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最新专利技术
  • 一种具有柳絮状表面的氟化碳复合正极材料及其制备方法、应用
    一种具有柳絮状表面的氟化碳复合正极材料及其制备方法、应用_贵州梅岭电源有限公司_202511627219.9
    本发明属于锂一次电池技术领域，公开了柳絮状表面氟化碳复合正极材料及其制备方法与应用。其核心是 “行星球磨预混 + 真空摆震研磨” 协同两步法：先将氟化碳与金属氧化物 / 硫化物等预混，再经真空摆震研磨重构微观形貌，制得柳絮状交织表面的复合材...
    2026-02-24
  • 一种双极集流体及其热压工艺
    一种双极集流体及其热压工艺_江阴纳力新材料科技有限公司_202511616486.6
    本发明公开了一种双极集流体及其热压工艺，涉及双极集流体技术领域。所述双极集流体热压工艺具体步骤为将双极集流体的A/B面通过分段式梯度温控，进行“分区涂布‑独立辊压”的异步热压，降温，得到产品。本发明提供的热压工艺解决了现有技术中的“卷边”问...
    2026-02-24
  • 固态电池极片转印方法
    固态电池极片转印方法_中汽新能(天津)电池科技有限公司_202511497574.9
    本发明属于锂离子电池技术领域，具体涉及种固态电池极片转印方法，包括以下步骤：电解质放卷步骤：将涂布在基膜上的固态电解质卷进行放卷，并引导至一剥离平台；裁切步骤：在所述剥离平台上，将所述固态电解质裁切成预定尺寸；剥离与吸附步骤：将裁切后的所述...
    2026-02-24
  • PANI与高分子有机酸复合材料，水系锡离子电池正极及电池
    PANI与高分子有机酸复合材料，水系锡离子电池正极及电池_三峡大学_202511411631.7
    本发明涉及水系锡离子电池领域，公开了一种新型酸性水系锡离子电池正极材料。所述复合材料由聚苯胺与高分子有机酸经一步氧化聚合‑水相混合制得。高分子有机酸所含官能团在酸性电解液中形成局域质子缓冲层，可抑制PANI因自发去质子化而导致的活性位点失活...
    2026-02-24
  • 一种基于凝胶法制备Si@MOF复合多级孔硅基负极材料的方法
    一种基于凝胶法制备Si@MOF复合多级孔硅基负极材料的方法_昆明理工大学_202511287613.2
    本发明公开了一种基于凝胶法制备Si@MOF复合多级孔硅基负极材料的方法，属于锂离子电池负极材料技术领域。该方法具体包括以下步骤：(1)预处理；(2)硅藻土活化；(3)MOF前驱液配制；(4)原位生长ZIF‑8；(5)预分散；(6)催化水解；...
    2026-02-24
  • 电极制造装置和电极制造方法
    电极制造装置和电极制造方法_SK新能源株式会社_202510952098.9
    本公开提供一种电极制造装置，该电极制造装置用于制造包括箔上涂覆有活性物质的涂覆部和所述箔上未涂覆有活性物质的未涂覆部的电极，所述电极制造装置包括：延伸带部，通过对所述未涂覆部进行加压来使所述未涂覆部延伸；以及轧辊部，通过对所述涂覆部进行加压...
    2026-02-24
  • 正极片及电化学装置
    正极片及电化学装置_浙江锂威能源科技有限公司_202511356147.9
    本发明提供了一种正极片及电化学装置，正极片包括正极集流体、第一活性物质层、第二活性物质层、第一无机涂层和第一底涂层，第一活性物质层和第二活性物质层分别设置在所述正极集流体的两侧，第一无机涂层、第一底涂层和第一活性物质层位于正极集流体的同一侧...
    2026-02-24
  • 一种高压引燃的长寿命宽光谱等离子体灯
    一种高压引燃的长寿命宽光谱等离子体灯_中国科学院合肥物质科学研究院_202511864098.X
    本发明提供一种高压引燃的长寿命宽光谱等离子体灯，涉及射频微波等离子体光源的领域，其中，采用外部的高压模块输出高压脉冲信号，输入灯泡顶部的两端，高压模块放电产生高压引燃信号，灯泡内部的气体被击穿，产生初始等离子体，微控制器控制射频微波功率信号...
    2026-02-24
  • 一种高通量真空紫外光源装置
    一种高通量真空紫外光源装置_中国科学院大学_202511857265.8
    本发明公开了一种高通量真空紫外光源装置，属于高端分析仪器部件技术领域，包括射频功率放大激发机构、散热机构、放电介质气体气路机构、真空密封机构和发光机构，射频功率放大激发机构与发光机构相连接，发光机构一端与放电介质气体气路机构相连接，另一端与...
    2026-02-24
  • 电喷雾离子源设备
    电喷雾离子源设备_广东智普生命科技有限公司_202511387249.7
    本发明提供了电喷雾离子源设备，通过在电离腔中设置介电屏蔽结构，削弱在第二方向上背离所述样品气体的电场分量，以抑制高压喷雾毛细管的尖端产生回流积液并稳定电喷雾，采用本发明的设备，能够防止毛细管的尖端在电场的作用下产生回流积液，使液滴能够稳定发...
    2026-02-24
  • 一种用于远程等离子氧化设备的腔体结构及其使用方法
    一种用于远程等离子氧化设备的腔体结构及其使用方法_盛吉盛半导体科技(北京)有限公司_202511648534.X
    本发明公开了一种用于远程等离子氧化设备的腔体结构及其使用方法，其属于半导体设备技术领域，所述腔体结构包括凹陷的腔体，所述腔体内壁设有氧原子复合系数小于第一阈值的镀膜，所述腔体的侧壁上开设有等离子入口和传片口，所述腔体的底面上方固定设有金属环...
    2026-02-24
  • 等离子体处理装置及等离子体处理方法
    等离子体处理装置及等离子体处理方法_东京毅力科创株式会社_202511547653.6
    公开的等离子体处理装置具备腔室、基板支承器、高频电源、偏置电源及控制部。偏置电源构成为周期性地将脉冲状的负极性的直流电压施加到基板支承器。控制部构成为控制高频电源。控制部为了降低来自高频电源的负载的反射波的功率电平，控制高频电源，以使在对基...
    2026-02-24
  • 双模射频匹配网络选择系统及方法
    双模射频匹配网络选择系统及方法_拓荆科技(上海)有限公司_202511476711.0
    本发明公开了双模射频匹配网络选择系统及方法。所述系统包括：包括输入功率检测单元、开关切换单元、π型匹配网络以及T型匹配网络；输入功率检测单元与电源连接，且输入功率检测单元与开关切换单元连接；开关切换单元分别与π型匹配网络以及T型匹配网络连接...
    2026-02-24
  • 一种半导体刻蚀设备
    一种半导体刻蚀设备_江苏天芯微半导体设备有限公司_202511453052.9
    本发明公开了一种半导体刻蚀设备，包括工艺腔室、下电极腔室、升降机构和晶圆边缘压环。升降机构包括密封腔、导杆组件、支撑组件、驱动组件、导向组件。密封腔连接于下电极腔室的外壁，二者内部空间连通。所述导杆组件上下两端分别与驱动组件与支撑组件连接，...
    2026-02-24
  • 一种具有匀气盘冷却结构的刻蚀设备
    一种具有匀气盘冷却结构的刻蚀设备_江苏天芯微半导体设备有限公司_202511350244.7
    本发明公开了一种具有匀气盘冷却结构的刻蚀设备，包括刻蚀腔室、匀气盘、线圈壳体和匀气盘冷却结构。刻蚀腔室用于容纳晶圆并发生等离子体刻蚀反应；匀气盘设置在刻蚀腔室上端，用于向刻蚀腔室输送反应气体；线圈壳体设置在匀气盘上端，用于容纳线圈；匀气盘冷...
    2026-02-24
  • 半导体加工设备
    半导体加工设备_深圳市新凯来工业机器有限公司_202511286397.X
    本申请提供一种半导体加工设备，涉及半导体加工技术领域，用于解决相关技术中等离子体分布不均匀的问题，该半导体加工设备包括：等离子体腔室、环形柱状结构和调节机构，等离子体腔室内生成有处理待加工件的等离子体；环形柱状结构环绕于等离子体腔室的外周，...
    2026-02-24
  • 一种刻蚀装置和刻蚀方法
    一种刻蚀装置和刻蚀方法_中国科学院微电子研究所_202511135421.X
    本发明公开一种刻蚀装置和刻蚀方法，涉及工艺制造技术领域，以提高刻蚀装置对待刻蚀对象的刻蚀精度和刻蚀均匀性，提高刻蚀良率。刻蚀装置包括反应腔室、阻挡结构、等离子体激发源、供气结构和支撑结构。阻挡结构设置在反应腔室内，用于将反应腔室分隔为上腔室...
    2026-02-24
  • 非接触式测量物体间距离的方法和系统
    非接触式测量物体间距离的方法和系统_上海集迦电子科技有限公司_202510298725.1
    提供了一种用于非接触式精准测量相对于邻近物体的位置的系统和方法。所述系统包括工件、至少一低高度组件和一中央控制单元；所述低高度组件包括指向第一方向并大致平行于工件表面的主轴，所述主轴与所述邻近物体的内表面相交；所述低高度组件还包括至少一投影...
    2026-02-24
  • 用于半导工艺设备的射频系统的控制方法
    用于半导工艺设备的射频系统的控制方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202410939134.3
    本发明提供一种用于半导工艺设备的射频系统的控制方法，包括：在电源的第一输出功率下，完成阻抗匹配，获取匹配器的第一匹配状态；调节电源至第二输出功率，完成阻抗匹配，获取匹配器的第二匹配状态；比较匹配器在第一匹配状态下和第二匹配状态下的参数变化；...
    2026-02-24
  • 一种半导体刻蚀设备及其控制方法
    一种半导体刻蚀设备及其控制方法_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202410920069.X
    本申请提供一种半导体刻蚀设备及其控制方法，半导体刻蚀设备包括栅网和至少一个电磁线圈；栅网包括多个网孔，离子束可以通过栅网的网孔进行引出。电磁线圈围绕至少一个网孔或多个网孔环绕电磁线圈，至少一个电磁线圈用于提供目标形状和目标强度的磁场，以利用...
    2026-02-24
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