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最新专利技术
  • 一种氮化铝复合衬底及其制备方法、半导体器件
    一种氮化铝复合衬底及其制备方法、半导体器件_江苏第三代半导体研究院有限公司_202511563954.8
    本发明公开一种氮化铝复合衬底及其制备方法、半导体器件。该制备方法包括如下步骤：在异质衬底上依次形成牺牲层与氮化铝外延层；通过键合胶在氮化铝外延层上临时键合支撑衬底，得到第一键合结构；解离牺牲层使第一键合结构的异质衬底与氮化铝外延层分离，得到...
    2026-02-14
  • 在衬底上形成图案化的功能性纳米颗粒的方法
    在衬底上形成图案化的功能性纳米颗粒的方法_香港大学_202510992503.X
    一种在衬底上形成图案化的功能性纳米颗粒的方法，所述方法包括以下步骤：用一种材料涂覆衬底，使得其是正电性的，对所涂覆的衬底执行光刻工艺，以形成在待定位ND的位置具有图案化孔阵列的模板，在所述模板的表面上滴加一定量的含有ND的液体，并保持所述模...
    2026-02-14
  • 基板键合方法以及基板键合装置
    基板键合方法以及基板键合装置_细美事有限公司_202510453420.3
    本发明提供基板键合方法以及基板键合装置。根据本发明的基板键合方法包括：在安装于下卡盘的尺度板装载第一基板的步骤；测定在第一基板中包括针对第一水平轴的第一尺度变形量及针对垂直于第一水平轴的第二水平轴的第二尺度变形量的第一位置信息的步骤；在与下...
    2026-02-14
  • 一种阻变存储器及其制作方法
    一种阻变存储器及其制作方法_钠存科技(杭州)有限公司_202511638689.5
    本申请提供了一种阻变存储器及其制作方法，涉及阻变存储器技术领域。首先提供一基体结构，其中，基体结构包括垂直通孔及通孔上方的层间介质层，之后对基体结构进行刻蚀，并在垂直通孔区域形成倒梯形沟槽；然后基于倒梯形沟槽的底部沉积下电极；再基于下电极的...
    2026-02-14
  • 一种RRAM存储器及其制作方法
    一种RRAM存储器及其制作方法_钠存科技(杭州)有限公司_202511638688.0
    本申请提供了一种RRAM存储器及其制作方法，涉及存储器技术领域。该RRAM存储器包括：底部结构；其中，底部结构包括金属层；位于金属层上的下电极；分别位于下电极顶部两侧的第一存储结构与第二存储结构；其中，第一存储结构与第二存储结构均包括逐层设...
    2026-02-14
  • 一种穿刺PDMS薄膜制备的纳米流体忆阻器及其力-电耦合调控系统与方法
    一种穿刺PDMS薄膜制备的纳米流体忆阻器及其力-电耦合调控系统与方法_东南大学_202511498286.5
    本发明涉及微纳电子器件技术领域，具体涉及一种穿刺PDMS薄膜制备的纳米流体忆阻器及其力‑电耦合调控系统与方法。忆阻器由带窗口的硅基底与覆盖其上的PDMS薄膜构成，利用三自由度探针台驱动钨探针在光学显微镜下对PDMS薄膜进行纳米级穿刺，形成具...
    2026-02-14
  • 一种导电丝型阈值转换器件及其制备方法
    一种导电丝型阈值转换器件及其制备方法_华中科技大学_202511463953.6
    本发明涉及一种导电丝型阈值转换器件及其制备方法，属于微电子技术领域。本发明导电丝型阈值转换器件从下到上依次为底电极、石墨烯层、功能层、顶电极。功能层为氧化处理后的二维ZrSe22材料，为导电丝生长与断裂的区域。石墨烯层一方面用于改善功能层与...
    2026-02-14
  • 一种半导体结构、存储器系统及半导体结构的制备方法
    一种半导体结构、存储器系统及半导体结构的制备方法_新存科技(武汉)有限责任公司_202311872727.4
    本公开实施例提供了一种半导体结构、存储器系统及半导体结构的制备方法，其中，半导体结构包括：沿第一方向延伸的第一导电线、沿第二方向延伸的第二导电线以及沿第三方向设置于第一导电线和第二导电线之间的相变存储单元，其中，第一方向和第二方向均垂直于第...
    2026-02-14
  • 一种BiSe自选通材料及自选通器件
    一种BiSe自选通材料及自选通器件_中国科学院上海微系统与信息技术研究所_202511421051.6
    本发明涉及一种BiSe自选通材料及自选通器件，所述自选通材料的化学通式为BixxSeyy，其中0.1≤x≤0.2, 0.8≤y≤0.9，x+y＝1。本发明基于BiSe自选通材料制备的自选通器件兼具低毒性、高性能和工艺兼容性，且降低了器件堆叠...
    2026-02-14
  • 一种超导整流器、超导二极管及其制造和控制方法
    一种超导整流器、超导二极管及其制造和控制方法_南京大学_202610001869.0
    本发明公开了一种超导整流器、超导二极管及其制造和控制方法，属于超导电子学技术领域，该超导整流器包括一个以上的超导二极管，超导二极管包括绝缘衬底以及超导纳米线，超导纳米线上设有收窄段，收窄段上连接有第一栅极线和第二栅极线，第一栅极线与第二栅极...
    2026-02-14
  • 霍尔电阻网络及其形成方法
    霍尔电阻网络及其形成方法_苏州矩阵光电有限公司_202512053266.3
    本申请涉及半导体集成电路设计及制造领域，具体涉及一种霍尔电阻网络及其形成方法，该霍尔电阻网络至少包括第一霍尔元件和霍尔补偿网络，第一霍尔元件和霍尔补偿网络串联连接，霍尔补偿网络用于对第一霍尔元件在恒压驱动模式下产生的温度漂移进行补偿，霍尔补...
    2026-02-14
  • 两差分2D霍尔集成芯片及其设计方法
    两差分2D霍尔集成芯片及其设计方法_苏州矩阵光电有限公司_202512047619.9
    本发明提供一种两差分2D霍尔集成芯片及其设计方法，仅需要四个同一平面设置的霍尔芯片以及相应的聚磁体，结构简单紧凑、稳定性高，容易实现微型封装；两组差分霍尔对独立正常工作，分别输出单个方向上的差分信号，且当每组霍尔芯片上设置的两个聚磁体在其对...
    2026-02-14
  • 一种霍尔传感器及其封装方法
    一种霍尔传感器及其封装方法_苏州矩阵光电有限公司_202512056453.7
    本申请提供一种霍尔传感器及其封装方法，涉及霍尔效应技术领域，包括具有三个正交面的基底，三个正交面两两正交且相接，在基底的每个正交面均贴附有一个霍尔裸芯片。由此，利用霍尔裸芯片小体积、小尺寸的特点，使得贴附于基底上的霍尔裸芯片能够在空间上具有...
    2026-02-14
  • 一种垂直方向敏感的霍尔传感框架结构及其制备方法
    一种垂直方向敏感的霍尔传感框架结构及其制备方法_苏州矩阵光电有限公司_202512051817.2
    本申请涉及一种垂直方向敏感的霍尔传感框架结构及其制备方法，包括衬底和磁敏传感组件；磁敏传感组件包括第一聚磁结构、层状导体结构和第二聚磁结构，第一聚磁结构与第二聚磁结构，沿垂直于层状导体结构的方向布置于层状导体结构的两侧，第二聚磁结构设置在衬...
    2026-02-14
  • 芯片的贴装方法及贴装结构
    芯片的贴装方法及贴装结构_苏州矩阵光电有限公司_202512049459.1
    本发明提供一种芯片的贴装方法及贴装结构，贴装方法包括：提供一基底，基底上设有至少一凹陷区，凹陷区的尺寸被配置为足够容纳芯片的尺寸以及芯片贴装位置误差尺寸，且凹陷区域至少包含一限制芯片位移的精确位置；将芯片放置于所述凹陷区内；通过位移机构将芯...
    2026-02-14
  • 批量精准贴装芯片的方法
    批量精准贴装芯片的方法_苏州矩阵光电有限公司_202512047802.9
    本发明提供一种批量精准贴装芯片的方法，包括：将整片的待贴装芯片粘贴于一基底膜上，基底膜上设有凸台结构，且凸台结构顶面上设置有第一对位标记；基于目标晶圆上的芯片布局，对待贴装芯片进行切割，以在基底膜上形成多个独立的芯片；将切割后的待贴装芯片与...
    2026-02-14
  • 一种薄膜元件及其制备方法
    一种薄膜元件及其制备方法_苏州矩阵光电有限公司_202512057212.4
    本申请提供一种薄膜元件及其制备方法，其中薄膜元件，包括功能薄膜层；功能薄膜层包括第一薄膜区、第二薄膜区和第三薄膜区，其中：第二薄膜区的内侧与第一薄膜区的外侧边缘贴合；第二薄膜区包括设置在第二薄膜区的外侧拐角处的第三弧形部；第三薄膜区包括第二...
    2026-02-14
  • 基于层间滑移的抗疲劳多铁器件、其仿真构建方法及应用
    基于层间滑移的抗疲劳多铁器件、其仿真构建方法及应用_武汉大学_202511556755.4
    本发明涉及电子器件的技术领域，具体涉及一种基于层间滑移的抗疲劳多铁器件、其仿真构建方法及应用，包括左电极区和右电极区以及与两端电极相连接的中心散射区；中心散射区包括铁电层和反铁磁层，所述铁电层和反铁磁层通过范德华力堆叠，所述铁电层为多层结构...
    2026-02-14
  • 用于声学传感器应用的压电材料及相关器件
    用于声学传感器应用的压电材料及相关器件_罗伯特·博世有限公司_202511056851.2
    本公开涉及用于声学传感器应用的压电材料及相关器件。本文公开了一种微机电系统(MEMS)器件，其包括第一电极层、氮化铝基压电层、以及第二电极层。氮化铝基压电层包括化学式AlxxScyyYbzz的压电材料，其中x+y+z＝1。还公开了包含该压电...
    2026-02-14
  • 一种压电陶瓷复合材料及其制备方法
    一种压电陶瓷复合材料及其制备方法_景德镇市华奕达电子有限公司_202511644807.3
    本发明公开了一种压电陶瓷复合材料及其制备方法。所述复合材料为1‑3型或2‑2型结构，压电陶瓷相体积分数为30%～90%，并可具备大厚度、大面积及曲面构型。其制备方法包括：陶瓷切块、一次切割形成陶瓷柱/板阵列、一次灌胶填充柔性聚合物、二次切割...
    2026-02-14
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