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  • 本发明实施例提出了一种相位切换装置及相位插值器,涉及相位插值器领域。该相位切换装置包括时钟输入模块、时钟切换模块;时钟切换模块包括控制单元、判断单元、充电电容和至少两条充电路径。时钟输入模块向时钟切换模块发送相位不同的时钟信号;控制单元则依...
  • 本发明公开一种高精度高线性度相位插值器电路,属于相位插值器领域。象限选择及插值控制模块对插值控制字进行处理得到对其他各个模块的控制字,四个插值电流模块根据输入给各自的控制字产生对应的插值权重尾电流,尾电流输入给相位插值核心模块的四个对应不同...
  • 本发明提供一种集成温度补偿延迟单元的高精度相位插值电路,包括:温度补偿模块,用于根据三极管Q3的温度特性和电阻阵列R1,产生补偿电压VTEMPTEMP;延迟单元,与温度补偿模块连接,用于根据多个输入信号FININ、电容C0和输入反相器I0,...
  • 本发明涉及一种时钟相位全周期可调电路结构,包括相位延迟模块、相位时钟采样寄存模块、功能寄存器组以及多路选择器。相位延迟模块由多个延迟单元组成,用于对输入时钟信号施加精细可调的相位延迟;相位时钟采样寄存模块对延迟后的多个相位时钟进行采样,以判...
  • 本发明属于信号高功率微波信号测试的技术领域,具体公开了一种高功率微波信号大动态范围调理电路。该电路包括:限幅器,固定衰减器,微波开关一,数控衰减器,可变增益放大器,微波开关二,检波器,峰值保持电路;高功率微波信号输入限幅器的输入端,限幅器的...
  • 本发明公开了一种低功耗低温漂的环形振荡器,属于振荡器领域,包括压控环形振荡器电路、PTAT电压产生电路,所述的压控环形振荡器的控制电压输入端连接PTAT电压产生电路的输出端;PTAT电压产生电路用于产生一个与绝对温度成正比的电压;压控环形振...
  • 本发明公开了一种电力系统中移动信号的智能滤波方法及系统,涉及电力系统移动信号滤波领域,包括:获取该组网中发射端参考信号的固有参数,作为理论分析基准;在电力设备低负载或停机时进行基准测试获取固定环境的固定环境基线;在空间信号路径损耗数字化固定...
  • 本发明提供一种二阶IIR滤波器,其包括二阶IIR滤波单元、控制单元和输出单元。控制单元根据输入信号的频率信息确定是否需要更新所述滤波器系数,在需要更新所述滤波器系数时基于输入信号的频率信息计算得到最新的滤波器系数,并将最新的滤波器系数提供给...
  • 本发明属于宽带功率放大器领域,尤其涉及一种宽带阻抗变换器。本发明包括:输入阻抗变换器、输入匹配、驱动功率放大器、级间匹配、末级功率放大器、输出阻抗变换器。本发明基于HBT工艺,利用多层金属之间的耦合,实现了超宽带的阻抗变换器; 宽带的阻抗变...
  • 本申请涉及一种基于罗氏线圈非接触式电流传感的有源EMI滤波装置和功率系统,包括罗氏线圈模块、检测模块、误差放大模块和补偿注入模块;罗氏线圈模块的罗氏线圈环绕在接地导体周围;检测模块与罗氏线圈模块连接;误差放大模块的输入端与检测模块连接,误差...
  • 本发明提供了一种声表面波滤波器及其制作方法,其中,声表面波滤波器包括:衬底,衬底设置有多个第一凹槽,每个第一凹槽内设置有互联层;多个谐振器,多个谐振器设置在衬底上;多个谐振器包括间隔谐振器和相邻谐振器,其中,每个谐振器包括多个叉指电极和与多...
  • 本申请提供了一种具有抑制杂散响应的多层SAW器件,针对传统多层SAW器件易在器件工作时产生杂散响应,导致器件品质因数与机电耦合系数下降、带内纹波及插损恶化的问题,本申请在传统多层SAW器件的部分IDT层上方沉积一层质量块层,通过改变质量块的...
  • 一种声表面波谐振器的形成方法,包括:提供压电层;在所述压电层上形成电极材料层;在所述电极材料层上形成非晶硅层,所述非晶硅层的厚度小于300埃;在所述非晶硅层上形成光刻胶层,对所述光刻胶层进行曝光、显影,形成图形化层,所述图形化层暴露出部分所...
  • 本公开提供了一种声表面波谐振器与半导体量子点耦合器件及其制备方法,具体包括:第一衬底第一表面上的声表面波谐振器;第二衬底第二表面上的第一半导体量子点和第二半导体量子点,第一衬底的第一表面面向第二衬底的第二表面;第一共面波导传输线和第二共面波...
  • 本发明涉及5G/6G高频声表面波器件技术领域,特别涉及一种绝缘体上声表面波谐振器,包括衬底、设置于衬底上的压电层、设置于压电层上的高声阻抗及高声速层以及设置在高声阻抗及高声速层上的叉指电极,所述高声阻抗及高声速层完全覆盖压电层的上表面;本发...
  • 本申请涉及体声波谐振器技术领域,具体提供了一种体声波谐振器及其制备方法,该谐振器包括:由下至上依次连接的第一衬底、包覆式结构膜层、底电极、压电层和顶电极,包覆式结构膜层上设有声反射镜,底电极内设有温补层,底电极、压电层和顶电极的温度系数均与...
  • 本发明涉及一种嵌入式电极结构的横向激励体声波谐振器,属于射频通信技术领域,包括衬底、温度补偿层、压电层,三者存在以下布局中的至少一种:①所述温度补偿层、所述压电层顺次形成在所述衬底上,所述压电层背离所述温度补偿层的一侧刻蚀有凹槽阵列;②所述...
  • 本申请提供了一种压电振子及其应用。该压电振子包括压电振动体,压电振动体包括至少一层压电材料层,沿压电振动体的厚度方向,压电振动体的至少一侧表面设有绝缘涂层,压电振动体的厚度方向与压电材料层的厚度方向相同;绝缘涂层包括绝缘树脂基体和分散于绝缘...
  • 本发明涉及一种手动调节的大功率宽频带衰减控制装置及控制方法,第一调节单元提供离散档位对应不同第一衰减值,第二调节单元提供离散档位对应不同第二衰减值。处理模块根据第一、第二调节单元输入信息确定衰减值,计算目标衰减值并转换为6位并行二进制控制码...
  • 本发明公开了一种基于砷化镓IPD工艺的中频滤波器芯片,采用具有三层金属层的GaAs IPD工艺,包括六个谐振器、十二个电容及三个金属化接地孔。六个谐振器由电容CC11~CC66与电感LL11~LL66分别通过串/并联组成,且电感均为自建的八...
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