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最新专利技术
  • 一种深沟槽半导体结构及其制备方法
    一种深沟槽半导体结构及其制备方法_成都森未科技有限公司_202511565371.9
    本发明提供了一种深沟槽半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。该深沟槽半导体结构包括第一导电类型漂移区、第一导电类型存储区、第二导电类型基区以及贯穿第二导电类型基区、第一导电类型存储区，并延伸至第一导电类型漂移区的多个沟槽结构；每个沟槽...
    2026-02-11
  • 一种抗闩锁的碳化硅NPN型横向绝缘栅双极型晶体管
    一种抗闩锁的碳化硅NPN型横向绝缘栅双极型晶体管_东南大学_202511251710.6
    一种抗闩锁的碳化硅NPN型横向绝缘栅双极型晶体管，包括设于N型衬底的内设P型阱区及N型缓冲区的N型外延层、栅极多晶硅和介质层，在P型阱区内设有N型发射极区、P型源极区和N型源极区，P型源极区和N型源极区具有相同电位；栅极多晶硅位于P型阱区的...
    2026-02-11
  • 基于锗上外延生长石墨烯技术的硅/石墨烯/锗势垒晶体管阵列及构筑方法
    基于锗上外延生长石墨烯技术的硅/石墨烯/锗势垒晶体管阵列及构筑方法_中国科学院金属研究所_202410960115.9
    本发明涉及半导体器件的研发与应用领域，具体为一种基于锗上外延生长石墨烯技术的硅/石墨烯/锗势垒晶体管阵列及构筑方法。该晶体管自上而下的构成如下：第一层包括基极与硅薄膜组合结构，第二层为发射极与外延生长的单晶单层石墨烯，第三层为锗衬底，第四层...
    2026-02-11
  • 共振隧穿二极管及其制备方法
    共振隧穿二极管及其制备方法_中国科学院半导体研究所_202410956508.2
    本公开提供了一种共振隧穿二极管，可应用于半导体技术领域。该共振隧穿二极管包括：衬底；缓冲层，位于衬底上；第一台面结构，位于缓冲层远离衬底的一侧；以及第二台面结构，位于缓冲层远离衬底的一侧，其中，衬底的材料包括砷化镓；第二台面结构的材料包括砷...
    2026-02-11
  • 一种大电流高耐压金刚石二极管及其制造方法
    一种大电流高耐压金刚石二极管及其制造方法_东南大学_202511251260.0
    本发明涉及一种大电流高耐压金刚石二极管及其制造方法，剖面结构以衬底金刚石(1)为底，基于衬底金刚石(1)上表面局部设置一型掺杂金刚石(2)，进一步在一型掺杂金刚石(2)的上表面、以及衬底金刚石(1)上表面布设一型导电沟道(7)，然后在一型导...
    2026-02-11
  • 一种电容器及其制备方法和应用
    一种电容器及其制备方法和应用_北京元陆鸿远电子技术有限公司_202511816584.4
    本发明涉及电子元件技术领域，具体涉及一种电容器及其制备方法和应用。本发明提供的电容器包括具有第一通孔的基板，位于基板下表面的第一金属键合层，位于基板上表面的第一电极层，所述第一电极层的面积小于基板的面积，位于第一电极层表面的第一介质层，围绕...
    2026-02-11
  • 一种铁电薄膜电容器制备方法及所制备的电容器
    一种铁电薄膜电容器制备方法及所制备的电容器_河北农业大学_202511553972.8
    本发明公开了一种铁电薄膜电容器的制备方法及所制备的电容器，先在LaAlO33(001)基底上磁控溅射生长La0.50.5Sr0.50.5CoO33薄膜底电极，然后在La0.50.5Sr0.50.5CoO33薄膜底电极上磁控溅射生长I‑III...
    2026-02-11
  • 一种低漏电流复合叠层薄膜及其制备方法和应用
    一种低漏电流复合叠层薄膜及其制备方法和应用_泉州师范学院_202511553053.0
    本发明属于复合材料制备技术领域，具体公开了一种低漏电流复合叠层薄膜及其制备方法和应用。该制备方法包括以下步骤：S1、对硅片衬底进行清洗预处理；S2、在S1中所述硅片衬底上依次沉积底层ZrO22薄膜、中间Al22O33薄膜和顶层ZrO22薄膜...
    2026-02-11
  • 堆叠电容、半导体器件及堆叠电容的制备方法
    堆叠电容、半导体器件及堆叠电容的制备方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511520398.6
    本申请提供一种堆叠电容、半导体器件及堆叠电容的制备方法。堆叠电容包括基层介电层以及位于基层介电层一侧的电容主体，电容主体包括导电层及间隔介电层。在第一方向上，多层导电层包括依序交替的第一子导电层和第二子导电层。堆叠电容具有沿第二方向排布的第...
    2026-02-11
  • 堆叠电容、半导体器件及堆叠电容的制备方法
    堆叠电容、半导体器件及堆叠电容的制备方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511518480.5
    本申请提供一种堆叠电容、半导体器件及堆叠电容的制备方法。堆叠电容包括基层介电层及位于基层介电层一侧的电容主体，电容主体包括多层导电层及位于导电层之间的间隔介电层。自基层介电层指向电容主体的第一方向上，多层导电层包括依序交替的第一子导电层和第...
    2026-02-11
  • 一种MIM电容器结构及制作方法
    一种MIM电容器结构及制作方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511503926.7
    本发明提供一种MIM电容器结构及制作方法，形成预设位置的膜层后，进行超临界流体低温高压处理，能够极大程度减小膜层界面的氧空位，改善膜质粗糙度，进而减小电容器漏电流，提高电容器性能。
    2026-02-11
  • 使用跨越多个金属化层形成的三维结构的表面的电容器结构
    使用跨越多个金属化层形成的三维结构的表面的电容器结构_美光科技公司_202511008355.X
    本公开涉及使用跨越多个金属化层形成的三维结构的表面的电容器结构。本文中所描述的实施方案涉及各种结构、集成组合件和存储器装置。在一些实施方案中，集成组合件包含分层结构。所述分层结构包含：第一导电结构集合，其水平地形成在第一金属化层中；第二导电...
    2026-02-11
  • 可调谐电感器装置
    可调谐电感器装置_QORVO美国公司_202511516810.7
    本发明公开了一种可调谐电感器装置，其具有衬底、平面螺旋导体和相变开关(PCS)，所述平面螺旋导体具有设置在所述衬底之上的多个间隔开的匝，所述PCS具有设置在所述衬底之上的位于所述多个间隔开的匝的一对相邻段之间并与其接触的相变材料(PCM)的...
    2026-02-11
  • 一种能增大球间隙的DRAM颗粒模块
    一种能增大球间隙的DRAM颗粒模块_芯动微电子科技(武汉)有限公司_202511983027.1
    本发明公开了一种能增大球间隙的DRAM颗粒模块。DRAM颗粒模块包括DRAM颗粒和转接板；DRAM颗粒底部设置有多个第一焊球，转接板底部设置有多个第二焊球，DRAM颗粒通过多个第一焊球焊接到转接板上；多个第一焊球具有第一直径和第一球间隙，多...
    2026-02-11
  • 一种基于电镀铜柱体的三维堆叠DRAM封装结构
    一种基于电镀铜柱体的三维堆叠DRAM封装结构_复旦大学_202511462268.1
    本发明属于芯片封装技术领域，具体为一种基于电镀铜柱体的三维堆叠DRAM封装结构。本发明封装结构具体包括底层逻辑芯片、顶层DRAM芯片、第二层DRAM芯片、垂直铜柱互联区域、底层封装体、顶层封装体、第二层封装体、平面互联区域、信号纵向传输路径...
    2026-02-11
  • 集成电路封装件及其形成方法
    集成电路封装件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511390076.4
    提供了集成电路封装件及其形成方法。集成电路封装件可以包括：第一再分布结构；第一桥接管芯，位于第一再分布结构上方；第一密封剂，位于第一桥接管芯周围；第二再分布结构，位于第一桥接管芯和第一密封剂上方；第一逻辑管芯、第二逻辑管芯和第一输入/输出(...
    2026-02-11
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_新存科技(武汉)有限责任公司_202511667998.5
    本申请公开了一种半导体器件及其形成方法，多条第一导电线沿第一方向延伸，多条第二导电线沿第二方向延伸，且多条第一导电线与多条第二导电线异面交叉。多个存储单元沿第一方向和第二方向阵列设置，且每个存储单元位于一条第一导电线与一条第二导电线的交叉处...
    2026-02-11
  • 一种忆阻器及其制备方法
    一种忆阻器及其制备方法_广州航海学院_202511861755.5
    本发明涉及电子器件技术领域，特别是涉及一种忆阻器及其制备方法，忆阻器包括依次层叠设置的下电极、阻变介质层和上电极，下电极和上电极均包括单层或多层金属薄膜，阻变介质层为Fe掺杂TiO22基磁性半导体薄膜；所述Fe掺杂TiO22基磁性半导体薄膜...
    2026-02-11
  • 一种自旋轨道矩磁存储器及其制备方法
    一种自旋轨道矩磁存储器及其制备方法_华中科技大学_202511914438.5
    本发明公开了一种自旋轨道矩磁存储器及其制备方法，属于自旋电子器件与半导体制备技术领域。该存储器包括：第一电极、自旋轨道矩层、磁隧道结(MTJ)以及位于自旋轨道矩层下方的导电互连结构。本发明在导电互连结构中集成磁性偏置结构并调整MTJ位置，使...
    2026-02-11
  • 一种半导体结构及其操作方法
    一种半导体结构及其操作方法_长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司_202511965650.4
    本公开实施例提供了一种半导体结构及其操作方法，半导体结构包括：第一晶体管和第二晶体管位于衬底上且具有共用沟道区，第一晶体管至少包括第一栅极层和第一存储层，第二晶体管至少包括第二栅极层和第二存储层；第一延伸部和第二延伸部，分别位于共用沟道区在...
    2026-02-11
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