Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
最新专利技术
  • 本发明涉及一种具有防污染功能的半导体处理装置。所述具有防污染功能的半导体处理装置包括:箱体,包括外壳、顶盖和内衬层,所述外壳围合形成处理腔室,所述顶盖与所述外壳连接,以封闭所述处理腔室,所述内衬层覆盖于所述外壳朝向所述处理腔室的整个内壁上并...
  • 本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种基于APCVD工艺的硅片倒角部位LTO层去除方法,包括以下步骤:利用约束型气流场,在硅片倒角区域形成一层稳定的、可调控的反应气溶胶薄膜或低温等离子体域;使用精确聚焦的飞秒激光,通过多光子吸收效应,仅...
  • 本发明提供了一种多介质切换的半导体喷淋设备,包括密封机体,所述密封机体的中部设置有预载安装板,所述预载安装板将所述密封机体分隔为位于上部的入料层和位于下部的喷淋层,所述预载安装板的外侧设置有入料移栽机构,所述预载安装板上设置有旋转对中对位机...
  • 本公开提供一种半导体结构的制备方法与半导体结构,涉及半导体技术领域。该方法包括:提供晶圆,所述晶圆包括衬底,所述衬底上设置有基础层;在所述基础层上形成硬掩膜层,所述硬掩膜层从下到上依次包括第一氧化硅层、多晶硅层、第二氧化硅层、碳层;在所述硬...
  • 本发明涉及半导体光刻技术领域,公开一种填充回刻获得光刻负图形的方法和光刻负图形,获得光刻负图形的方法包括以下步骤:S1、在衬底上形成介质层,在所述介质层上通过光刻和刻蚀形成第一图形结构;S2、采用含碳材料填充所述第一图形结构并在所述介质层上...
  • 本发明涉及半导体检测技术领域,提供一种半导体晶圆翘曲度的检测方法和装置,该方法,包括:向半导体设备反应腔的观察窗发射一束激光;使激光的一部分经观察窗部分反射形成参考反射光束,激光的另一部分透射到半导体设备反应腔中的晶圆的表面,再由晶圆的表面...
  • 本申请提供了一种漏电监测结构及方法,属于半导体技术领域,包括第一监测结构和第二监测结构,第一监测结构包括第一阱区、第一隔离结构及第一有源区,第一有源区的周长与MOS管的有源区的周长相等或与MOS管的有源区内的源区和漏区的周长之和相等;第二监...
  • 本发明涉及半导体检测技术领域,提供一种半导体晶圆薄膜厚度的检测方法、装置和系统。该方法包括:在发射光路中,向半导体反应腔内的晶圆表面发射入射光束;在主接收光路中,获取晶圆表面反射的主通道信号,主接收光路与发射光路在晶圆表面形成共焦关系;对主...
  • 本发明提供了一种晶圆抽片检测管理方法、系统、电子设备和存储介质,该方法包括:根据晶圆生产线上的各个工程站点的设备信息和各个缺陷检测站点的位置信息,创建数据库;针对每个缺陷检测站点,根据数据库确定出该缺陷检测站点所对应的所有工程站点;根据各批...
  • 本发明公开了一种集成电路动态裂纹检测系统,包括:芯片,所述芯片设置有工作区域,所述工作区域设置有至少一个核心功能IP和至少一个非核心功能IP;检测环单元,围绕所述工作区域边缘、所述核心功能IP的边缘和所述非核心功能IP的边缘布置,其被配置为...
  • 本发明提供了一种工艺腔室的判定方法及装置,属于半导体制造技术领域。工艺腔室的判定方法,包括:提供衬底硅片,对衬底硅片的M个区域的金属污染值进行测量,得到第一测量结果;固定所述衬底硅片的V‑型槽位置,通过多个工艺腔室在所述衬底硅片上制备外延层...
  • 本发明公开了一种利用PFG监控离子注入过程中金属污染的方法及离子注入机PFG金属污染监控系统。方法包括:提供一P型半导体晶圆,所述P型半导体晶圆经离子注入、退火处理;在离子注入处理中采用等离子枪作为电子源中和所述P型半导体晶圆表面的正电荷;...
  • 本公开实施例提供了一种用于检测薄膜沉积异常的装置和方法,该装置包括:第一测量单元,被配置为用于在薄膜沉积工艺之前,测量半导体晶圆的预沉积翘曲度;第二测量单元,被配置为用于在所述薄膜沉积工艺之后,测量所述半导体晶圆的后沉积翘曲度;以及处理器,...
  • 本发明公开一种晶圆检测装置及方法,装置包括依次叠设的基座、减震组件和装置主体,装置主体含安装框架及其上的顶升、位移旋转、读码寻边、厚度量测组件;位移旋转组件包括Y轴运动机构与滑动设置于其上的回转机构,Y轴运动机构上设第一、第二工位,回转机构...
  • 本发明公开了一种基于高精度气浮式单轴螺旋运动的大中空检测装置及方法,涉及超高精度检测设备技术领域,其包括:直线驱动组件,具有至少一直线位移动能输出端;旋转驱动组件,具有定位基础部以及旋转装配设于所述定位基础部的旋转动能输出端,所述定位基础部...
  • 本发明涉及光伏组件管理的技术领域,具体为一种切片双玻光伏组件的低损耗集成方法,包括:构建切片组件基础结构并确定重组区间;并分别建立代重组区间集合以及空队列,并分别确定队列的头尾元素,根据队列中的元素与待重组区间集合中的区间的余弦相似度,进行...
  • 本发明提出一种具有复合式旋转升降结构的晶圆检测设备及检测方法,该设备包括包括外部支撑组件、内部支撑组件、横向移载组件、旋转升降组件、晶圆载托组件及扫描检测组件,该晶圆检测设备采用旋转电机通过齿轮传动结构驱动旋转内筒带动花键筒旋转,同时升降电...
  • 本发明提供一种半导体测试结构及测试方法,该测试结构包括基底、虚拟栅极组及测试区,其中,虚拟栅极组位于基底上方,包括在第一方向上具有间距且均至少沿第二方向延伸的第一虚拟栅极及第二虚拟栅极,第二方向垂直于第一方向,测试区形成于基底中,且测试区在...
  • 本发明公开了一种晶圆定位平台、晶圆定位方法,晶圆定位平台包括升降板、晶圆定位机构和晶圆旋转加热吸附承载台,晶圆定位机构包括多个环设在晶圆旋转加热吸附承载台外周并同步运动的顶爪组件,多个顶爪组件在打开状态下上升至晶圆外侧,顶爪组件从打开状态切...
  • 本发明提供一种晶圆键合装置、晶圆键合方法、晶圆键合装置的加工方法及一种计算机可读存储介质。所述晶圆键合装置包括:吸嘴座,包括抽气通道及安装平台,安装平台包括第一台阶及第二台阶,其中,所述第一台阶的上表面与所述第二台阶的上表面相互平行,所述第...
技术分类