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最新专利技术
  • 具有自检测回锁的上电复位电路及电子设备
    具有自检测回锁的上电复位电路及电子设备_厦门半导体工业技术研发有限公司_202511869113.X
    本发明公开了一种具有自检测回锁的上电复位电路，包括第一检测单元、第二检测单元和逻辑比较单元；通过第一检测单元的第一RC充放电单元进行电源电压检测与预充电，第一检测单元的第一回锁关断单元进行回锁关断与信号锁定，以得到第一检测电压；通过第二检测...
    2026-02-09
  • 一种Cascode结构组合器件及电池管理系统
    一种Cascode结构组合器件及电池管理系统_深圳真茂佳半导体有限公司_202511733826.3
    本申请涉及一种Cascode结构组合器件及电池管理系统，Cascode结构组合器件包括：耗尽型功率器件、第一增强型功率器件及第二增强型功率器件。在正常模式下，通过耗尽型功率器件的栅极驱动端的负压控制Cascode结构组合器件的开关，同时两个...
    2026-02-09
  • 开关元件的驱动装置
    开关元件的驱动装置_株式会社丰田自动织机_202510908607.8
    提供与控制端子串联连接的电阻器的电阻值的设定较容易的主动控制。开关元件的驱动装置(10)具备驱动器(11)、栅极电阻器(R1)、电阻器(R2)。驱动器(11)生成在低电平与高电平之间变化的基于控制信号(S 1)产生的驱动信号(S2)，将驱动...
    2026-02-09
  • 半导体装置、接口装置与操作方法
    半导体装置、接口装置与操作方法_创意电子股份有限公司_202411551539.6
    本发明提供一种半导体装置、接口装置与接口装置的操作方法，所述接口装置包括布置在第二管芯的第一可控延迟线、第一时钟生成器、相位检测器、第二可控延迟线以及第二时钟生成器。第一可控延迟线延迟第一管芯的源时钟信号来生成第一经延迟时钟信号。第一时钟生...
    2026-02-09
  • 半导体装置、接口装置与操作方法
    半导体装置、接口装置与操作方法_创意电子股份有限公司_202411326622.3
    一种半导体装置、接口装置与操作方法，所述接口装置适用于包括第一管芯以及第二管芯的半导体装置。第一管芯以及第二管芯通过电性连接以堆栈成三维结构。接口装置包括布置在第二管芯的可控延迟线、时钟生成器以及相位检测器。可控延迟线接收第一管芯的源时钟信...
    2026-02-09
  • 具有强鲁棒性和宽频率适应能力的积分模相位插值器电路
    具有强鲁棒性和宽频率适应能力的积分模相位插值器电路_西安交通大学_202511314441.3
    本发明公开了一种具有强鲁棒性和宽频率适应能力的积分模相位插值器电路，包括相位插值器阵列、开关偏置电压自适应调整电路、电流型模数转换器、二进制码转温度计码译码器及相位插值器输出驱动电路；相位插值器输出驱动电路与电流型模数转换器、相位插值器阵列...
    2026-02-09
  • 一种占空比校准电路及差分时钟信号产生装置
    一种占空比校准电路及差分时钟信号产生装置_浙江亿方杭创科技有限公司_202511520149.7
    本申请提供一种占空比校准电路及差分时钟信号产生装置，通过共模反馈电路模块与驱动电路模块的协同架构，并采用全模拟电路实现，可将外部的时钟信号占空比校准到50%。通过共模反馈电路模块实时采集驱动电路输出的差分信号的共模电平，直接与基准电压vre...
    2026-02-09
  • 一种倍宽线脉冲平顶振荡改善结构及方法
    一种倍宽线脉冲平顶振荡改善结构及方法_西北核技术研究所_202511370053.7
    本发明公开了一种倍宽线脉冲平顶振荡改善结构及方法，解决了现有倍宽线存在由于内线、外线反射畸变不一致引起的脉冲平顶振荡的问题；本发明倍宽线结构，包括一端封闭的倍宽线外筒，倍宽线外筒内依次同轴设置有内置磁芯的倍宽线中筒、倍宽线内筒，还包括内线短...
    2026-02-09
  • 一种用于无线通信的脉冲成形电路及其校准方法
    一种用于无线通信的脉冲成形电路及其校准方法_长沙驰芯半导体科技有限公司_202511546018.6
    本发明提供一种用于无线通信的脉冲成形电路及其校准方法，所述电路包括多个脉冲形成器，所述多个脉冲形成器中的每一个包括至少一个上升延迟单元和至少一个下降延迟单元，所述至少一个上升延迟单元和所述至少一个下降延迟单元的具体延迟时间能够分别进行独立控...
    2026-02-09
  • 一种船舶轴带变频器的电磁兼容优化方法及系统
    一种船舶轴带变频器的电磁兼容优化方法及系统_中船赛思亿(无锡)电气科技有限公司_202511860711.0
    本发明涉及干扰抑制技术领域，具体为一种船舶轴带变频器的电磁兼容优化方法及系统，本发明中，通过基于频率序列的离散与跳变限制后，将敏感干扰能量与电流误差与开关损耗逐项判定并筛除越界序列，遗传算法在剩余序列中执行交叉组合与幅值叠加，再通过变换与重...
    2026-02-09
  • 基于IWOA的声级计A计权滤波器设计方法及测量装置
    基于IWOA的声级计A计权滤波器设计方法及测量装置_湖南师范大学_202511853193.X
    本发明公开了一种基于IWOA的声级计A计权滤波器设计方法及测量装置，本发明方法包括确定声级计A计权滤波器中需要优化的目标子滤波器；对目标子滤波器进行数字化建模以获得数字化后的滤波器模型，对数字化后的滤波器模型建立约束条件并构建目标优化函数，...
    2026-02-09
  • 一种用于ADC的滤波电路、真有效值计算电路和ADC
    一种用于ADC的滤波电路、真有效值计算电路和ADC_无锡芯加集成电路有限公司_202511505453.4
    本发明涉及滤波电路技术领域，公开了一种用于ADC的滤波电路、真有效值计算电路和ADC，滤波电路包括模拟调制器、IIR滤波器和CIC滤波器；模拟调制器用于对输入的模拟信号进行调制，输出疏密波信号；IIR滤波器用于在模拟调制器的OSR低于阈值时...
    2026-02-09
  • 一种可变增益移相器和相控阵系统
    一种可变增益移相器和相控阵系统_苏州矽典微智能科技有限公司_202410907156.1
    本发明实施方式公开了一种可变增益移相器和相控阵系统，该移相器包括：被配置为响应于输入信号输出正交信号的信号产生模块，正交信号包括I路信号和Q路信号；被配置为响应于第一控制信号，调节I路信号的幅值以输出第一加权信号的第一加权模块；被配置为响应...
    2026-02-09
  • 基于源随器的高线性高镜像抑制比的混合复数滤波器电路
    基于源随器的高线性高镜像抑制比的混合复数滤波器电路_西北工业大学_202511855543.6
    本发明提供一种基于源随器的高线性高镜像抑制比的混合复数滤波器电路，属于射频接收机技术领域。本发明通过采用源随器结构实现多相信号滤波与低通滤波的混合功能，有效提升电路线性度并显著增强镜像抑制能力。同时，引入具有高通特性的AC耦合网络，为电路提...
    2026-02-09
  • 一种工程应用的降采样率方法
    一种工程应用的降采样率方法_中国船舶集团有限公司第七一五研究所_202511476455.5
    本发明涉及一种工程应用的降采样率方法，包括以下步骤，步骤1，升降采样过程设计：基于工程需求根据降采样后每一批的点数确定升采样前数据点数和每一批数据抽样起始位置进行设计；步骤2，升采样过程：在升采样过程中，首先要根据降采样前后的采样率确定升采...
    2026-02-09
  • 一种具有输入端宽带无反射特性的高隔离高选择性滤波功分器
    一种具有输入端宽带无反射特性的高隔离高选择性滤波功分器_大连海事大学_202511423603.7
    本发明公开的一种具有输入端宽带无反射特性的高隔离高选择性滤波功分器，包括：输入端口、两个输出端口、双L形无反射吸收结构、两段微带连接线、两段平行耦合线、两个L形阶跃谐振器、两个无反射吸收隔离电阻、四分之一波长平行耦合连接线和两段U形传输线；...
    2026-02-09
  • 滤波器、射频前端模组和电子设备
    滤波器、射频前端模组和电子设备_锐石创芯(重庆)微电子有限公司_202511749902.X
    本申请涉及一种滤波器、射频前端模组和电子设备，滤波器包括压电衬底、以及设于压电衬底表面的第一反射栅和两个叉指换能器，两个叉指换能器分列于第一反射栅的相对两侧；第一反射栅包括相连接的第一指条、第二指条和第三指条，第一指条和第二指条沿第一方向分...
    2026-02-09
  • 基于支撑结构的谐振器滤波器结构、滤波器及电子设备
    基于支撑结构的谐振器滤波器结构、滤波器及电子设备_诺思(天津)微系统有限责任公司_202511465501.1
    本发明涉及电路技术领域，具体涉及一种基于支撑结构的谐振器滤波器结构、滤波器及电子设备。基于支撑结构的谐振器滤波器结构，包括衬底和集成在所述衬底一侧的电路结构；所述衬底包括谐振器区域和电容区域；所述谐振器区域设置有谐振器电路结构，所述电容区域...
    2026-02-09
  • 一种弹性滤波器、多工器和弹性滤波器的制造方法
    一种弹性滤波器、多工器和弹性滤波器的制造方法_无锡市好达电子股份有限公司_202511433271.0
    本发明公开了一种弹性滤波器、多工器和弹性滤波器的制造方法。该弹性滤波器包括：支承基板；低声速层，低声速层设置在支承基板的一侧；压电基体，压电基体设置在低声速层远离支承基板的一侧，压电基体包括压电功能部和附着部；其中，附着部包括第一附着电极和...
    2026-02-09
  • 一种POI衬底、其制造工艺与声表面波滤波器
    一种POI衬底、其制造工艺与声表面波滤波器_青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司_202511391369.4
    本发明属于半导体制造技术领域，提供了一种POI衬底、其制造工艺与声表面波滤波器，所述制造工艺包括提供具有第一键合面的压电材料膜层，从第一键合面进行离子注入，然后在第一键合面上依次进行涂胶、曝光、显影、刻蚀，在压电材料膜层的内部形成开孔；将带...
    2026-02-09
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