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一种电源柜防水监测处理结构
本发明涉及电源柜技术领域,尤其是一种电源柜防水监测处理结构,包括防护柜体,防护柜体设置有柜门,多个通风口,开设于防护柜体的侧壁上;防水通风组件,安装于通风口的内部,通过调节进风口角度进行防水;监测仓,设置于防护柜体的内部底部;通口,开设于监...
一种基于多传感器融合与联动分析的环保型数智化环网柜
本发明公开一种基于多传感器融合与联动分析的环保型数智化环网柜,涉及电力设备领域,旨在解决现有环网柜数据孤岛、故障诊断精度低、操作安全风险高的问题。其包括柜体、填充干燥空气的环保绝缘气箱、操作机构、多维度传感系统、智能控制单元及显示交互单元;...
一种集成化智能电能计量箱
本发明属于电能计量箱技术领域,且公开了一种集成化智能电能计量箱,包括箱体,箱体的内部固定有安装架,安装架的内部通过螺栓固定有安装板,安装板的内部安装有散热机构,安装板的内部设置有理线机构,理线机构的一端安装有拆装机构,伺服电机的驱动端固定有...
一种充气式环网柜拼柜装置及方法
本申请公开了一种充气式环网柜拼柜装置及方法,通过定位单元、水平度及高度检测单元精准获取柜体姿态与母线连接接口空间位置,搭配可调节底座和机械臂机器人的自动化调整,替代人工肉眼定位与粗放调整操作,大幅提升拼接定位精度,实现一次对接达标,降低了多...
一种低压计量箱的模块化进出线结构与接线方法
本发明公开了一种低压计量箱的模块化进出线结构与接线方法,包括:箱体、计量架、安装架、连接部和固定机构;固定机构设置于安装架内,固定机构包括固定部和移动部,固定部与安装架内壁滑动穿插连接,移动部与安装架远离连接部的一端滑动穿插连接,固定部用于...
一种防震环网箱
本申请涉及一种防震环网箱,涉及环网箱的技术领域,包括箱体,所述箱体的前侧竖直面上开设有安装腔、可拆卸安装有封堵安装腔开口的箱门,所述箱体的左右两侧面上开设有与安装腔连通的接线口;所述箱体的内壁上固设有位于接线口下方的固定座,所述固定座远离箱...
一种防盗电的电能计量箱
本发明提供了一种防盗电的电能计量箱,涉及电能计量箱,包括透明的箱体以及设于箱体内的电能表组件;安装座连接有能够带动安装座往防盗纸移动的防盗驱动装置,以及能够限制安装座移动的防盗锁定装置,防盗锁定装置具有锁定状态和脱离状态;处于锁定状态时,防...
一种多波长垂直腔面发射激光器及其制备方法
本申请涉及半导体器件的技术领域,公开一种多波长垂直腔面发射激光器及其制备方法。其中激光器包括:顺次设置的衬底、下分布式布拉格反射镜以及激光层,激光层包括多个通过隔离区隔开的激光单元,每个激光单元包括具有点缺陷的孔阵列;光栅层,与激光层之间设...
适用于高温工作环境的高功率量子级联激光器及外延结构
本发明公开了适用于高温工作环境的高功率量子级联激光器的外延结构,其结构由下到上依次包括:InP衬底、InP缓冲层、InP下限制层、InGaAs下波导层、InGaAs/InAlAs超晶格有源区、InGaAs上波导层、InP上限制层、InP欧姆...
一种双波长超辐射发光二极管及其制备方法
本发明提供一种双波长超辐射发光二极管及其制备方法,双波长超辐射发光二极管包括层叠设置的衬底、第一半导体包层、第一光限制层、量子阱有源层、第二光限制层和第二半导体包层,第二半导体包层远离第二光限制层的一侧表面设置有脊波导结构;其中,量子阱有源...
一种VCSEL芯片氧化孔道的精确控制方法
本发明公开了一种VCSEL芯片氧化孔道的精确控制方法,包括计算氧化过程中材料体积收缩导致的收缩应力分布,获得其在氧化孔道不同深度区域的分布参数;模拟收缩应力对氧化孔道形状和位置的影响,得到孔道的预测形变量和位置偏移量;以减小预测形变量和位置...
半导体激光元件
本发明提供一种半导体激光元件,能够进行光的波长的控制、和光输出的改善。一种半导体激光元件,具备:激光区域,使光进行激光震荡;放大区域,与所述激光区域相邻,对所述光进行放大;以及电阻体,设置于所述激光区域,用于对所述激光区域进行加热,所述电阻...
一种面向大算力AI芯片光接口光源的微环自动功率均衡系统
本发明公开了一种面向大算力AI芯片光接口光源的微环自动功率均衡系统,系统中基于重构等效啁啾技术的阵列激光器的N个输出端与对应耦合器输入端连接,末级耦合器输出端与级联式微环谐振器输入端连接,级联式微环谐振器Drop口波导输出端与对应PD的N输...
一种驱动电路、光发射组件、光模块及设备
本申请实施例提供的一种驱动电路、光发射组件、光模块及设备,包括:第一连接端的一端与参考节点电连接,第一连接端的另一端用于接收第一偏置电压;第二连接端的一端与参考节点电连接,第二连接端的另一端用于外接驱动模块;第二连接端用于根据第一偏置电压为...
一种超临界氨水复合体系的AlGaAs半导体激光器腔面处理方法
本发明涉及一种超临界氨水复合体系的AlGaAs半导体激光器腔面处理方法,包括:在预镀Al22O33薄膜的AlGaAs解理面上,采用SCNH33 : SCH22O混合超临界流体SCF,通过梯度升压处理,形成AlON界面层。本发明利用SCNH3...
高可靠性GaAs基大功率激光器外延结构及制备方法
本发明公开了高可靠性GaAs基大功率激光器外延结构及制备方法,从下至上包括:GaAs衬底,Alx1Ga1‑x1AsN限制层,Alx2Ga1‑x2AsN波导层,Inx3Ga1‑x3As量子阱层, Alx5Ga1‑x5AsP波导层,Alx6Ga...
一种半导体激光器及其加工方法
本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种半导体激光器及其加工方法,包括安装架、底板、顶板、电极片和多个激光器堆叠组件,激光器堆叠组件包括第一激光器单元和第二激光器单元,第一激光器单元包括第一激光器本体、第一支撑板和第一底板;第二激光器单元包括...
一种提高半导体激光器散热性能的散热结构及制作方法
本申请提供的一种提高半导体激光器散热性能的散热结构及制作方法涉及半导体激光器技术领域。该散热结构包括巴条,所述巴条的N面和P面分别设置有第一水冷板,所述巴条两侧的解理面分别设置有第二水冷板。所述的第一水冷板内设置有第一液冷通道、第一进液口和...
一种全金锡封装的宏通道光斑准直激光器及其制备方法
本发明公开了一种全金锡封装的宏通道光斑准直激光器及其制备方法,属于半导体激光器制备技术领域。本发明公开的全金锡封装的宏通道光斑准直激光器,该装置根据芯片发光角度设计对应的WCu电极,实现半导体激光器芯片的可靠性封装,在散热热沉结构基础上设计...
一种可量产的边发射激光器制备方法
本申请涉及半导体激光器的技术领域,尤其是涉及一种可量产的边发射激光器制备方法,包括以下步骤,在衬底上依次生长出各外延层;在外延层顶部旋涂底胶;在底胶顶部叠涂顶胶;通过曝光和显影,在外延层顶部形成脊结构图案;通过ICP对脊结构图案其余部位进行...
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