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人造毛发用纤维、头发装饰品以及人造毛发用纤维的制造方法
本发明提供一种具有适度热收缩率的人造毛发用纤维。根据本发明,提供一种人造毛发用纤维,其包含聚氯乙烯系树脂和氯含有率64.0~67.0质量%的氯化聚氯乙烯系树脂,前述氯化聚氯乙烯系树脂包含氯含有率64.0~68.0质量%的第1氯化聚氯乙烯系树...
具有增容剂和后工业聚烯烃树脂的聚烯烃双组分纤维
本公开提供了一种纤维。在实施方案中,该纤维包括第一区域和第二区域。在该第一区域和该第二区域中的至少一者中存在组分。该组分由(i)工业后树脂(PIR)和(ii)基于丙烯酸酯的增容剂构成。
用于形成包含交联纤维的长丝的方法和长丝
一种用于形成包含交联纤维的长丝的方法,所述方法包括:提供水性悬浮液,所述水性悬浮液至少包含天然未改性的微纤化纤维素(MFC)纤维和作为交联剂的基于二氯三嗪的交联剂;以及干燥所述水性悬浮液以形成至少一根长丝,其中所述长丝包含至少50重量%、优...
具有增强热消散的异质外延半导体装置
一种形成半导体装置结构的方法包括使半导体衬底的表面图案化,其中半导体衬底包括具有大于约50W/m·K的热导率的材料。方法进一步包括:在半导体衬底的表面上共形地形成异质外延层结构,以及在异质外延层结构中形成半导体装置。根据一些实施例的半导体装...
镀覆装置及镀覆方法
本发明在镀覆中一边维持镀覆液的组成恒定,一边供给金属离子。一种镀覆装置,是镀覆基板的镀覆装置,具备:镀覆槽;阳离子交换膜,将上述镀覆槽内分隔成保存阳极液的阳极室与保存阴极液的阴极室;阳极,配置于上述阳极室;补给装置,向上述阴极液补给与在上述...
结构体的制造方法
本发明的课题为提供一种在用作各向异性导电性接合部件时能够实现优异的放置稳定性的结构体的制造方法。本发明的结构体的制造方法为制作具有由无机材料形成的绝缘性基材及沿绝缘性基材的厚度方向贯穿且彼此绝缘地设置的由导电性部件形成的多个导电通路的结构体...
电化学电池和电化学装置
本公开提供一种制造容易且能够改装的电化学电池和电化学装置。电化学电池具备:第一板和第二板,其分别在相对的内表面侧分别形成阳极室和阴极室;以及密封部,其设置在第一板与第二板之间,其中,密封部具有:多个框体,其从内侧朝向外侧,分别间隔配置;以及...
复合质子交换膜和经催化剂涂覆的复合质子交换膜
描述了复合质子交换膜。该复合质子交换膜包括三层,这三层包括质子交换膜层、连续无孔有机‑无机复合涂覆层和连续无孔交联聚电解质多层涂层。还描述了结合该复合质子交换膜的经催化剂涂覆膜和制造该复合质子交换膜的方法。
电解槽系统
一种电解槽系统20,包括电解槽16,所述电解槽具有:至少一个电解槽电池(11)堆(10);至少一个燃料入口(22),其用于所述至少一个电池堆(10)的燃料;至少两个废气出口(18、24),其用于来自所述至少一个电池堆(10)的废气,所述至少...
用于产生氢气和/或氧气的方法和系统
本发明涉及一种用于借助于电解产生氢气和/或氧气的方法(100),其中向电解单元(10)供应直流电(2),该直流电是使用整流器(20)从交流电(1)提供的,其中使用水回路(110)向该电解单元(10)供应水。使用冷却水冷却整流器(20),该冷...
加工多晶金刚石材料体的方法
一种用于浸出多晶金刚石(PCD)切削元件的方法,所述方法包括:提供浸出容器;将一定体积的液体酸浸出混合物引入所述浸出容器中;将所述PCD切削元件附接至夹具;将密封构件施加在所述PCD切削元件周围;将附接有所述PCD切削元件的所述夹具定位在所...
用于金属基材的化学预处理中的包含基于赖氨酸的聚合物的组合物
本发明涉及:一种化学预处理方法,其至少包括步骤1),即,使至少一种基材的至少一个金属表面至少部分地与适合于在所述表面上至少部分地形成涂膜的水性酸性组合物AC接触,其中AC除水之外还至少包含成分a1)和a2),即锆、钛和铪阳离子中的至少一种作...
无电极、无镍镀铜溶液和使用所述溶液的方法
本发明涉及一种用于薄镀铜的无电极、水性镀铜溶液,其包含以下各项或由其组成:铜离子源;选自由甲醛、乙醛酸和其来源组成的群组的还原剂;作为络合剂的酒石酸根离子源;改性剂,其选自由以下组成的群组:根据式(I)的包含EO单元和PO单元的EO‑PO嵌...
利用空间传感器的自动机器学习
本发明描述了包括处理模块及至少一个空间传感器的处理系统。在至少一实现方案中,处理模块包括基座及在处理模块的壁内的观察窗。在至少一实现方案中,空间传感器位于处理模块外部并邻近观察窗。在至少一实现方案中,运算设备电耦合至空间传感器。在至少一实现...
用于沉积原子层和制造菲涅耳波带片的反应器和方法
本发明涉及一种用于将至少一种材料的一个或更多个原子层沉积到基底上的反应器和方法。该反应器包括容纳喷淋头、基台和至少一个基底支架的反应室。该喷淋头包括至少一个气体出口,该至少一个气体出口被配置为提供至少一种材料的气流或至少一种材料的至少一种组...
通过原子层沉积来沉积硅薄膜的方法
描述用于通过原子层沉积来沉积硅薄膜的方法的方法、系统及装置。例如,一种装置可将基底材料(例如多个材料堆叠)暴露于第一前体以在所述基底材料上形成硅化合物,所述第一前体包含硅脒基。所述装置可使第二前体与所述硅化合物反应且可基于将所述基底材料暴露...
气体供给系统、处理装置、气体供给方法、半导体装置的制造方法以及程序
具备:第一开闭部,其设置于气化了的原料气体的流路上,对所述流路进行开闭;第二开闭部,其具有能够调整开度的阀部,且与所述第一开闭部并行地设置;缓冲容器,其设置于所述流路的比所述第一开闭部和所述第二开闭部靠下游的位置,暂时贮存所述原料气体;流量...
用于低介电膜沉积的前体
提供用于从为所需掺杂剂的单一源的氟碳硅烷、氟硅烷或碳硅烷前体中沉积低介电常数掺杂氧化硅膜的等离子体增强原子层沉积方法及装置。可通过利用具有至少一直接硅氟键或经由连接基连接至硅的氟的硅前体实现保形沉积。方法亦可包括氟碳氨基硅烷或氟氨基硅烷。
基板表面上的稀土金属氧化物膜
本发明公开了一种在基板的表面上制备稀土金属氧化物膜的方法。该方法包括在反应空间中以任意顺序交替进行以下步骤:a)将沉积表面暴露于氧的醇系前驱物,使得氧的醇系前驱物的至少一部分被吸附到基板的沉积表面上,并且随后用惰性气体吹扫沉积表面1‑180...
通过等离子体高速处理容器的容器处理设备
本发明涉及一种通过等离子体处理容器以便在所述容器的内壁和/或外壁上沉积阻隔涂层的容器处理设备(9),所述设备(9)被定位在容器的制造单元(2)和所述容器的灌装单元(10)之间,其显著特征在于,该容器处理设备包括:用于分配容器的至少一个分配输...
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