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最新专利技术
  • 蛋白质序列与结构共设计方法、装置、计算机设备及介质
    蛋白质序列与结构共设计方法、装置、计算机设备及介质_中国人民解放军军事科学院军事医学研究院_202511499266.X
    本发明属于人工智能和计算生物学领域，提出了一种蛋白质序列与结构共设计方法、装置、计算机设备及介质，包括输入初始噪声，初始噪声包含离散的蛋白质序列Token和结构Token、掩码Token；基于生成式流模型，通过连续时间马尔可夫链经过多个时间...
    2026-02-28
  • 一种运动诱导核受体乳酸化动力学分析方法
    一种运动诱导核受体乳酸化动力学分析方法_大连医科大学_202511477412.9
    本申请实施例公开了一种运动诱导核受体乳酸化动力学分析方法，包括：获取运动对象在运动设备上运动过程中核受体的原始乳酸化相关数据；对所述原始乳酸化相关数据进行预处理，得到预处理乳酸化相关数据；基于所述预处理乳酸化相关数据的变化特征，从多种模型中...
    2026-02-28
  • 基于环境DNA聚合分析的增殖放流苗种资源类评估方法
    基于环境DNA聚合分析的增殖放流苗种资源类评估方法_中国水产科学研究院南海水产研究所_202511468752.5
    本发明公开了一种基于环境DNA聚合分析的增殖放流苗种资源类评估方法，包括：对目标水域进行网格化分区，通过设计的采样方案采集水样，经DNA提取和高通量测序获得各采样点的物种序列信息。利用生物信息学方法对测序数据进行物种鉴定，识别放流物种并建立...
    2026-02-28
  • 磁阻式随机存取存储器阵列的脉冲信号产生器系统
    磁阻式随机存取存储器阵列的脉冲信号产生器系统_联华电子股份有限公司_202411012843.3
    磁阻式随机存取存储器阵列的脉冲信号产生器系统，包含延迟链电路、与非门、可调振幅反相器以及存储器阵列。延迟链电路用以接收输入信号，以产生延迟输出信号。与非门耦接延迟链电路，用以接收输入信号以及延迟输出信号，以产生第一脉冲信号。可调振幅反相器耦...
    2026-02-28
  • DRAM总线故障修复方法、设备及系统
    DRAM总线故障修复方法、设备及系统_碳芯微电子科技(深圳)有限公司_202511418882.8
    本申请公开了一种DRAM总线故障修复方法、设备及系统，涉及DRAM技术领域。方法包括：对DRAM颗粒的各个总线引脚执行驱动电流测试，并获取每个总线引脚对应的第一驱动电流值；若任一总线引脚的驱动电流目标值与第一驱动电流值之差大于第一预设值，则...
    2026-02-28
  • 控制器、存储器模块和存储器系统
    控制器、存储器模块和存储器系统_爱思开海力士有限公司_202411900285.4
    本公开涉及一种控制器、存储器模块和存储器系统。根据本公开，如果在存储器系统中包括的存储器的多个单位存储区域之中检测到缺陷区域，则相应的区域可以被设置为不使用区域，并且剩余区域可以被配置为不同于现有的第一组存储区域的第二组存储区域，并且待存储...
    2026-02-28
  • 一种提高动态随机存储器测试速度的方法及共享信号选择电路
    一种提高动态随机存储器测试速度的方法及共享信号选择电路_浙江力积存储科技股份有限公司_202511903136.8
    本发明提供了一种提高动态随机存储器测试速度的方法及共享信号选择电路，所述方法包括，将相邻多个地址信号合并成一个共享地址信号，并输入首个地址信号输入端；合并的多个地址信号对应的地址信号输入端连接至信号选择电路，所述信号选择电路将输入的所述共享...
    2026-02-28
  • 一种适用于ReRAM存储器的极化码BP检测方法
    一种适用于ReRAM存储器的极化码BP检测方法_华侨大学_202511396419.8
    本发明公开一种适用于ReRAM存储器的极化码BP检测方法，涉及新一代通信技术领域。所述方法包括：获取读取电阻值，进行硬判决，划分为高阻态单元和不确定单元；获取存储器阵列的噪声标准差计算决策阈值，对不确定单元进行判决，得到判决后的低阻态单元集...
    2026-02-28
  • 一种固态硬盘的性能测试方法、装置、设备及可读存储介质
    一种固态硬盘的性能测试方法、装置、设备及可读存储介质_上海林垚云计算科技有限公司_202511342439.7
    本发明公开了一种固态硬盘的性能测试方法、装置、设备及可读存储介质，涉及计算机存储设备测试技术领域，本测试方法覆盖连续读写速率、最高/平均传输速率、突发数据传输率、随机存取时间、CPU占用率等多维度性能指标，实现全面测试。引入环境控制机制，精...
    2026-02-28
  • 存储器测试方法及装置
    存储器测试方法及装置_华邦电子股份有限公司_202411469795.0
    本发明提供一种存储器测试方法及装置。所述方法包括下列步骤：在将多个晶粒闲置第一时间后，对晶粒进行第一阶段测试，且将未通过第一阶段测试的晶粒所对应的多个旗标设为第一逻辑电平；在将晶粒闲置第二时间后，对晶粒进行第二阶段测试，且将通过第二阶段测试...
    2026-02-28
  • 只读存储器漏洞修补方法、修补模块及电子设备
    只读存储器漏洞修补方法、修补模块及电子设备_安谋科技(中国)有限公司_202511558351.9
    本公开提供了一种只读存储器漏洞修补方法、修补模块及电子设备，涉及芯片领域，在CPU发送的请求信息指示的程序命中补丁片段的情况下，修补模块从随机存取存储器中读取命中的补丁片段；将所述补丁片段发送至所述中央处理器。本公开由修补模块独立于CPU对...
    2026-02-28
  • 串入串出eFuse电路及其控制方法、设备、存储介质
    串入串出eFuse电路及其控制方法、设备、存储介质_上海概伦电子股份有限公司_202511512329.0
    本申请提出一种串入串出eFuse电路及其控制方法、设备、存储介质。所述串入串出eFuse电路包括第一数量的D触发器、第二数量的电熔丝及一编码器，各个D触发器的第一输出引脚与编码器连接，将经由第一输出引脚输出的第一数量的第一控制信号传输给编码...
    2026-02-28
  • 存储器装置及其操作方法、存储器系统、存储介质
    存储器装置及其操作方法、存储器系统、存储介质_长江存储科技有限责任公司_202511521446.3
    本公开实施例提供了一种存储器装置及其操作方法、存储器系统、存储介质；存储器装置包括存储单元阵列及外围电路；存储单元阵列包括多个存储块；每个存储块包括多个存储单元及多条字线；外围电路被配置为：对选定字线耦接的存储单元执行第一读取操作时，在第一...
    2026-02-28
  • 闪存阵列的编程方法
    闪存阵列的编程方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511432052.0
    本发明提供了一种闪存阵列的编程方法，对选定存储单元的选定存储位进行编程时，对所述选定存储单元的选定存储位所对应的所述控制栅线施加第一电压；对与所述选定存储单元相邻的非选定存储单元的预设存储位所对应的所述控制栅线施加第二电压；其中，所述预设存...
    2026-02-28
  • 一种熔丝状态读写电路及集成芯片
    一种熔丝状态读写电路及集成芯片_深圳砺芯半导体有限责任公司_202511338778.8
    本申请公开了一种熔丝状态读写电路及集成芯片，涉及集成电路技术领域。通过上电复位电路在检测到工作电源的工作电压上升至预设翻转电压时，判定工作电压已稳定，输出对应的解除复位信号至使能电路；使能电路在接收到解除复位信号时，将外部提供的读信号进行延...
    2026-02-28
  • 多值单元编程电路
    多值单元编程电路_中国科学院微电子研究所_202410920697.8
    本申请公开了一种多值单元编程电路，设置于非易失性存储器中。该电路包括：基准电流生成单元，用于接收基准电压，并将基准电压转换为基准电流；多值电流生成单元，用于基于控制器发出的多值电流选取信号，将基准电流转换为设置电流；存储器单元选择器，用于基...
    2026-02-28
  • 用于有效读出保留退化的NAND数据的自适应方法
    用于有效读出保留退化的NAND数据的自适应方法_联想(新加坡)私人有限公司_202510952034.9
    本公开内容涉及用于有效读出保留退化的NAND数据的自适应方法。提供了一种操作具有固态驱动器(SSD)的计算装置的方法，其包括：获得预先存在的读取重试表，该读取重试表包括用于读取SSD的闪存的电压索引集的顺序列表；确定SSD的老化参数；基于老...
    2026-02-28
  • 用于调节跳变电平的存储器件及其操作方法
    用于调节跳变电平的存储器件及其操作方法_三星电子株式会社_202510625938.0
    本发明提供了一种用于调节跳变电平的存储器件及其操作方法。该存储器件包括：单元串，包括存储单元；以及页缓冲器，被配置为通过位线连接到单元串，并且被配置为通过感测锁存器电路感测存储单元中的所选择的存储单元的数据，其中，感测锁存器电路包括：感测锁...
    2026-02-28
  • 非易失性存储器及其数据擦除方法
    非易失性存储器及其数据擦除方法_长江存储科技有限责任公司_202511460864.6
    本申请实施例公开了一种非易失性存储器及数据擦除方法。存储器包括多个存储单元串，每个存储单元串包括串接的选择栅晶体管和存储单元。方法包括：向待进行擦除操作的存储单元串施加具有台阶状上升的电压波形的台阶擦除电压；在台阶擦除电压从其中间电平升高至...
    2026-02-28
  • 基于均衡策略的数据写入方法
    基于均衡策略的数据写入方法_深圳市振邦智能科技股份有限公司_202511558196.0
    本发明公开了一种基于均衡策略的数据写入方法，所述方法包括：获取目标存储器的所有活跃区块，并将所述活跃区块分为高磨损区块以及低磨损区块；将所述高磨损区块中的冷数据迁移至所述低磨损区块。本发明可以动态迁移冷数据，提高存储器的使用寿命。
    2026-02-28
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