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最新专利技术
  • 图像传感器的像素结构及其制作方法、图像传感器
    图像传感器的像素结构及其制作方法、图像传感器_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202410936340.9
    本发明提供一种图像传感器的像素结构及其制作方法、图像传感器，所述像素结构包括：形成于第一衬底上的光电转换二极管、电荷转移闸门晶体管与浮动扩散缓存，以及形成于第二衬底上的第一存储电容控制晶体管、第二存储电容控制晶体管、第一源跟随器晶体管与行选...
    2026-04-27
  • 零栅压两端HEMT太赫兹探测器的设计方法及应用
    零栅压两端HEMT太赫兹探测器的设计方法及应用_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202511497524.0
    本发明公开了一种零栅压两端HEMT太赫兹探测器的设计方法及其应用。该方法首先通过设计HEMT器件结构，并调整器件参数，使跨导峰值电压控制在0±50 mV范围内。与传统方法相比，本发明通过直接调控器件参数(如势垒层厚度、沟道层成分比例)，即可...
    2026-04-27
  • 一种柔性二维光电器件及其制备方法
    一种柔性二维光电器件及其制备方法_浙江工业大学_202511398965.5
    一种柔性二维光电器件，包括PET柔性基底以及设置于所述PET基底上的银电极，所述银电极具有预定间隙，覆盖所述电极间隙的In22Se33/WS22异质结结构。以及提供一种柔性二维光电器件的制备方法，包括以下步骤：S1、柔性基底预处理与电极制备...
    2026-04-27
  • 一种Ga2O3基线偏振日盲探测器和偏光计
    一种Ga2O3基线偏振日盲探测器和偏光计_东北师范大学_202511433365.8
    本发明公开了一种Ga22O33基线偏振日盲探测器和偏光计，Ga22O33基线偏振日盲探测器主要包括：Si/SiO22或另一PDMS衬底、基于传统机械剥离法制备的β‑Ga22O33薄膜、利用电子束光刻或热蒸发的方法制备的双叉指金电极。上述的S...
    2026-04-27
  • 一种基于石墨烯与多孔PbSe结合的光电探测器及其制备方法
    一种基于石墨烯与多孔PbSe结合的光电探测器及其制备方法_中国科学院重庆绿色智能技术研究院_202511639656.2
    本发明公开一种基于石墨烯与多孔PbSe结合的光电探测器及其制备方法，具体包括以下步骤：S1：将待需要的石墨烯转移到第一基底表面，形成第一样品；S2：首先在第一样品上制作第一电极阵列和第二电极阵列，然后在第一电极阵列之间构建第一石墨烯条带窗口...
    2026-04-27
  • 基于混合二维WSe2/CuInS2量子点异质结的光电探测器及其制备方法
    基于混合二维WSe2/CuInS2量子点异质结的光电探测器及其制备方法_南京理工大学_202511800316.3
    本发明公开了一种基于混合二维WSe22/CuInS22量子点异质结的光电探测器及其制备方法。所述光电探测器自下而上包括衬底、二维WSe22纳米片、CuInS22量子点层以及源漏电极，且CuInS22量子点均匀涂覆于WSe22表面。本发明充分...
    2026-04-27
  • 一种光伏组件
    一种光伏组件_晋能清洁能源科技股份公司_202511918145.4
    本发明涉及光伏技术领域，具体是一种光伏组件，包括：第一电池串组，所述第一电池串组由四条第一电池串并联组成，所述第一电池串由多个电池片串联组成；第二电池串组，所述第二电池串组由四条第二电池串并联组成，所述第二电池串由多个电池片串联组成；所述第...
    2026-04-27
  • 背接触光伏组件
    背接触光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202511499958.4
    本公开涉及光伏领域，提供一种背接触光伏组件，背接触光伏组件包括：多个电池串，电池串包括相对设置的首端和尾端，电池串包括设置在尾端的第一电池片以及与第一电池片连接的第二电池片；第一焊带，第一焊带沿第一方向延伸，并电连接第一电池片和第二电池片；...
    2026-04-27
  • 光伏幕墙组件以及光伏幕墙组件的制备方法
    光伏幕墙组件以及光伏幕墙组件的制备方法_宁德时代新能源科技股份有限公司_202511914333.X
    本申请涉及一种光伏幕墙组件以及光伏幕墙组件的制备方法。光伏幕墙组件包括第一玻璃层、第一胶膜层、第二玻璃层、第一电池层、第二胶膜层以及第二电池层。第一胶膜层位于第一玻璃层的背光面一侧；第二玻璃层位于第一胶膜层背离第一玻璃层的一侧；第一电池层位...
    2026-04-27
  • 光伏组件和光伏组件的制造方法
    光伏组件和光伏组件的制造方法_天合光能股份有限公司_202511640550.4
    本申请实施例提供一种光伏组件和光伏组件的制造方法。其中，光伏组件包括：电池串层，电池串层的一侧设有用于与外部接线盒连接的至少两根汇流条；第一封装层，第一封装层设置于电池串层面向至少两根汇流条的一侧；第一封装层包括用于汇流条穿过的第一开口；第...
    2026-04-27
  • 光伏组件
    光伏组件_晶科能源股份有限公司_202511612693.4
    本公开实施例涉及光伏领域，提供一种光伏组件，包括：正对设置的前板以及背板、电池串、封装胶膜以及应力缓冲部，电池串包括多个电连接的电池片，且电池串位于前板以及背板之间；封装胶膜位于前板以及背板之间，且覆盖电池串的表面；应力缓冲部位于前板朝向电...
    2026-04-27
  • 一种单玻光伏组件的制备方法及光伏组件
    一种单玻光伏组件的制备方法及光伏组件_晶澳(扬州)新能源有限公司_202511407292.5
    本发明涉及一种单玻光伏组件的制备方法及单玻光伏组件，方法包括以下步骤：制备预层压件：依次层叠前盖板、前封装胶膜、电池串、后封装胶膜；加工背板；将背板与预层压件的后封装胶膜层叠进行层压得到层压件；将层压件装边框处理得到单玻光伏组件；加工背板包...
    2026-04-27
  • 一种低辐射碲化锌工艺碲化镉发电玻璃窗体
    一种低辐射碲化锌工艺碲化镉发电玻璃窗体_佳木斯中建材光电材料有限公司_202511313534.4
    一种低辐射碲化锌工艺碲化镉发电玻璃窗体，包括发电玻璃窗体，所述的发电玻璃窗体包括依次设计的Low‑E功能层、EVA透明密封层、碲化锌功能层和碲化镉功能层，所述的Low‑E功能层、EVA透明密封层、碲化锌功能层和碲化镉功能层的两侧边缘为相同结...
    2026-04-27
  • 一种三结砷化镓太阳电池外延片及其制备方法
    一种三结砷化镓太阳电池外延片及其制备方法_南昌凯迅光电股份有限公司_202511912566.6
    本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种三结砷化镓太阳电池外延片及其制备方法，该三结砷化镓太阳电池外延片自下而上依次为Ge衬底、底电池、缓冲层、中底超晶格隧穿结、DBR、中电池、中顶超晶格隧穿结、顶电池、欧姆接触层，中底超晶格隧穿结和中顶...
    2026-04-27
  • 一种三结太阳电池的外延结构及其制造方法
    一种三结太阳电池的外延结构及其制造方法_厦门银科启瑞半导体科技有限公司_202511917111.3
    本发明公开一种三结太阳电池的外延结构及其制造方法，包括依次层叠生长的第一子电池、第二子电池和第三子电池；所述第二子电池包括InGaAs基区、InGaAs发射区、第一背场层和第一窗口层；所述第三子电池包括GaInP基区、GaInP发射区、第二...
    2026-04-27
  • 静电保护器件及其制备方法
    静电保护器件及其制备方法_深圳市创飞芯源半导体有限公司_202511906930.8
    本发明提供一种静电保护器件及其制备方法，静电保护器件包括：第一导电类型的半导体衬底；形成在半导体衬底中的第二导电类型掺杂区；形成在第二导电类型掺杂区中的第一导电类型掺杂区，其中，第一导电类型和第二导电类型相反；第二导电类型掺杂区与第一导电类...
    2026-04-27
  • 高压静电防护电路
    高压静电防护电路_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511415647.5
    本发明提供一种高压静电防护电路。该电路设置于第一电源端和第二电源端之间，包括多个串联连接的双极结型晶体管，每个晶体管的基极与其发射极电连接。本发明采用双极结型晶体管替代传统的CMOS器件，从根本上避免了栅氧长期高压应力下的可靠性风险，提升了...
    2026-04-27
  • 高压PNP静电防护器件
    高压PNP静电防护器件_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511415538.3
    本发明公开了一种高压PNP静电防护器件，包括：P型衬底中的N型埋层，N型埋层上方的P型外延；P型外延中间隔排布的第一深N阱、第二深N阱和第三深N阱；第一N阱、第二N阱和第三N阱分别位于第一深N阱、第二深N阱和第三深N阱上方；第一P阱位于第一...
    2026-04-27
  • 高压PNP结构静电防护器件
    高压PNP结构静电防护器件_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511415531.1
    本发明提供一种高压PNP结构静电防护器件，器件包括：P型衬底、形成于其内的N型埋层、深N阱、N阱和P型发射极区，共同构成一PNP晶体管，其中位于两端的P型重掺杂为集电极，深N阱为基极，位于中间的P型重掺杂为发射极。器件的击穿电压由所述基极和...
    2026-04-27
  • 一种集成电路的标准单元结构及制备方法
    一种集成电路的标准单元结构及制备方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410933459.0
    本申请公开了一种集成电路的标准单元结构及制备方法，包括位于衬底的PPNN区域，所述PPNN区域包括PP区和NN区；所述PP区和所述NN区中包括多个沿第一方向延伸的第一鳍片，所述PP区和所述NN区中的至少之一包括多个沿第一方向延伸的第二鳍片，...
    2026-04-27
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