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最新专利技术
  • 具有电介质间隔体的半导体装置及其制造方法
    具有电介质间隔体的半导体装置及其制造方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202510913946.5
    本文涉及一种具有电介质间隔体的半导体装置及其制造方法。一种半导体装置，包括：封装体，其具有在第一平面中的顶侧和在与第一平面平行的第二平面中的底侧；从封装体突出的至少一条引线，引线包括位于与第一平面平行的平面中的第一部分和朝向第二平面远离第一...
    2026-01-21
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_三菱电机株式会社_202510823590.6
    本发明提供一种半导体装置，其能够稳定地确保与半导体模块的输出端子电连接的金属端子与半导体模块的控制端子之间的绝缘距离。至少一个半导体模块(1a)配置在底板(5)的上表面上，具有控制端子(3)和水平延伸的第一输出端子(2a)。基座(7)配置在...
    2026-01-21
  • 半导体结构及其制备方法和电子设备
    半导体结构及其制备方法和电子设备_武汉楚兴技术有限公司_202410888005.6
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法和电子设备，涉及半导体技术领域，旨在提高半导体结构的电学性能和结构的稳定性。半导体结构包括：衬底，以及贯穿衬底表面的第一沟槽；金属层，设于第一沟槽下方；导电结构，贯穿第一沟槽的底部且与金属层连接；导电结...
    2026-01-21
  • 功率模组及功率设备
    功率模组及功率设备_华为数字能源技术有限公司_202410882178.7
    本申请实施方式提供一种功率模组及功率设备。功率模组包括基板、第一预封装体、第一金属引出层及塑封体。基板、第一预封装体、第一金属引出层沿第一方向依次层叠设置，塑封体封装基板、第一预封装体及第一金属引出层。第一预封装体包括第一芯片、第一走线层及...
    2026-01-21
  • 一种基底刻蚀方法及刻蚀结构
    一种基底刻蚀方法及刻蚀结构_上海邦芯半导体科技有限公司_202511872285.2
    本申请公开了一种基底刻蚀方法及刻蚀结构，包括：在基底的表面上形成有机物掩膜；执行刻蚀工艺，对露出的基底表面进行刻蚀，形成高深宽比刻蚀结构；刻蚀工艺包括按第一刻蚀步骤、第二刻蚀步骤形成的周期性循环刻蚀步骤；第一刻蚀步骤使用第一气体(包括含氟气...
    2026-01-21
  • 玻璃通孔及其制备方法
    玻璃通孔及其制备方法_上海邦芯半导体科技有限公司_202511872283.3
    本申请公开了一种玻璃通孔及其制备方法，包括：在玻璃衬底的表面上形成光刻胶掩膜；执行第一刻蚀步骤，使用滤除了带电粒子的第一气体和第二气体的等离子体，对玻璃衬底的露出表面进行各向同性的第一刻蚀，形成通孔中间结构，并在其内壁和光刻胶掩膜上形成第一...
    2026-01-21
  • 玻璃通孔结构的实现方法和玻璃通孔
    玻璃通孔结构的实现方法和玻璃通孔_上海邦芯半导体科技有限公司_202511872280.X
    本申请公开了一种玻璃通孔结构的实现方法和玻璃通孔，包括在玻璃材料的衬底表面上形成多个光刻胶材料的掩膜，并对掩膜表面进行第一处理；执行刻蚀工艺，对衬底进行刻蚀形成通孔，刻蚀工艺包括按第一刻蚀步骤、第二刻蚀步骤形成的周期性循环刻蚀步骤，第一刻蚀...
    2026-01-21
  • 高深宽比玻璃通孔的制备方法及玻璃通孔
    高深宽比玻璃通孔的制备方法及玻璃通孔_上海邦芯半导体科技有限公司_202511872279.7
    本申请公开了一种高深宽比玻璃通孔的制备方法及玻璃通孔，包括：在衬底的表面上形成光刻胶掩膜；执行第一刻蚀步骤，使用滤除了带电粒子的第一气体的等离子体，对衬底进行各向同性的第一刻蚀，并在形成中的通孔内壁和光刻胶掩膜上形成第一聚合物层进行保护；执...
    2026-01-21
  • 一种大尺寸封装基板及其制备方法
    一种大尺寸封装基板及其制备方法_芯爱科技(南京)有限公司_202511860578.9
    本发明提供的一种大尺寸封装基板及其制备方法，技术方案如下：包括以下步骤：第一芯独立制造：在第一芯基材上依次进行第一层积层介电材料构建与SAP图案化、第二层积层介电材料构建与SAP图案化；施加编码器掩模；第二芯独立制造：在第二芯基材上进行第二...
    2026-01-21
  • 玻璃芯板的制备方法、玻璃芯板及芯片封装结构
    玻璃芯板的制备方法、玻璃芯板及芯片封装结构_成都奕成集成电路有限公司_202511582012.4
    本申请提供一种玻璃芯板的制备方法、玻璃芯板及芯片封装结构。首先，提供第一玻璃基板，接着，制作贯穿第一玻璃基板的第一导电通孔和第二导电通孔。再接着，提供种子层，将种子层设置在第一玻璃基板的一侧，其中，种子层与第二导电通孔处的第一玻璃基板形成空...
    2026-01-21
  • 一种封装结构及其制备方法
    一种封装结构及其制备方法_华进半导体封装先导技术研发中心有限公司_202511316973.0
    本发明涉及半导体封装技术领域，公开了一种封装结构及其制备方法。制备方法包括：提供临时载板；在临时载板的一侧表面形成包括多个重布线单元的重布线层，相邻重布线单元之间具有切割槽；在重布线层上设置多个芯片单元，芯片单元与重布线单元对应且电连接；在...
    2026-01-21
  • 一种扇出封装结构及其制备方法
    一种扇出封装结构及其制备方法_华进半导体封装先导技术研发中心有限公司_202511316058.1
    本发明涉及半导体封装技术领域，公开了一种扇出封装结构及其制备方法。制备方法包括：提供临时载板；在临时载板上设置正面朝向临时载板的目标芯片；在目标芯片的四周布设多个厚度大于目标芯片厚度的辅助芯片；形成包覆目标芯片和辅助芯片的塑封层；去除临时载...
    2026-01-21
  • 一种高深宽比金属填充通孔基板的制备方法
    一种高深宽比金属填充通孔基板的制备方法_广东工业大学_202511188227.8
    一种高深宽比金属填充通孔基板的制备方法，包括以下步骤：S100、在单层介质板上预埋金属线路，先在介质板的表面形成下凹的线槽，在线槽内填充金属至线槽满位；S200、将两个预埋金属线路的介质板通过混合键合方式进行键合；将两块单层介质板中相对的金...
    2026-01-21
  • 具有冷却单元的多层陶瓷基板及其制造方法
    具有冷却单元的多层陶瓷基板及其制造方法_株式会社DIT_202510903493.8
    本发明涉及一种具有冷却单元的多层陶瓷基板的制造方法。根据本发明，将设有处理芯片和/或存储芯片的中介层设置在多层陶瓷基板内部形成的流体容纳空间中，从而能够有效地冷却相关芯片，并可以防止相关芯片产生的热量传递到多层陶瓷基板。
    2026-01-21
  • TGV转接板及其制备方法
    TGV转接板及其制备方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202410876405.5
    本发明提供一种TGV转接板及其制备方法，采用第一激光法形成底部位于玻璃基板的第一盲孔，以及采用第二激光法形成底部位于玻璃基板的第二盲孔，而后分别自玻璃基板的第一面及玻璃基板的第二面进行减薄工艺，使得第一盲孔转变为第一通孔，以及使得第二盲孔转...
    2026-01-21
  • TGV转接板及其制备方法
    TGV转接板及其制备方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202410876097.6
    本发明提供一种TGV转接板及其制备方法，采用第一激光法形成自上而下贯穿玻璃基板的第一通孔，以及采用第二激光法形成自下而下贯穿玻璃基板的第二通孔，且形成的第二通孔与第一通孔交错设置，从而本申请可基于激光法在玻璃基板上制备具有较小间距，适合高密...
    2026-01-21
  • 一种高稳定性半导体引线框架及其制备方法
    一种高稳定性半导体引线框架及其制备方法_江苏恒盈电子科技有限公司_202511429851.2
    本发明涉及半导体引线框架技术领域，具体为一种高稳定性半导体引线框架及其制备方法，包括以下步骤：步骤1将铜、镍、硅、铬、磷和改性硼化钛一起球磨得到混合粉末；步骤2将混合粉末装入模具冷压成型，得到生坯；步骤3将生坯进行烧结处理和固溶处理，得到复...
    2026-01-21
  • 光电互连封装结构及其制备方法
    光电互连封装结构及其制备方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202410883046.6
    本发明提供一种光电互连封装结构及其制备方法，在玻璃基板中制备TGV金属柱、光波导层及键合TSV桥接板，通过光波导层提供光芯片的传输路径，以及通过TSV桥接板实现电芯片及光芯片的互连，从而实现电芯片与光芯片的高密度、高性能集成，减小封装尺寸，...
    2026-01-21
  • 光电互连封装结构及其制备方法
    光电互连封装结构及其制备方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202410883045.1
    本发明提供一种光电互连封装结构及其制备方法，采用第一激光法形成自上而下贯穿玻璃基板的第一通孔，以及采用第二激光法形成自下而下贯穿玻璃基板的第二通孔，且形成的第二通孔与第一通孔交错设置，从而本申请可基于激光法在玻璃基板上制备具有较小间距，适合...
    2026-01-21
  • 光电互连封装结构及其制备方法
    光电互连封装结构及其制备方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202410877589.7
    本发明提供一种光电互连封装结构及其制备方法，采用激光法形成底部位于玻璃基板的第一盲孔及第二盲孔，而后分别自玻璃基板的第一面及玻璃基板的第二面进行减薄工艺，形成交错设置的第一通孔与第二通孔，本申请可基于激光法及减薄工艺在玻璃基板上制备具有较小...
    2026-01-21
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