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  • 一种集成电路芯片封装装置,涉及芯片封装技术领域,包括固定台,固定台上方转动设有旋转U型架,旋转U型架内底部设有加工避让槽,并且其四周均滑动设有定位板,定位板厚度不大于基板厚度,固定台顶部竖向升降设有支撑台,支撑台顶部结构与加工避让槽随形设置...
  • 本发明公开了一种可变扭力机械式晶圆夹持器,本发明涉及IC制造半导体硅晶圆搬运技术领域,包括第一夹爪,其包括第一手持端和第一夹持端,所述第一手持端和所述第一夹持端之间设置有铰链孔;第二夹爪,其包括第二手持端和第二夹持端,所述第二手持端和所述第...
  • 本发明公开一种多分片的调整机构,包括调整组件和移动组件;调整组件包括调整底座,调整底座的下端安装有调整X向模组,调整X向模组的驱动端上沿着Y向分布有若干调整Y向模组,每个调整Y向模组的驱动端上均安装有一个调整T向模组,每个调整T向模组的驱动...
  • 本发明提供一种平面定位台以及定位方法。所述平面定位台包括:可被驱动以运动至平面上不同位置的集成平面运动台,以及包含在集成平面运动台内的平面夹具台。多个线圈组件安装在集成平面运动台上,用于与安装在平面夹具台上的磁体进行电磁相互作用。所述电磁相...
  • 本申请涉及一种用于晶圆盒的上料装置及其上料方法。其中,上料装置包括框体设有运输口;转动驱动组件连接于框体靠近运输口位置处;翻转结构可转动连接于转动驱动组件,并位于运输口,翻转结构包括承载组件和锁定件,锁定件用以将晶圆盒锁定于承载组件,翻转结...
  • 一种精确定位的晶圆盒搬运设备,其包括设备机架,放置工位,搬运机构。所述晶圆盒包括盒体,把手。所述设备机架包括工作台面,支架。每个所述放置工位均包括限位块,定位传感器,反射传感器,定位销。所述搬运机构包括固定板,水平移动机构,垂直移动机构,机...
  • 本发明公开了一种微波芯片晶圆传送载具紧固装置,涉及芯片晶圆传送技术领域,旨在微波芯片晶圆传送载具紧固装置功能单一的技术问题,包括天车本体及晶圆盒体,晶圆盒体包括壳体、放置机构、摩擦机构和旋转机构。本发明通过设置放置机构,使得位于同一平面的若...
  • 本发明公开了一种便于定位的晶圆搬运装置及其使用方法,涉及晶圆加工领域,包括安装架与传送带机构,所述安装架的顶部安装有晶圆搬运机构,所述传送带机构的顶部转动设置有固定台,所述固定台的顶部活动设置有活动台,所述传送带机构的固定架顶部活动设置有平...
  • 本发明公开了一种半导体晶圆承载用石英舟,涉及石英舟技术领域,包括石英舟组件,石英舟组件包括多组石英横梁,每组石英横梁包括至少两个石英横梁,每组石英横梁呈圆弧形排布,每个石英横梁上均开设有多个用于放置晶圆的凹槽,同一组石英横梁上的凹槽的宽度相...
  • 本发明提供了一种n型4H‑SiC外延生长控制方法、装置、电子设备及存储介质,涉及半导体材料外延生长技术领域。该方法的步骤包括:在外延层生长阶段,通过氢气将预先存储在掺杂源输入部的甲基肼液体中的甲基肼分子带出并输入到反应室中,以使甲基肼作为n...
  • 本发明公开了一种用于RTP工艺的晶圆状态监测方法、装置、设备及介质,其属于半导体制造技术领域,所述晶圆状态监测方法包括以下步骤:S1:获取晶圆处于工艺位置时的实时辐射率数据;S2:根据步骤S1中获取的实时辐射率数据计算得到辐射率变化率;S3...
  • 本发明的课题在于提供一种能够高精度地识别原料的余量的技术。气体供给机构供给使原料气化得到的原料气体。气体供给机构包括:内侧容器,其收容所述原料;外侧容器,其具有能够相对位移地收容所述内侧容器的空间,并且使从所述内侧容器的所述原料产生的所述原...
  • 公开了一种衬底加工设备,其包括:第一室,具有第一内部压力;第二室,连接到第一室并具有大于第一内部压力的第二内部压力;转移机构,位于第二室中并配置成转移衬底;以及吹风器,位于第二室中并配置成向衬底吹送空气。
  • 本申请公开了一种晶圆处理装置,属于半导体制造技术领域,包括基座、加热组件和反应空间;基座具有第一表面,加热组件包括加热件,加热件具有第二表面,第二表面与第一表面相对设置;反应空间位于基座和加热件之间,为反应气体提供流通通道。本申请中,基座具...
  • 本申请公开了一种晶圆处理装置,属于半导体制造技术领域,包括用于处理晶圆的反应器,反应器包括基座、支撑组件和加热组件。基座用于承载晶圆,支撑组件与基座连接,用于支撑并带动基座旋转,加热组件与基座相对且间隔设置,以加热基座上的晶圆。本申请中,基...
  • 本发明涉及半导体制造技术领域,具体而言,涉及一种单晶硅片的清洗方法。一种单晶硅片的清洗方法,包括以下步骤:(a)采用纳米气泡水对单晶硅片进行包括超声处理和动态压力梯度喷淋的预处理;(b)采用复合清洗液对所述预处理后的硅片进行清洗,所述复合清...
  • 本申请公开了一种碳化硅外延片的清洗方法,可用于半导体制造领域,该方法中,首先,将碳化硅外延片浸于伴随氮气鼓泡的第一SPM中,达到第一预设时长后对碳化硅外延片进行HQDR;第一SPM的温度为第一温度;而后,将碳化硅外延片浸于伴随溶液内循环的第...
  • 本发明公开了一种金属CMP后的清洗方法,包括:在具有滚动刷的第一清洗模块中对完成了金属CMP的晶圆进行第一次清洗,第一次清洗中按照减少DIW连续接触时间和DIW总接触时间的要求设置第一循环步骤,以减少金属在DIW的作用下发生电偶腐蚀,采用化...
  • 本发明提供了一种半导体封装结构的切割方法及其相关装置,涉及半导体制造技术领域,切割方法用于切割半导体封装结构,半导体封装结构上设置有多个芯片组,芯片组包括多个阵列排布的芯片,切割方法包括:对待切割的半导体封装结构进行图像识别,获取多个芯片组...
  • 本发明涉及半导体技术领域,提供了一种晶片脱胶装置、晶片剥离设备及晶片剥离方法。晶片脱胶装置包括脱胶本体;所述脱胶本体上设置有高压进气口、冷媒进口、混合腔以及出口;所述高压进气口用于通入高压气体;所述冷媒进口用于通入冷媒;所述高压进气口和所述...
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