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最新专利技术
  • 用于磁存储器的测试结构及测试方法
    用于磁存储器的测试结构及测试方法_致真存储(北京)科技有限公司_202511557228.5
    本申请提供一种用于磁存储器的测试结构及测试方法，涉及半导体测试技术领域，用于解决测试效率低及测试精度低的技术问题，该测试结构在写入通路的第一导电通孔的两端并联第一检测部和第二检测部，以测试第一导电通孔的电阻；在设置于磁隧道结与顶电极之间的第...
    2026-03-18
  • 一种1T1CBRAM存内计算单元电学特性测试系统和测试方法
    一种1T1CBRAM存内计算单元电学特性测试系统和测试方法_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511551400.6
    本发明公开一种1T1CBRAM存内计算单元电学特性测试系统和测试方法，属于微电子器件领域。1T1CBRAM存内计算单元电学特性测试系统包括探针台、连接端口、电源/测量单元、脉冲发生器单元。其中，探针台用于放置1T1CBRAM存内计算单元，电...
    2026-03-18
  • 一种Nand-flash性能检测装置和方法
    一种Nand-flash性能检测装置和方法_至誉科技股份有限公司_202511513936.9
    本申请涉及一种Nand‑flash性能检测装置，包括：PCB板，其上设置有主控芯片和用于与外部测试主机进行通信连接的外部接口；至少一个测试座，其设置于所述PCB板上，其用于承载待测的Nand‑flash芯片；多个安装位，其设置于所述PCB板...
    2026-03-18
  • 一种内存芯片的阻抗匹配测试方法
    一种内存芯片的阻抗匹配测试方法_深圳市晶存科技股份有限公司_202512053961.X
    本发明涉及数据存储技术领域，公开了一种内存芯片的阻抗匹配测试方法，该方法包括：对内存芯片的CA‑odt、DQ‑odt、SOC‑odt三个维度进行不同阻抗值匹配测试，得到不同阻抗组合；根据不同阻抗组合分别对内存芯片进行阻抗验证；筛查不同阻抗组...
    2026-03-18
  • 存储器、存储系统以及存储器的操作方法
    存储器、存储系统以及存储器的操作方法_长江存储科技有限责任公司_202511605527.1
    公开了一种存储器、存储系统以及存储器的操作方法，属于存储技术领域。在该方法中，接收来自控制器的操作指令，将操作指令中的多个初始字线标识映射为多个物理字线标识；通过多个物理字线标识指示的多个第一类字线，对多个第一类存储单元行执行操作指令对应的...
    2026-03-18
  • 移动终端系统的内存测试方法及装置
    移动终端系统的内存测试方法及装置_深圳市晶存科技股份有限公司_202512044783.4
    本申请涉及内存管理领域，提供一种移动终端系统的内存测试方法及装置。该方法包括：将安卓系统的程序存储于存储设备中，在设备启动后根据预设的原始启动地址加载安卓系统，在加载系统内核前将位于原始启动地址之后的初始空闲内存空间执行多模态预检测试；若预...
    2026-03-18
  • 一种内存芯片的Die容量自动识别方法
    一种内存芯片的Die容量自动识别方法_深圳市晶存科技股份有限公司_202512043676.X
    本发明涉及数据存储技术领域，公开了一种内存芯片的Die容量自动识别方法，该方法包括：通过内存芯片的模式读取寄存器MR8并获取单个Die的容量；通过pin脚识别Rank数量和Channel数；判断单通道IO位宽，当位宽为16位，根据位宽分配D...
    2026-03-18
  • 一种基于机器学习优化内存芯片采集的测试数据的方法
    一种基于机器学习优化内存芯片采集的测试数据的方法_深圳市晶存科技股份有限公司_202512044063.8
    本发明涉及数据存储技术领域，公开了一种基于机器学习优化内存芯片采集的测试数据的方法及其系统，该方法包括：从待测内存芯片的测试平台采集原始测试数据；构建一个卷积神经网络模型，通过卷积神经网络模型学习测试数据特征与内存缺陷之间的映射关系，通过采...
    2026-03-18
  • 测试装置
    测试装置_深圳星火半导体科技有限公司_202512010663.2
    本申请提供一种测试装置，包括多个卡槽，多个卡槽包括第一卡槽、第二卡槽和第三卡槽；每个卡槽具有与待测存储卡的对应引脚电性连接的接口；第一卡槽内设置有第一检测电路，用于检测存储卡的信号引脚的上钳位二极管是否正常导通；第二卡槽内设置有第二检测电路...
    2026-03-18
  • 快闪存储器控制器及快闪存储器控制器的补偿方法
    快闪存储器控制器及快闪存储器控制器的补偿方法_慧荣科技股份有限公司_202511026607.1
    本发明涉及快闪存储器控制器及快闪存储器控制器的补偿方法。该方法包括：提供第一输入/输出接口用于耦接于主机装置与内部总线之间；提供第二输入/输出接口用于耦接于快闪存储器装置与该内部总线之间；提供中央处理单元以管理多个快闪存储器操作；以及当应用...
    2026-03-18
  • 存储器系统及其操作方法、电子设备
    存储器系统及其操作方法、电子设备_新存科技(武汉)有限责任公司_202311668196.7
    本申请实施例提供一种存储器系统及其操作方法、电子设备。其中，存储器系统包括：非易失性存储器装置，包括多个页；预设个数的页形成一个存储组；存储器控制器，与非易失性存储器装置耦接，且被配置为：在对非易失性存储器装置进行读取操作的过程中，根据待读...
    2026-03-18
  • 一种存储器的编程方法、存储器及存储系统
    一种存储器的编程方法、存储器及存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411027511.2
    本公开提供了一种存储器的编程方法、存储器及存储系统，涉及半导体芯片技术领域。方法包括：在第一编程阶段的第一时间段，向第一类型选择字线施加第一编程电压，并向第一类型选择字线相邻的非选择字线施加参考电压，在第一编程阶段的第二时间段，向第一类型选...
    2026-03-18
  • 存储器、存储系统以及存储器的操作方法
    存储器、存储系统以及存储器的操作方法_长江存储科技有限责任公司_202511622827.0
    本申请公开了一种存储器、存储系统以及存储器的操作方法，属于存储技术领域。对存储器的操作方法包括：确定参考存储单元的存储态，基于参考存储单元的存储态，确定目标存储单元对应的感测节点的放电时长。基于目标存储单元对应的感测节点的放电时长，对目标存...
    2026-03-18
  • 存储器、存储器操作方法及存储系统
    存储器、存储器操作方法及存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411027462.2
    本公开提供一种存储器、存储器操作方法及存储系统，涉及存储器技术领域。该存储器包括：存储单元阵列；多条字线，多条字线分别耦合到存储单元阵列的行；多条位线，多条位线分别耦合到存储单元阵列的存储串；外围电路，外围电路包括页缓冲器电路，页缓冲器电路...
    2026-03-18
  • 计算电路及其操作方法
    计算电路及其操作方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511417049.1
    提出了8T CFET SRAM来实施并行加权求和操作，以加速推理过程。电路包括：存储器阵列，包括存储器单元，存储器单元的每个包括多个晶体管，并且耦合至第一字线和第二字线，并且配置为接收第一数据元素，存储第二数据元素，并且提供第一数据元素和第...
    2026-03-18
  • 存储器装置及其操作方法、存储器系统
    存储器装置及其操作方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202511593287.8
    本公开实施例提供了一种存储器装置及其操作方法、存储器系统；其中，存储器装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储块；以及外围电路，与所述存储单元阵列耦接并被配置为：对多个存储块中选定的存储块施加第一有效擦除电压后，对选定的存储块施...
    2026-03-18
  • 一种存储器及存储系统
    一种存储器及存储系统_长江存储控股股份有限公司_202410946938.6
    本公开提供了一种存储器及存储系统，涉及半导体芯片技术领域。存储器包括存储阵列和耦接于存储阵列的外围电路，外围电路包括参考电路和电源产生电路，参考电路与参考电路通过字线连接的存储单元层中的任意存储单元构成电流镜电路，电流镜电路被配置为：根据电...
    2026-03-18
  • 一种具有多值特性的1T1R器件及其制备方法
    一种具有多值特性的1T1R器件及其制备方法_中国电子科技南湖研究院_202411034534.6
    本发明公开了一种具有多值特性的1T1R器件及其制备方法，属于集成电路技术领域。本发明通过调整晶体管与阻变存储器的连接方式或者改变晶体管的类型，使得SET电压不直接施加在阻变存储器上，阻变存储器上的电压在晶体管的夹断效应下迅速饱和，使得阻变存...
    2026-03-18
  • 多级存储器单元读取及回写系统
    多级存储器单元读取及回写系统_美光科技公司_202511039043.5
    本公开涉及多级存储器单元读取及回写系统。一种存储器装置包含：存储器单元阵列，其包含至少第一及第二存储器单元。所述单元中的每一者可经配置以在两种或更多种非零电荷电平下存储电荷。第一局部放大器电路可经配置以基于所述第一存储器单元的第一单元电压信...
    2026-03-18
  • 用于多电平存储器单元的组合逻辑
    用于多电平存储器单元的组合逻辑_美光科技公司_202511039042.0
    本公开涉及用于多电平存储器单元的组合逻辑。一种存储器装置包含第一组合逻辑，所述第一组合逻辑被配置成从第一存储器阵列中的N个相应存储器单元中的每一个接收所存储电压值的多数字表示，且所述存储器单元中的每一个被配置成存储具有至少三个不同电荷电平中...
    2026-03-18
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