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一种微发光元件及其制备方法
本申请公开了一种微发光元件及其制备方法,微发光元件包括驱动基板;第一键合层,设置于驱动基板之上,第一键合层包括图案化的金属层和设置在金属层之间的绝缘层;若干个LED单元,每个LED单元包括:部分第二键合层,设置于所述第一键合层之上,所述相邻...
一种微发光元件及其制备方法
本申请公开了一种微发光元件及其制备方法,包括:驱动基板;第一键合层,设置于驱动基板之上,第一键合层包括按照一定间隔排列的金属层和设置在所述金属层之间的绝缘层;第二键合层;设置于第一键合层之上,包括介质层和若干通孔,若干通孔贯穿介质层,通孔中...
LED显示面板及其制备方法
本申请适用于显示技术领域,提供了LED显示面板及其制备方法,包括:通过在印刷电路基板的表面设置铜皮层的基础上,在铜皮层表面设置反光镀层,以形成反光区域,并将LED光源组件焊接在反光镀层的表面,使得LED光源组件发光时,LED光源组件发射的光...
侧面走线的制备方法和显示面板
本申请涉及一种侧面走线的制备方法和显示面板,方法包括:形成遮挡层;遮挡层包括子遮挡层和干膜光刻胶薄膜层;子遮挡层位于目标表面一侧且位于显示区,并从显示区向非显示区延伸至部分非显示区;干膜光刻胶薄膜层位于目标表面一侧且位于非显示区,干膜光刻胶...
侧面走线的制备方法和显示面板
本申请涉及一种侧面走线的制备方法和显示面板,方法包括:形成遮挡层;遮挡层包括第一子遮挡层和第二子遮挡层;第一子遮挡层位于目标表面一侧且位于显示区,并从显示区向非显示区延伸至搭接面的边缘处;第二子遮挡层位于第一子遮挡层背离基板的一侧,且位于非...
一种降低MicroLED显示屏IR Drop占用的排线方法
本发明涉及MicroLED微显示技术领域,具体提供了一种降低MicroLED显示屏IR Drop占用的排线方法,包括划分像素组,每个像素组共用一个阴极Bump,设置网状结构走线,形成闭合导电网络,键合像素组的阴极Bump与驱动芯片网状结构走...
一种LED器件及其制作方法与显示装置
本申请实施例提供一种LED器件及其制作方法与显示装置,该LED器件包括:LED芯片、阻挡坝、色转层和封装层,LED芯片包括发光本体和位于发光本体一侧的第一电极和第二电极:阻挡坝与第一电极和第二电极同侧设置,且位于第一电极和第二电极之间,阻挡...
一种发光器件及发光装置
本申请公开了一种发光器件及发光装置,属于光电器件领域。本申请的发光器件包括第一发光体和第二发光体,第一发光体发出的光能激发第二发光体发光;第一发光体的发射峰波长为380~460 nm;第二发光体的发射峰波长为485~510 nm;第一发光体...
蓝绿双波的发光二极管及其制备方法
本公开提供了一种蓝绿双波的发光二极管及其制备方法,属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括:绿光发光层、保护层、n型层、蓝光发光层、p型层、n电极和p电极;所述绿光发光层、所述保护层、所述n型层、所述蓝光发光层和所述p型层依次层叠,所述p型...
一种LED光电玻璃的制备方法
本发明公开了一种LED光电玻璃的制备方法,属于LED光电玻璃制备技术领域。本发明采用两段式层压机进行生产。通过使用两层钢化玻璃、两层PVB胶片层将LED芯片“保护”起来。在满足幕墙要求的同时又展现出其电子显示作用。较以往的LED幕墙制作方法...
发光二极管及其制备方法
本公开提供了一种发光二极管及其制备方法。该发光二极管制备方法包括:制作外延结构;在外延结构上形成第一掩膜层,第一掩膜层的一侧具有缺口,第一掩膜层在外延结构上的投影为第一投影区域,且第一投影区域具有与第一掩膜层对应的缺口,第一投影区域的外轮廓...
叠层电池及其制备方法、光伏组件
本申请涉及一种叠层电池及其制备方法、光伏组件。上述叠层电池包括底电池、顶电池和设置在底电池和顶电池之间的复合层;其中,底电池包括硅基底,硅基底朝向顶电池的一侧具有第一绒面结构,第一绒面结构包括多个第一圆角化金字塔结构,各第一圆角化金字塔结构...
微型复合气密光电组件
本发明一种微型复合气密光电组件,包括:基底:使用硅电路板作为基底,硅电路板提供高密度电路互连、集成焊接面,通过半导体制造和/或微纳加工,形成用于驱动、调控以及检测光信号的基础平台;中间结构体:使用陶瓷环作为中间结构体,陶瓷环一方面起到机械定...
背接触太阳电池及其制备方法
本申请涉及一种背接触太阳电池及其制备方法。本申请的背接触太阳电池,包括硅衬底,硅衬底具有相对设置的第一表面和第二表面,第一表面包括第一区域和第二区域;第一区域内设置有第一钝化接触结构,第二区域内设置有第二钝化接触结构;背接触太阳电池还包括位...
太阳能电池及其制备方法
本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法,包括:半导体基底、第一极性结构、第二极性结构及混合钝化结构,其中半导体基底包括具有相邻接设置的第一区及第二区的第一面;第一、二极性结构分别位于第一、二区;混合钝化结构包括位于第一区且包括覆盖于第一极性结...
太阳电池及其制备方法
本申请涉及一种太阳电池及其制备方法。本申请的太阳电池,包括硅衬底,以及依次层叠设置于硅衬底的表面上的钝化层、本征硅层以及掺杂硅层;钝化层由钝化剂和硅衬底的表面反应得到,钝化剂包括具有如下通式的化合物中的一种或多种:;其中,R11选自羟基和取...
光伏电池及光伏组件
本申请涉及光伏电池技术领域,具体涉及光伏电池及光伏组件。该光伏电池采用异质结结构,核心在于太阳能电池片的正面和背面分别设有TCO膜作为透明导电膜层,并位于最外层。正面透明导电膜层外设置含第一量子点的第一转光层,背面设有含第二量子点的第二转光...
太阳能电池及其制备方法、光伏组件
本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。太阳能电池,包括:半导体衬底,包括相对设置的第一面和第二面;所述半导体衬底上设有多个钝化区和多个钝化接触区,所述多个钝化区和所述多个钝化接触区沿第一方向交替排布;所述第一方向垂直于所述半导体衬...
背接触太阳电池及其制备方法、背接触光伏组件
本申请涉及背接触太阳电池技术领域,尤其涉及一种背接触太阳电池及其制备方法、背接触光伏组件。该背接触太阳电池,包括硅衬底、掺杂类型相反的第一掺杂层和第二掺杂层以及两种极性的焊盘组。硅衬底具有背光面。第一掺杂层与第二掺杂层设置在背光面上。第一掺...
一种电池片及光伏组件
本申请涉及太阳能电池技术领域,尤其涉及一种电池片及光伏组件。电池片包括本体、边缘栅线和内部栅线,边缘栅线围成内侧区域,内部栅线位于内侧区域内,边缘栅线与本体的边缘之间的区域为外侧区域,外侧区域设置有连接栅线,连接栅线的一端与本体的边缘连接,...
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