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最新专利技术
  • 用于火焰探测与识别的氧化镓薄膜双阵列器件组及其制备方法、应用
    用于火焰探测与识别的氧化镓薄膜双阵列器件组及其制备方法、应用_西安电子科技大学_202511524117.4
    本发明公开了一种用于火焰探测与识别的氧化镓薄膜双阵列器件组及其制备方法、应用，属于半导体光电器件与火焰监测技术领域。该器件组包含两个功能互补、结构独立的阵列：基于高温退火蓝宝石衬底生长的取向一致Ga22O33紫外探测器阵列，用于对火焰日盲紫...
    2026-02-16
  • 一种改进型多波段融合视觉传感器
    一种改进型多波段融合视觉传感器_天津津航计算技术研究所_202511606598.3
    本申请提供一种改进型多波段融合视觉传感器，包括：第一像素阵列层配置为采集和处理可见光信号，并集成有动态模式切换电路，可根据环境光照强度自动切换工作模式适配不同光照条件下的成像需求；第二像素阵列层配置为采集和处理红外光信号，包括主SPAD阵列...
    2026-02-16
  • 图像传感器的制备方法及图像传感器
    图像传感器的制备方法及图像传感器_苏州山河光电科技有限公司_202511524902.X
    本申请提供一种图像传感器的制备方法及图像传感器，制备方法包括如下步骤：提供一传感器芯片，所述传感器芯片具有像素阵列区、位于所述像素阵列区周侧的焊盘区，所述焊盘区具有若干焊盘；在所述传感器芯片的受光面形成覆盖所述像素阵列区和焊盘区的一层透明介...
    2026-02-16
  • 量子点红外探测器晶圆级封装方法
    量子点红外探测器晶圆级封装方法_昆明物理研究所_202511486095.7
    本发明的量子点红外探测器晶圆级封装方法包括：提供读出电路晶圆；在读出电路晶圆上涂敷量子点光电转换薄膜，在量子点光电转换薄膜上制作上电极，上电极覆盖芯片光电转换活性区，在上电极上制作有薄膜封装层，薄膜封装层为无机层和有机层的多层结构，其中无机...
    2026-02-16
  • 一种嵌入式图像传感器封装结构及其封装方法
    一种嵌入式图像传感器封装结构及其封装方法_广西欣亿光电科技有限公司_202510709013.4
    本发明涉及图像传感器封装领域，尤其涉及一种嵌入式图像传感器封装结构及其封装方法。本发明的一种嵌入式图像传感器封装结构，通过密封胶将围挡框与透光片牢牢固定封装在一起，利用高弹封胶的弹性特征为基板上封装的芯片模组提供散热和缓冲减震效果，芯片模组...
    2026-02-16
  • 一种具有垂直堆叠半导体型光敏浮栅的光电突触
    一种具有垂直堆叠半导体型光敏浮栅的光电突触_重庆大学_202511567876.9
    本发明涉及一种具有垂直堆叠半导体型光敏浮栅的光电突触，属于仿生光电子器件技术领域。其包括衬底、源极、漏极、第一栅电极、沟道层以及位于第一栅电极与沟道层之间的第一垂直堆叠光敏浮栅，第一垂直堆叠光敏浮栅包括垂直堆叠的至少两个半导体光敏层和至少三...
    2026-02-16
  • 高增益4H-SiC紫外位置敏感探测器及其制备方法
    高增益4H-SiC紫外位置敏感探测器及其制备方法_北京工业大学_202511626273.1
    本发明提供了一种高增益4H‑SiC紫外位置敏感探测器及其制备方法，涉及半导体光电探测技术领域。通过第一n型4H‑SiC层、p型4H‑SiC层以及第二n型4H‑SiC层，即n++‑p‑n‑‑结构实现了一种高增益4H‑SiC紫外位置敏感探测器，...
    2026-02-16
  • 一种基于半导体表面等离激元的长波长光子探测器件和探测方法
    一种基于半导体表面等离激元的长波长光子探测器件和探测方法_复旦大学_202511511694.X
    本发明涉及一种基于半导体表面等离激元的长波长光子探测器件和探测方法，该探测器件包括衬底层，衬底层上设有亚波长OMSM结构，亚波长OMSM结构包括半导体层，半导体层上的两端设有相对的左金属电极与天线层和右金属电极与天线层，左金属电极与天线层和...
    2026-02-16
  • 谱宽可调近红外雪崩光电探测器及其制备方法
    谱宽可调近红外雪崩光电探测器及其制备方法_西南技术物理研究所_202511675232.1
    本发明属于光电探测器技术领域，公开了一种谱宽可调近红外雪崩光电探测器及其制备方法，从下至上依次包括绝缘体上硅衬底、本征硅层、p型硅电荷区、锗硅合金层；绝缘体上硅衬底上表面、本征硅层台面结构、锗硅合金层台面结构由氧化介质层包覆；氧化介质层外表...
    2026-02-16
  • 一种中波红外碲镉汞雪崩光电探测器及其制备方法
    一种中波红外碲镉汞雪崩光电探测器及其制备方法_南通大学_202511296290.3
    本发明公开了一种中波红外碲镉汞雪崩光电探测器及其制备方法，属于光电探测器技术领域，器件结构包括与倍增区横向区域重合的高Cd组分HgCdTe势垒层和位于倍增区纵向区域的垂直刻槽；制备方法包括采用分子束外延(MBE)技术生长含有势垒层的HgCd...
    2026-02-16
  • 一种GaAs基低电容高带宽PIN光电二极管及其制备方法
    一种GaAs基低电容高带宽PIN光电二极管及其制备方法_福建慧芯激光科技有限公司_202512048942.8
    本发明公开了一种GaAs基低电容高带宽PIN光电二极管及其制备方法，涉及半导体技术领域，所述PIN光电二极管包括GaAs衬底、变形生长层、InP基PIN功能层；所述变形生长层用于实现GaAs衬底到InP基PIN功能层的晶格常数过渡；所述In...
    2026-02-16
  • 一种基于透明导电材料的可见-短波宽光谱InGaAs探测器及其制备方法
    一种基于透明导电材料的可见-短波宽光谱InGaAs探测器及其制备方法_昆明物理研究所_202511463385.X
    本发明公开了一种基于透明导电材料的可见‑短波宽光谱InGaAs探测器及其制备方法，涉及红外探测器技术领域。所述探测器的结构从下向上依次包括1‑‑InGaAs探测器专用读出电路芯片、2‑‑铟柱及填充物、3‑‑金属电极、4‑‑P型扩散区、5‑‑...
    2026-02-16
  • 一种顶入射结构短波红外光电探测器件、制备方法及应用
    一种顶入射结构短波红外光电探测器件、制备方法及应用_华中科技大学_202511562355.4
    本发明属于光电材料技术领域，并具体公开了一种顶入射结构短波红外光电探测器件、制备方法及应用。包括自下而上依次布置的石英衬底、ITO底电极层、n型ZnO功能层、合金薄膜吸光层、保护层以及ITO顶电极层；ITO顶电极层为透明导电ITO薄膜层，I...
    2026-02-16
  • 一种光伏组件
    一种光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511843624.4
    本申请提供一种光伏组件，涉及光伏技术领域，光伏组件包括电池串、汇流条以及导电件，电池串包括电池片和引出焊带，引出焊带与电池片电性连接，引出焊带包括延伸出电池片的引出部，汇流条的部分结构位于电池片的背光侧，且汇流条与引出部电性连接，导电件位于...
    2026-02-16
  • 一种太阳能电池组件及光伏系统
    一种太阳能电池组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511670762.7
    本发明适用于光伏技术领域，提供了一种太阳能电池组件及光伏系统，该太阳能电池组件包括：第一电池串、第一焊带、第二焊带、汇流条及绝缘层；第一电池串包括若干串联的背接触电池片，背接触电池片包括端部电池片；端部电池片上沿第一方向交替设置若干第一焊带...
    2026-02-16
  • 一种太阳能电池组件及光伏系统
    一种太阳能电池组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511628668.5
    本发明提供了一种太阳能电池组件及光伏系统。太阳能电池组件包括：背板以及设置于所述背板的第一侧的边缘汇流条和多个电池串；每一所述电池串包括多个沿第一方向依次排列的太阳能电池；所述边缘汇流条沿第一方向设置于多个电池串的两侧；设置于多个所述电池串...
    2026-02-16
  • 背接触电池组件及光伏系统
    背接触电池组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511582021.3
    本发明公开了一种背接触电池组件及光伏系统，所述背接触电池组件包括：电池串，所述电池串包括沿第一方向排布的第一电池片和第二电池片，沿第一方向，所述第一电池片和第二电池片均包括第一边缘和第二边缘，所述第一电池片的第一边缘与第二电池片的第二边缘交...
    2026-02-16
  • 一种电池串以及电池串的返修方法
    一种电池串以及电池串的返修方法_晶澳(扬州)新能源有限公司_202511544020.X
    本发明公开了一种电池串以及电池串的返修方法，涉及光伏组件制造技术领域，该电池串包括：多个电池片、串接相邻两个电池片的焊带、以及位于每个电池片上用于固定焊带的承载膜；承载膜位于焊带外侧，覆盖所述电池片主表面的部分区域；承载膜的宽度小于所述电池...
    2026-02-16
  • 一种光伏组件及其制备设备与制备方法
    一种光伏组件及其制备设备与制备方法_六智韬新能源科技(上海)有限公司_202511643826.4
    本发明属于光伏组件技术领域，且公开了一种光伏组件及其制备设备与制备方法，包括层叠体，所述层叠体包括：柔性前封装膜；设置于所述柔性前封装膜下方的柔性太阳电池串；所述柔性太阳电池串由多个太阳电池片通过金属互联带连接而成，相邻所述太阳电池片之间具...
    2026-02-16
  • 一种晶硅异质结太阳电池及其制备方法
    一种晶硅异质结太阳电池及其制备方法_中国科学院电工研究所_202511503384.3
    本申请提供了一种晶硅异质结太阳电池，可以应用于太阳电池技术领域。该晶硅异质结太阳电池：包括依次设置的掺杂磷元素的氧化锡透明导电层、第二N型非晶硅层、第一N型非晶硅层、第一本征非晶硅钝化层、N型晶体硅衬底、第二本征非晶硅钝化层、P型非晶硅层和...
    2026-02-16
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