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最新专利技术
  • 显示装置
    显示装置_乐金显示有限公司_202510784485.6
    根据本公开的显示装置可以包括：基板、设置在基板上的多个驱动芯片、设置在驱动芯片上并且电连接至驱动芯片的每一者的多个发光元件、覆盖多个发光元件的光学绝缘层、设置在光学绝缘层上的第一外涂层以及设置在第一外涂层上的第二外涂层，并且第一外涂层的折射...
    2026-02-05
  • 显示面板和包括该显示面板的显示装置
    显示面板和包括该显示面板的显示装置_乐金显示有限公司_202510774429.4
    本申请提供了一种显示面板和包括该显示面板的显示装置，该显示面板包括：设置在基板上的电路层；以及设置在电路层上的多个发光二极管，其中电路层包括多条驱动线和多条非驱动线，多条驱动线设置在基板上并且电连接到多个发光二极管之中的设置在显示区域中的发...
    2026-02-05
  • 发光组件及其制备方法
    发光组件及其制备方法_京东方科技集团股份有限公司_202410993365.2
    本申请公开了一种发光组件及其制备方法，涉及显示技术领域。发光组件包括发光单元，驱动单元以及保护层。保护层可以包裹在发光单元以及驱动单元的各个电极的周围，从而可以使得保护层对各个电极起到保护作用，避免后续工艺对各个电极的键合连接造成影响，保证...
    2026-02-05
  • 显示装置
    显示装置_友达光电股份有限公司_202511566420.0
    一种显示装置，包括基板、多个发光二极管、至少一第一牺牲阳极以及至少一牺牲阴极。基板具有显示区以及邻近显示区的周边区。发光二极管设置于显示区上方。第一牺牲阳极以及牺牲阴极设置于周边区上方。表面材料形成于第一牺牲阳极的表面上。表面材料为氧化铝、...
    2026-02-05
  • 色转换结构、其制备方法及显示器件
    色转换结构、其制备方法及显示器件_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202511792925.9
    本发明公开了一种色转换结构、其制备方法及显示器件，所述制备方法包括以下步骤：提供透明衬底；在透明衬底的上表面制备导电层，所述导电层包括若干沿第一方向延伸的第一导电层，及若干沿第二方向延伸且与第一导电层相交的第二导电层；在导电层上制备金属隔离...
    2026-02-05
  • 散热片
    散热片_京东方科技集团股份有限公司_202411009609.5
    公开了一种散热片，包括：依次首尾相接的第一边、第二边、第三边和第四边，其中第一边包括与第二边相接的第一子边、与第四边相接的第二子边以及连接在第一子边和第二子边之间的第三直子边，且第一边在第三直子边上的第一正投影长度大于第三边在第三直子边上的...
    2026-02-05
  • 一种高气密性COB光源结构
    一种高气密性COB光源结构_东莞市思哲科技有限公司_202511512294.0
    本发明属于COB光源领域，具体的说是一种高气密性COB光源结构，包括基板，所述基板的顶部设有环形的围挡，所述基板的顶部且位于围挡的中部设有至少一个LED芯片，所述围挡的内部设有荧光胶层；所述围挡的内部设有第一封装胶层和第二封装胶层，所述荧光...
    2026-02-05
  • 光致发光波长转换发光装置
    光致发光波长转换发光装置_普瑞光电股份有限公司_202511684408.X
    本发明涉及一种发光装置，包括：用于产生蓝光和绿光的双波长发光二极管芯片，以及用于产生红光的第一光致发光材料；其中所述蓝光在415纳米至455纳米波长范围内具有第一总辐射功率、且在400纳米至490纳米波长范围内具有第二总辐射功率；并且所述第...
    2026-02-05
  • 一种光致变色材料结构及其制备方法
    一种光致变色材料结构及其制备方法_嘉善君圆新材料科技有限公司_202311136864.1
    本发明涉及光致变色材料技术领域，具体涉及一种光致变色材料结构及其制备方法，包括衬底以及依次附着于衬底之上N型半导体氧化物层、光致变色层、陶瓷层，制备方法是在洁净的衬底表面依次制备上述各层后经过退火烧结制得；光致变色层为均匀分布的半核‑壳结构...
    2026-02-05
  • 一种高功率LED封装结构
    一种高功率LED封装结构_江苏般若电子工业有限公司_202511312429.9
    本发明涉及LED封装结构技术领域，具体为一种高功率LED封装结构，包括：金属基板，金属基板的顶部的中部开设有芯片安放槽，金属基板在芯片安放槽的两侧开设有伸缩槽，伸缩槽中弹性连接着夹持板，夹持板的顶部的后端开设有限位环槽；有益效果为：本发明提...
    2026-02-05
  • 一种LED封装结构及其制作工艺
    一种LED封装结构及其制作工艺_深圳市佑明光电有限公司_202511576011.9
    本发明揭示一种LED封装结构及其制作工艺，涉及LED封装技术领域。该LED封装结构包括支架、晶片单元和结构封装层，晶片单元设于支架，结构封装层包覆晶片单元并覆盖支架部分表面；晶片单元含晶片件、红色荧光层、阻隔层、黄绿荧光层和单元封装层，各层...
    2026-02-05
  • 发光二极管的结构
    发光二极管的结构_业成科技(成都)有限公司_202511574451.0
    本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种发光二极管的结构。发光二极管的结构包括发光层、氮化镓层、树脂层及钝化层，氮化镓层设置于发光层的上方，氮化镓层具有图形化结构，树脂层设置于图形化结构上，钝化层系覆设于图形化结构上，并包设树脂层。
    2026-02-05
  • 一种提高LED发光效率的外延结构及其制备方法
    一种提高LED发光效率的外延结构及其制备方法_聚灿光电科技(宿迁)有限公司_202511605016.X
    本发明属于半导体光电子器件制造技术领域，具体涉及一种提高LED发光效率的外延结构及其制备方法，外延结从下到上依次包括衬底、缓冲层、UGaN 层、NGaN 层、多量子阱有源层、电子阻挡层，在所述多量子阱有源层M个Loop循环中，选择最靠近电子...
    2026-02-05
  • 一种蓝绿LED外延片及其制备方法
    一种蓝绿LED外延片及其制备方法_江西兆驰半导体有限公司_202511984710.7
    本发明涉及一种蓝绿LED外延片及其制备方法，蓝绿LED外延片的多量子阱发光层包括沿外延方向依次周期性交替生长的阱前渐变InGaN层、第一蓝光InGaN层、第一AlGaInN界面保护层、绿光InGaN层、第二AlGaInN界面保护层、第二蓝光...
    2026-02-05
  • 一种减少翘曲的LED外延片生长方法
    一种减少翘曲的LED外延片生长方法_厦门银科启瑞半导体科技有限公司_202512020089.9
    本发明涉及半导体光电子器件制造领域，具体涉及一种减少翘曲的LED外延片生长方法。包括：采用MOCVD工艺，先在衬底上低温生长成核层并退火形成三维岛状结构以释放应力；继而生长AlGaN/GaN超晶格或渐变层作为梯度缓冲层，逐层调节晶格常数；在...
    2026-02-05
  • 一种发光外延片及其制备方法和半导体发光器件
    一种发光外延片及其制备方法和半导体发光器件_江西乾照光电有限公司_202511742960.X
    本申请提供了一种发光外延片及其制备方法和半导体发光器件，涉及半导体器件技术领域。在发光外延片的多量子阱层中插入生长第一应力释放层，在发光外延片的多量子阱层和P型半导体层之间插入生长第二应力释放层，保证制备的发光外延片的质量高。在生长应力释放...
    2026-02-05
  • 一种LED的制备方法及LED
    一种LED的制备方法及LED_浙江前程照明有限公司_202511244507.6
    本发明涉及LED技术领域，尤其涉及一种LED的制备方法及LED，该方法包括以下步骤：精确称量高纯高纯碳酸钾、氧化锌、磷酸二氢铵、碳酸锰，球磨混合后于坩埚中分段烧结; 马弗炉煅烧初步反应排除挥发性气体，二次反应在500‑600℃形成KZnPO...
    2026-02-05
  • 纳米发光二极管器件及其制备方法
    纳米发光二极管器件及其制备方法_中国科学院半导体研究所_202410990174.0
    本发明提供了一种纳米发光二极管器件及其制备方法，涉及光电器件技术领域。器件包括：在纳米发光二极管结构上制备依次堆叠的牺牲层和第一介质层；对牺牲层和第一介质层进行光刻图形化，得到第一光刻图形；基于第一光刻图形刻蚀的第一介质层、牺牲层和纳米发光...
    2026-02-05
  • 太阳能电池及其制造方法、叠层电池和光伏组件
    太阳能电池及其制造方法、叠层电池和光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202511959164.1
    本申请涉及一种太阳能电池及其制造方法、叠层电池和光伏组件，太阳能电池包括基底，基底具有相背设置的第一表面和第二表面；第一表面包括在第一方向上交替设置的第一区域和第二区域；第一区域包括多个第一金字塔结构；第二区域掺杂有第一掺杂元素；第一金字塔...
    2026-02-05
  • 一种太阳能电池及其制造方法、光伏组件
    一种太阳能电池及其制造方法、光伏组件_鄂尔多斯市隆基光伏科技有限公司_202511588073.1
    本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法、光伏组件，涉及光伏技术领域，用于提高非晶硅层对半导体基底的钝化效果，利于提高太阳能电池的转换效率。所述太阳能电池包括：半导体基底和非晶硅层。半导体基底包括第一绒面形貌区。非晶硅层设置于第一绒面形貌区上...
    2026-02-05
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