Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 一种IGBT器件及其制备方法
    一种IGBT器件及其制备方法_瑶芯微(上海)电子科技股份有限公司_202411108346.3
    本发明提供一种IGBT器件及其制备方法，该IGBT器件包括衬底、叠层结构、第一和二沟槽结构、通道层、发射区、缓冲区、集电区、第一和二接触区、各栅极、发射极及集电极，其中，包括阱区、载流子存储层及基区的叠层结构位于衬底上表层；第一、二沟槽结构...
    2026-01-25
  • 功率二极管器件及其制备方法
    功率二极管器件及其制备方法_北方工业大学_202511486557.5
    本发明属于超宽禁带半导体技术领域，具体涉及功率二极管器件及其制备方法，本发明采用MXene作为肖特基阳极材料，利用其超高电导率显著降低串联电阻，从而提升器件在高频和大电流应用中的性能。同时，通过调控MXene的表面终端和元素组成，可实现其功...
    2026-01-25
  • 一种高散热的垂直结构Ga2O3肖特基二极管及其制备方法
    一种高散热的垂直结构Ga2O3肖特基二极管及其制备方法_湖北九峰山实验室_202511444976.2
    本发明涉及一种高散热的垂直结构Ga22O33肖特基二极管及其制备方法，制备方法包括：S1.获取单晶氧化镓衬底，在单晶氧化镓衬底上制备高掺杂氧化镓层，在单晶氧化镓衬底上远离高掺杂氧化镓层的一面沉积肖特基接触金属层；S2.获取导热导电衬底，在导...
    2026-01-25
  • 台面型无铅化二极管芯片及制造工艺
    台面型无铅化二极管芯片及制造工艺_安徽安芯电子科技股份有限公司_202511549030.2
    本发明提供一种台面型无铅化二极管芯片及制造工艺，涉及二极管技术领域。该台面型无铅化二极管芯片自下而上依次包括背面金属层、半导体晶圆和顶部金属层；其中，台面型无铅化二极管芯片的沟槽处依次附着薄膜钝化层和聚酰亚胺层。本发明的采用台面型设计，结构...
    2026-01-25
  • 铪基铁电电容器、其制备方法以及铁电存储器
    铪基铁电电容器、其制备方法以及铁电存储器_中国科学院微电子研究所_202511246301.7
    本发明提供了一种铪基铁电电容器、其制备方法以及铁电存储器。铪基铁电电容器包括：衬底；第一电极和第二电极，第一电极设置在衬底上，第二电极设置在第一衬底上；铁电层，铁电层位于第一电极和第二电极之间；以及界面氧化层，界面氧化层位于选自如下中的至少...
    2026-01-25
  • 一种半导体结构及其形成方法
    一种半导体结构及其形成方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202410889427.5
    本申请提供一种提半导体结构，包括：第一基体，所述第一基体包括第一衬底以及位于所述第一衬底第一面的第一深沟槽电容；第二基体，所述第二基体包括第二衬底以及位于所述第二衬底第一面的第二深沟槽电容；以及所述第一基体的第一面和所述第二基体的第一面键合...
    2026-01-25
  • 具有气隙电性隔离的电感器
    具有气隙电性隔离的电感器_格芯(美国)集成电路科技有限公司_202510718872.X
    本发明涉及具有气隙电性隔离的电感器，揭露包括电感器的结构以及形成此类结构的方法。该结构包括包括多个第一密封腔体的半导体衬底，以及位于该半导体衬底上的后端工艺堆叠。各密封腔体包括气隙，且该后端工艺堆叠包括电感器，该电感器具有与该密封腔体重叠的...
    2026-01-25
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510902207.6
    一种半导体器件包括：有源图案，在第一水平方向上延伸并包括第一源极/漏极区、第二源极/漏极区以及在第一源极/漏极区和第二源极/漏极区之间的沟道区，第一源极/漏极区包括第一区域和第二区域，第二区域在沟道区和第一区域之间；金属半导体化合物层，在有...
    2026-01-25
  • 存储单元结构和半导体存储器件以及制造该存储单元结构和半导体存储器件的方法
    存储单元结构和半导体存储器件以及制造该存储单元结构和半导体存储器件的方法_爱思开海力士有限公司_202510655006.0
    本公开技术公开了一种存储单元结构、半导体存储器件及它们的制造方法。在一个实施例中，半导体器件包括：沿第一水平方向延伸的下互连；沿垂直于第一水平方向的第二水平方向延伸的上互连；以及以柱状排列在下互连与上互连之间的存储单元结构，其中存储单元结构...
    2026-01-25
  • 半导体装置与其制造方式
    半导体装置与其制造方式_鸿扬半导体股份有限公司_202410912907.9
    一种半导体装置包含元件区与源极垫。元件区包含多个晶体管，其中晶体管的任一者包含栅极介电层与在栅极介电层上的栅极存储器单元，且栅极存储器单元包含第一栅极层、电阻切换氧化层与第二栅极层。电阻切换氧化层在第一栅极层上。第二栅极层在电阻切换氧化层上...
    2026-01-25
  • 基于二维铁磁本征温控磁化特性的存储器件及制备方法
    基于二维铁磁本征温控磁化特性的存储器件及制备方法_中南大学_202511860798.1
    本申请属于存储器件领域，具体涉及基于二维铁磁本征温控磁化特性的存储器件及制备方法，存储器件包括衬底、源电极、漏电极、栅电极、沟道层和栅极介电层，源电极、漏电极和栅电极设置于衬底上；沟道层设置于源电极和漏电极之间，沟道层包括二维铁磁材料薄片；...
    2026-01-25
  • 一种基于DUV光刻的真空纳米井嵌入式存储器件及其1 nm等效密度实现方法
    一种基于DUV光刻的真空纳米井嵌入式存储器件及其1 nm等效密度实现方法_张雁秋_202511429154.7
    本发明公开了一种真空纳米井嵌入式存储器件及其1 nm节点等效密度重构方法。所述存储器件形成于CMOS后端金属层中，其核心为一个由绝缘侧墙气密性包裹的真空纳米井。该器件具有超低功耗、高密度和高可靠性等优异特性，具体为写入电压≤0.45 V，单...
    2026-01-25
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202511342095.X
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法为，首先形成一磁性隧穿结(magnetic tunneling junction, MTJ)于基底上的MRAM区域，然后形成一第一金属间介电层环绕MTJ，形成一图案化掩模于基底...
    2026-01-25
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202510852441.2
    本公开涉及一种半导体装置及其制造方法。一种半导体装置可以包括：第一导线，其在第一方向垂直取向；数据存储元件，其与第一导线水平间隔开；纳米片，其在垂直于第一方向的第二方向上水平取向，并且包括接触第一导线的第一片区和接触数据存储元件的第二片区，...
    2026-01-25
  • 三维存储器装置及其形成方法
    三维存储器装置及其形成方法_长江存储科技有限责任公司_202511826359.9
    在某些方面，一种三维(3D)存储器装置包括第一半导体结构、第二半导体结构、第三半导体结构、第一半导体结构和第二半导体结构之间的第一键合界面、以及第二半导体结构和第三半导体结构之间的第二键合界面。第一半导体结构包括存储器单元阵列和与NAND存...
    2026-01-25
  • 三维存储器及其制造方法
    三维存储器及其制造方法_长江存储科技有限责任公司_202511329809.3
    本发明提供一种三维存储器及其制造方法，所述制造方法包括：在衬底上形成第一区，所述第一区包括设置在所述衬底上的第一堆叠结构及第一沟道结构，所述第一沟道结构贯穿所述第一堆叠结构；在所述第一区上形成阵列共源极，所述第一沟道结构与所述阵列共源极连接...
    2026-01-25
  • 三维半导体装置叠层、具有其的系统，及其操作方法
    三维半导体装置叠层、具有其的系统，及其操作方法_旺宏电子股份有限公司_202410990295.5
    本发明提供一种三维半导体装置叠层、具有其的系统，及该三维半导体装置叠层的操作方法。三维半导体装置叠层包含第一与第二非易失性存储器阵列装置，以及功能性装置。第一与第二非易失性存储器阵列装置分别包含多个区块。功能性装置电性连接第一与第二非易失性...
    2026-01-25
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_爱思开海力士有限公司_202411736638.1
    本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。半导体装置可以包括：源极结构；栅极结构，其包括交替层叠的导电层和绝缘层；第一沟道层，其包括延伸穿过栅极结构的第一穿透部分和宽度小于第一穿透部分并且突出到源极结构中的第一末端；第二沟道层，其包括延伸...
    2026-01-25
  • 具有锐角的半导体结构及其制作方法
    具有锐角的半导体结构及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410951453.6
    本发明公开一种具有锐角的半导体结构及其制作方法，其中具有锐角的半导体结构包含一半导体基底，一第一绝缘层覆盖并接触半导体基底，一第一导电元件设置于第一绝缘层上，第一导电元件包含一底面和一侧壁，底面接触第一绝缘层，底面和侧壁之间形成一锐角，锐角...
    2026-01-25
  • 闪存存储器及其制造方法
    闪存存储器及其制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511394172.6
    本发明提供一种闪存存储器的制造方法，回刻字线材料层，字线材料层的顶表面高于第二侧墙的顶表面且低于第一侧墙的顶表面；执行快速热氧化工艺，将字线材料层的顶部氧化形成第一氧化层，以使字线材料层的顶表面不高于第二侧墙的顶表面；形成第二氧化层，第二氧...
    2026-01-25
首页 上一页 20 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证