2026-02-26
  • 用于实现多维光电路交换结构的方法和装置
    用于实现多维光电路交换结构的方法和装置_爱思开海力士有限公司_202511570219.X
    本发明公开一种数据处理电路，其包括：适用于分别并行地将多个输入位组转化为多个输出位组的多个转化块，其中，每个转化块通过使用随机模式将相应的输入位组转化为相应的输出位组。
    2026-02-26
  • 存储器装置和存储系统
    存储器装置和存储系统_爱思开海力士有限公司_202411878156.X
    本公开涉及存储器装置和存储系统。一种存储器装置包括：存储单元阵列，其包括多个单元块，每个单元块包括多个存储单元并与相邻单元块共用子字线驱动器；数据输入/输出电路，其被配置为通过多个数据焊盘来输入和输出对应于所述多个单元块的数据；以及映射电路...
    2026-02-26
  • 存储器装置和感测电流放大电路
    存储器装置和感测电流放大电路_爱思开海力士有限公司_202511075923.8
    本文中提供了一种存储器装置和感测电流放大电路。存储器装置可以包括存储器单元、通过位线连接到存储器单元的页面缓冲器电路以及用于控制存储器单元和页面缓冲器电路的操作的控制逻辑。页面缓冲器电路可以包括连接到感测节点的感测电流放大电路，感测节点连接...
    2026-02-26
  • 灵敏放大器电路、存储器及其读操作模块
    灵敏放大器电路、存储器及其读操作模块_上海优村科技有限公司_202512032903.9
    本公开提供了一种灵敏放大器电路、存储器及其读操作模块，灵敏放大器电路包括钳位电路和基准电流比较电路；钳位电路用于基于预充电控制信号、位线读操作电压、第一参考电压和存储器的电源电压，输出数据位线电压至存储阵列中的目标存储单元，并将数据位线电压...
    2026-02-26
  • 具有可配置上拉及下拉放大器的电压驱动器
    具有可配置上拉及下拉放大器的电压驱动器_美光科技公司_202511055607.4
    本申请案涉及具有可配置上拉及下拉放大器的电压驱动器。例如，驱动器可配置有单位增益配置中的上拉(例如流出)放大器及下拉(例如吸收)放大器，其中此类放大器的输出以电并联布置关联。所述下拉放大器可与相对较低电压关联以支持吸收电压调节范围的低端，且...
    2026-02-26
  • 具有窗口居中的存储器装置
    具有窗口居中的存储器装置_美光科技公司_202511054379.9
    本公开涉及具有窗口居中的存储器装置。各种应用可包含具有三维3D存储器装置的设备，所述3D存储器装置具有用于0及1感测的窗口居中机制。3D存储器装置可经构造以实施窗口居中方案以将电荷添加到感测放大器的参考侧，使得工艺窗口在所述感测放大器的参考...
    2026-02-26
  • 用于存储器装置中的多个断电和退出模式的设备和方法
    用于存储器装置中的多个断电和退出模式的设备和方法_美光科技公司_202511038070.0
    本公开涉及用于存储器装置中的多个断电和退出模式的设备和方法。一种存储器装置可在多个断电模式下操作。第一断电模式通过将一或多个命令地址CA输入缓冲器完全断电(例如，关闭)来将存储器排断电。第二断电模式通过将一或多个命令地址CA输入缓冲器不完全...
    2026-02-26
  • 用于存储器设备的基于电感器的电压转换器
    用于存储器设备的基于电感器的电压转换器_美光科技公司_202511015933.2
    本公开涉及用于存储器设备的基于电感器的电压转换器。本公开提供用于具有基于电感器的电压转换器的存储器系统的设备及方法，所述基于电感器的电压转换器集成于所述存储器系统的控制器的多层衬底内，或电源管理集成电路PMIC的多层衬底内，或既集成于所述存...
    2026-02-26
  • 存储系统、电子设备和电子设备的操作方法
    存储系统、电子设备和电子设备的操作方法_三星电子株式会社_202510534717.2
    本公开涉及存储系统、电子设备和电子设备的操作方法。一种电子设备包括控制器和电源。控制器存储包括用于多个操作的栅极信号频率和功率晶体管的数量的表，并且基于该表和执行操作的操作请求，输出包括用于操作的栅极信号频率和用于操作的功率晶体管的数量中的...
    2026-02-26
  • 存算一体芯片
    存算一体芯片_中电海康集团有限公司_202411015042.2
    本发明提供一种存算一体芯片，包括：存算阵列，按列分为q组，每组包括M列，每组的M列分别用于按位存储M比特权重矩阵的一列权重，还用于实现N比特输入向量和M比特权重矩阵的乘加计算；行驱动模块，用于将N比特输入向量转换为电压脉冲形式，分周期地输入...
    2026-02-26
  • 一种用于SSD的智能相变导热垫及其制备方法
    一种用于SSD的智能相变导热垫及其制备方法_深圳市领德创科技有限公司_202511950470.9
    本申请提供了一种用于SSD的智能相变导热垫及其制备方法，属于电子设备散热领域。该智能相变导热垫包括：弹性基体，由下层芯片接触层和上层散热器接触层组成，下层芯片接触层由有机硅橡胶填充六方氮化硼纳米片组成，上层散热器接触层由有机硅橡胶填充碳纤维...
    2026-02-26
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