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最新专利技术
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511408749.4
    本申请的实施例公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：多个第一栅极结构，沿第一方向布置并在第二方向上延伸，多个第一栅结构中的至少一个第一栅极结构对应于第一晶体管区；多个第二栅极结构，沿第一方向布置，并在第二方向上与第一栅极结构中...
    2026-02-11
  • 集成电路及其制造方法
    集成电路及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511408452.8
    本发明的实施例提供了一种集成电路，包括第一和第二有源区、第一和第二接触件、第一导体和第一绝缘区。第一有源区在第一方向上延伸，位于衬底正面上方的第一层上，并且对应于第一组晶体管。第二有源区在第一方向上延伸，在第二层上，并且对应于第二组晶体管。...
    2026-02-11
  • 集成电路器件及其单元区和形成方法
    集成电路器件及其单元区和形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511408416.1
    本申请的实施例公开了集成电路器件及其单元区和形成方法。单元区包括：第一有源区(AR)；第一MD结构与贝塔轨道对齐；并且在第一金属化层中具有与阿尔法轨道对齐的段。对于一个或多个第一或第二位置，第一AR的相应区域可配置为源极区或漏极区。对于一个...
    2026-02-11
  • 半导体器件结构及制造方法
    半导体器件结构及制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511408409.1
    半导体器件结构包括多个晶体管。多个晶体管的每个包括：具有第一掺杂类型的纳米结构，其中纳米结构在第一方向上延伸；栅极结构；第一源极/漏极区域；以及第二源极/漏极区域。半导体器件结构还包括第二纳米结构，第二纳米结构在第二方向上与多个晶体管偏移，...
    2026-02-11
  • 集成电路器件及其制造方法
    集成电路器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511408407.2
    提供了在掩埋电源轨方案下用于电源输送的各个CFET单元内MOL连接。集成电路(IC)器件包括器件堆叠件、顶部接触结构、背侧电源轨和通孔互连件。器件堆叠件包括底部半导体器件和沿方向堆叠在底部半导体器件上方的顶部半导体器件。顶部接触结构位于顶部...
    2026-02-11
  • 具有自对准接触的半导体元件及其制备方法
    具有自对准接触的半导体元件及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202510224257.3
    本公开提供一种具有自对准接触的半导体元件及其制备方法。该半导体元件包括一鳍片；位于该鳍片上的一栅极结构，其中该栅极结构包括一栅极介电层、一栅极底部导电层、一栅极顶部导电层、和一栅极覆盖层；位于该鳍片的两侧上的多个杂质区域；相应地位于所述多个...
    2026-02-11
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510319389.4
    一种半导体装置包括：基底绝缘层；栅极结构，在基底绝缘层上在第一方向上延伸；多个沟道层，在第二方向上彼此间隔开，第二方向与基底绝缘层的上表面垂直，所述多个沟道层在基底绝缘层上并且被栅极结构围绕；第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，在栅极结...
    2026-02-11
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510254530.7
    公开了包括主晶体管和子晶体管的半导体装置。主晶体管包括：主沟道层；主栅电极，位于主沟道层上；主栅极半导体层，位于主沟道层与主栅电极之间；源电极和漏电极，位于主栅电极的相对侧上并且连接到主沟道层；以及场分散层，位于主沟道层上，并且位于主栅电极...
    2026-02-11
  • 半导体器件结构及其形成方法
    半导体器件结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510566157.9
    描述了半导体器件结构及其形成方法。该方法包括：在衬底之上形成鳍结构，以及在鳍结构的一部分上沉积一个或多个间隔件。一个或多个间隔件被沉积在鳍结构的侧壁上。该方法还包括：去除一个或多个间隔件的第一部分以露出鳍结构并使鳍结构凹陷。第一副产物层形成...
    2026-02-11
  • 半导体结构及其制备方法、半导体器件
    半导体结构及其制备方法、半导体器件_株洲中车时代半导体股份有限公司_202510974322.4
    本申请实施例涉及半导体技术领域，公开一种半导体结构及其制备方法、半导体器件。其中，半导体结构包括基底；源区，位于基底上方，源区内设置有多个体二极管源极接触区；体二极管源极接触区的离子类型与源区的离子类型不同，以在垂直于基底的方向上形成PN结...
    2026-02-11
  • 半导体裸片以及三维堆叠器件
    半导体裸片以及三维堆叠器件_株式会社索思未来_202510956708.2
    提供一种半导体裸片等，其能够使具备彼此具有相同的构成且相互堆叠的多个半导体裸片的SoC内部产生的热更高效地散热。半导体裸片(12)具备：具有上表面(14)和下表面(15)的主体(13)；配置于上表面(14)的多个第一接合用焊盘(16)；配置...
    2026-02-11
  • 一种含类氧化硅绝缘层的场效应晶体管及其制造方法
    一种含类氧化硅绝缘层的场效应晶体管及其制造方法_山东大学_202511444572.3
    本发明属于微电子技术领域，具体涉及一种含类氧化硅绝缘层的场效应晶体管及其制造方法。包括：半导体有源层及位于其上的栅极、源极和漏极，源极和漏极之间通过沟道连接，位于栅极与半导体有源层之间的栅绝缘层，该栅绝缘层主要由类氧化硅材料组成。本发明在栅...
    2026-02-11
  • 一种半导体结构及制备方法、集成电路
    一种半导体结构及制备方法、集成电路_上海光通信有限公司_202410964758.0
    本申请公开一种半导体结构及制备方法、集成电路，该半导体结构包括衬底以及形成在衬底的上表面的栅极结构。该栅极结构包括在所述衬底上依次形成的第一介质层、第一阻挡层及金属导电层。该第一阻挡层含有具有亲氧功能的金属元素，该第一阻挡层靠近第一介质层的...
    2026-02-11
  • 用于晶体管的接触式多晶硅分裂栅极
    用于晶体管的接触式多晶硅分裂栅极_万国半导体国际有限合伙公司_202510950001.0
    一种平面栅极晶体管器件，包括半导体衬底和形成在半导体衬底上方的导电栅电极。导电分裂栅电极形成在半导体衬底上方，靠近导电栅电极的漏极接触侧，导电接触插塞形成在分裂栅电极上方。
    2026-02-11
  • 一种半导体器件及其制备方法和电子装置
    一种半导体器件及其制备方法和电子装置_芯联集成电路制造股份有限公司_202511655487.1
    一种半导体器件及其制备方法和电子装置，制备方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成有栅极介质层，在所述栅极介质层上形成有栅极结构，所述栅极结构包含间隔设置的开关栅极、逻辑电路栅极和LNA栅极；在所述LNA栅极上形成有保护层；对所述LNA栅极进行...
    2026-02-11
  • 一种二维半导体与金属电极的键合接触方法
    一种二维半导体与金属电极的键合接触方法_北京科技大学_202511598148.4
    本发明公开了一种二维半导体与金属电极的键合接触方法，涉及半导体技术领域。本发明将二维过渡金属硫族化合物半导体置于基底上，在其表面加工出源极图案和漏极图案，采用低能量刻蚀方式在源极图案和漏极图案对应的二维过渡金属硫族化合物半导体区域进行刻蚀，...
    2026-02-11
  • 一种提高碳化硅MOSFET器件栅氧化层可靠性的生产工艺
    一种提高碳化硅MOSFET器件栅氧化层可靠性的生产工艺_常州银河世纪微电子股份有限公司_202511418112.3
    本发明公开了一种提高碳化硅MOSFET器件栅氧化层可靠性的生产工艺：S1、提供碳化硅外延片；S2、对碳化硅外延片清洗；S3、对碳化硅外延片进行高温牺牲氧化，生长牺牲氧化层，再剥离牺牲氧化层；S4、最在生长栅氧化层之前，使用氢氟酸溶液对碳化硅...
    2026-02-11
  • 形成可调功函数的氮化钛层方法、半导体器件和半导体工艺设备
    形成可调功函数的氮化钛层方法、半导体器件和半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511366727.6
    本发明涉及半导体加工技术领域，具体而言，涉及一种形成可调功函数的氮化钛层方法、半导体器件和半导体工艺设备。所提供的形成可调功函数的氮化钛层方法，采用原子层沉积工艺形成可调功函数的氮化钛层，包括至少一次的沉积循环，每次沉积循环包括：S101提...
    2026-02-11
  • 用于含金属材料的高压退火处理
    用于含金属材料的高压退火处理_应用材料公司_202511239874.7
    本公开内容提供了用于在TFT显示应用、半导体、或存储器应用中在含金属层上执行退火处理的方法。在一个实例中，一种在基板上形成含金属层的方法包括以下步骤：在处理腔室中的基板上供应含氧气体混合物，所述基板包括设置在光学透明基板上的含金属层；将所述...
    2026-02-11
  • 栅极氧化层及栅极的制备方法
    栅极氧化层及栅极的制备方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410961565.X
    本发明提供一种栅极氧化层及栅极的制备方法，先通过在含氮气体氛围下对硅基衬底进行快速热退火处理，该方式属于无损伤掺氮方式，可以先在硅基衬底表面进行氮预掺杂，以减少后续等离子体氮掺杂所需掺杂量，从而降低等离子体氮掺杂工艺对SiON栅极氧化层的损...
    2026-02-11
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