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  • 本发明公开了一种应用硅胶的通信芯片封装设备及使用方法,涉及芯片封装设备技术领域,该设备包括底座、下模具、上模具、支撑架、喷头,一组所述喷头设置有多个,多个所述喷头纵向等距滑动连接在底座的内部,所述喷头的外壁固定连接有环形板,所述环形板通过螺...
  • 本发明涉及芯片封装技术领域,提供了一种芯片加工用封装设备,包括:底座,底座的顶部设置有挤塑部件,底座内设置有输送组件,底座在输送组件的顶部开设有通槽一,底座的顶部固定连接有操作板,底座在操作板的一侧设置有输送空间,底座在输送空间的一侧固定连...
  • 本公开涉及一种半导体器件及其制备方法。该半导体器件的制备方法包括以下步骤:于衬底上形成叠层结构;刻蚀叠层结构,形成沟槽;于沟槽内形成填充沟槽的栅极;于栅极背离衬底的表面形成保护层;于叠层结构背离衬底的表面形成覆盖保护层的绝缘材料层;研磨绝缘...
  • 本申请涉及一种芯片、芯片模组及终端。该包括基板和至少一个IO PAD组,IO PAD组包括至少两层IO PAD层,IO PAD层包括至少一个同向设置的IO PAD,IO PAD包括第一端和第二端,第一端的电压值大于或等于第一阈值,第二端的电...
  • 本发明公开了一种回转体曲面纳米银的均匀烧结方法,包括:根据不同的激光反射角对平面纳米银进行分区域烧结,根据烧结后不同区域纳米银的电阻,确定最优激光烧结参数;根据最优激光烧结参数,将回转体纳米银划分成若干个烧结条带,得到每个烧结条带对应的激光...
  • 本发明提供一种芯片贴片方法,涉及半导体封装技术领域,通过“初对位‑精对位‑定位‑贴片”的完整流程,依托芯片对位系统同步采集芯片上部图案区与底部前端切割边并建立位置关联,结合具备上下同步采集能力的定位系统,实现芯片对位系统与定位系统的联动:针...
  • 本发明公开了一种互联焊盘结构、制备方法及电子封装组件,互联焊盘结构包括:刚性金属芯体;覆盖于所述刚性金属芯体至少一个主表面的可焊接层;设于所述刚性金属芯体与所述可焊接层之间的应力缓冲层;所述刚性金属芯体的热导率比所述应力缓冲层的热导率大,所...
  • 本发明公开了一种电镀凸块的制备方法和芯片,制备方法包括:提供基底;基底包括位于基底的表面、露出导电结构的第一开口;在基底的表面形成第一光阻层,并在第一开口上方的第一光阻层形成第二开口;在第二开口形成第一金属凸块;在形成第一金属凸块后,去除第...
  • 本发明公开了一种电镀钯重布线层‑化镀镍金凸块结构及制作方法,涉及半导体制造技术领域,该电镀钯重布线层‑化镀镍金凸块结构及制作方法,包括从下向上设置的晶圆、铝垫导电层、绝缘层、第一溅射UBM钛钨层、第一溅射UBM金层、电镀钯重布线层、聚酰亚胺...
  • 本发明涉及半导体封装技术领域,尤其是涉及一种混合键合封装结构及其制备方法。包括至少位于第一键合介质凸块一个侧表面的第一键合金属层,至少位于第二键合介质凸块一个侧表面的第二键合金属层,从而将混合键合中的金属‑金属的键合界面设置为纵向,打破了常...
  • 本发明提供一种半导体封装结构及其制备方法,所述结构包括金属凸块、重布线层、第一芯片、芯片叠加体、虚拟散热片、引线、塑封层、顶部导电层、金属散热层;在本结构中,芯片叠加体通过虚拟散热片连接暴露于空气中的金属散热层,从而使得芯片叠加体产生的热量...
  • 本发明公开了一种提高IO疏密排列电镀共平面性的方法,包括以下步骤:提供芯片,芯片的表面具有IO密区和IO疏区;在芯片的IO疏区的范围内涂覆临时胶,在芯片的IO密区的范围内涂覆第一光刻胶,在临时胶背离芯片的一侧涂覆第二光刻胶;通过曝光、显影使...
  • 本发明公开了一种基于Cu‑Sn键合的三层封装结构及其制备方法,所述方法包括:在第一衬底、第二衬底和第三衬底的上表面制作TSV孔;制作TSV孔侧壁以及各衬底上表面的绝缘层;在TSV孔中填充导电材料;在各衬底的上表面和下表面制作金属膜层;在第二...
  • 本发明涉及半导体制造工艺技术领域,尤其涉及一种用于半导体器件的封装方法,包括:将半导体芯片安装至基板;在基板的第二表面上进行焊膏印刷后放置若干焊球,并将焊球焊接在第二表面上,得到半成品组件;根据焊球的均匀表征值判定焊球的成形不达标时增大预设...
  • 本发明公开了一种连接有功放芯片的TR组件及其工艺装配方法,包含:S1,对TR组件盒体和钼铜垫片进行预清洗;S2,使用纳米铜膏连接TR组件盒体和钼铜垫片,并对TR组件盒体‑钼铜垫片连接体进行第一次烧结;S3,对第一次烧结后的TR组件盒体‑钼铜...
  • 本发明涉及半导体器件封装技术领域,尤其为一种半导体器件的快速封装装置及其使用方法,包括基台,基台上端固定连接有中间架,中间架上端中间固定连接有基板存储单元,基板存储单元下端安装有基板上料板,基板上料板下端安装有对接单元,对接单元下端转动连接...
  • 本发明公开了一种用于大尺寸封装基板的叠构及制造方法,包括:第一芯板, 第一芯板上下表面间隔设置有垂直隔垫;堆叠于所述第一芯板上的附加芯板,所述附加芯板至少设置有一个;在所述中间芯垂直方向开设有第一通孔,所述第一通孔被绝缘材料填充;贯穿于所述...
  • 本发明公开了一种以铜键合方法的大尺寸封装基板叠构及制作方法,基板叠构包括:第一芯板,所述第一芯板设置有第一导通线路,所述第一芯板的顶部表面设置有多个上第一铜柱;第二核心层,所述第二核心层设置有第二导通线路,第二核心层底部表面设置有多个第二铜...
  • 电子装置及制造电子装置的方法。在一个实例中,一种电子装置包括:衬底,其包括第一侧和与所述第一侧相对的第二侧,其中所述衬底在所述衬底的所述第一侧上包括凹坑;电子组件,其在所述衬底的所述第一侧上方;包封体,其在所述衬底的所述第一侧上方且覆盖所述...
  • 本发明公开一种玻璃中介层堆叠基板及半导体封装结构,该玻璃中介层堆叠基板将传统单一基板拆分为独立的不同玻璃材质的玻璃子基板,通过金属键合堆叠并填充填充材料,形成多玻璃材质集成的中介层基板;如此,子基板可并行加工,简化多层堆叠工艺,降低对准偏差...
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