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最新专利技术
  • 铜排均压装置及开关柜
    铜排均压装置及开关柜_许继德理施尔电气有限公司_202511413062.X
    本发明涉及以其形状为特征的非绝缘导体或导电体领域，特别是涉及到了一种铜排均压装置及开关柜。铜排均压装置包括作为弹簧屏蔽罩的螺旋弹簧，所述螺旋弹簧的内孔构成供铜排穿过的屏蔽腔，螺旋弹簧的簧圈与簧圈之间的间隙构成散热通道，为所述弹簧屏蔽罩配置有...
    2026-02-17
  • 用于电动飞行器的低压配电装置及电动飞行器
    用于电动飞行器的低压配电装置及电动飞行器_上海沃兰特航空技术有限责任公司_202511554455.2
    本申请提供了一种用于电动飞行器的低压配电装置及电动飞行器，低压配电装置包括配电装置壳体和配电结构，配电装置壳体和配电结构形成多个配电模块。配电装置壳体包括主体、多个盖板和多个电连接器，多个盖板用于分别至少部分遮盖多个配电模块，每个盖板经由活...
    2026-02-17
  • 一种美容用晖皓离子激发装置
    一种美容用晖皓离子激发装置_西安冷电康科技有限公司_202511483438.4
    本发明属于美容设备技术领域，尤其为一种美容用晖皓离子激发装置，包括装置壳体，装置壳体的头部设置有离子激发头，离子激发头包括绝缘基座和固定于其上的激发电极组，激发电极组由多个微电极以阵列形式排布构成；装置壳体内部设置有离子激发电路，离子激发电...
    2026-02-17
  • 一种水负离子发生装置及其发生方法
    一种水负离子发生装置及其发生方法_宁波勒纳德信息科技有限公司_202311824448.0
    本发明属于水负离子发生领域，具体是涉及到一种水负离子发生装置及其发生方法，其中水负离子发生装置包括振动机构Ⅰ、供水机构以及一个具有射流孔的射流腔；所述振动机构Ⅰ包括电源模块和振动片Ⅰ，所述振动片Ⅰ设置在所述射流腔的腔壁上，所述供水机构用于使...
    2026-02-17
  • 一种高功率脉冲功率系统同轴火花开关
    一种高功率脉冲功率系统同轴火花开关_中国舰船研究设计中心_202511337675.X
    本发明提供了一种高功率脉冲功率系统同轴火花开关，由同轴内导体、同轴外导体以及内凹型介质块三部分组成，通过合理设计同轴内导体渐变段和内凹型介质块的尺寸，实现了高效率传输微波信号的功能。本发明相较于通常使用的介质外凸、内导体半径不变型同轴火花开...
    2026-02-17
  • 一种半导体光放大器的制作方法及结构
    一种半导体光放大器的制作方法及结构_武汉国科光领半导体科技有限公司_202511466383.6
    本发明公开了一种半导体光放大器的制作方法及结构，其中方法包括：对衬底表面进行布局，将衬底表面沿长度方向依次划分为第一模斑转换器区、第一放大区、第二放大区和第二模斑转换器区；在衬底上生长缓冲层材料；在缓冲层材料上制作预设的掩膜对图形；在未被掩...
    2026-02-17
  • 一种混合集成多波长光源模块
    一种混合集成多波长光源模块_上海交通大学_202511330626.3
    本发明公开了一种混合集成多波长光源模块，适用于数据中心互联与传输、光计算与人工智能等对带宽密度与系统复杂度有需求的应用场景。该模块包括波长可调谐激光器芯片阵列、光学透镜组、光学隔离器、合波器、光学基板及温度控制器，通过混合集成方案实现多波长...
    2026-02-17
  • 一种超晶格结构的单模660nm半导体激光器件及其制备方法
    一种超晶格结构的单模660nm半导体激光器件及其制备方法_山东华光光电子股份有限公司_202511851312.8
    本发明提供一种超晶格结构的单模660nm半导体激光器件及其制备方法，属于光电子技术领域，采用多层外延结构，从下至上依次包括GaAs衬底与缓冲层、分段式下限制层与下波导层、多量子阱有源区、AlInP/GaP超晶格、上波导层与分段式上限制层、以...
    2026-02-17
  • 一种具有折射率调制结构的外延片及制备方法
    一种具有折射率调制结构的外延片及制备方法_山东华光光电子股份有限公司_202511237922.9
    本申请提供的一种具有折射率调制结构的外延片及制备方法涉及半导体激光器技术领域。该外延片包括衬底，所述的衬底上从下往上依次设置有缓冲层、N限制层、N波导层、量子阱层、P波导层、P限制层和帽层，所述的N波导层沿远离N限制层的方向依次包括N无源波...
    2026-02-17
  • 半导体激光器及其制备方法
    半导体激光器及其制备方法_苏州镓锐芯光科技有限公司_202511861361.X
    本申请提出一种半导体激光器及其制备方法。半导体激光器包括沿第一方向依次层叠设置的下限制层、下波导层、电子能量弛豫结构、有源层、上波导层和上限制层；其中，电子能量弛豫结构包括沿第一方向依次层叠设置的第一势垒层、电子能量弛豫层和第二势垒层；其中...
    2026-02-17
  • 半导体光学元件及其制造方法
    半导体光学元件及其制造方法_索尔思光电股份有限公司_202510915428.7
    公开了一种半导体光学元件和一种用于制造一半导体光学元件的方法。该半导体光学元件包括在一半导体基板上的一第一主动层和一第二主动层。该第一主动层是配置在该半导体基板的一激光区段上，该第二主动层是连接至该第一主动层且延伸于该半导体基板的一隔离区段...
    2026-02-17
  • 制造半导体光学元件的方法
    制造半导体光学元件的方法_索尔思光电股份有限公司_202510915127.4
    提供了一种制造半导体光学元件的方法，所述方法包含下列步骤：提供具有一第一传导类型的一半导体基板；于该半导体基板上沉积具有第一传导类型的一第一包覆层；于该第一包覆层上沉积一主动层；于该主动层上沉积具有一第二传导类型的一第二包覆层，其中第二传导...
    2026-02-17
  • 一种垂直腔面发射激光器及其氧化孔径控制方法
    一种垂直腔面发射激光器及其氧化孔径控制方法_江苏永鼎股份有限公司_202511877071.4
    本发明涉及半导体光电子器件技术领域，公开一种垂直腔面发射激光器及其氧化孔径控制方法，其中，垂直腔面发射激光器的P型电极上集成有散热结构，有源区的侧壁上设有掩埋异质结结构，氧化限制层的侧壁上设有限制层孔道；氧化孔径控制方法包括：根据制备的激光...
    2026-02-17
  • 一种非对称自旋注入的垂直腔面发射器及其制备方法
    一种非对称自旋注入的垂直腔面发射器及其制备方法_深圳技术大学_202511495538.9
    本发明公开一种非对称自旋注入的垂直腔面发射器及其制备方法，属于半导体激光器技术领域，该发射器包括GaAs衬底，依次生长在衬底上的GaNnAs自旋增强层和GaAs过渡层，以及制备在过渡层表面的非对称异质势垒结构，该结构由Al22O33绝缘层和...
    2026-02-17
  • 表面发射激光器
    表面发射激光器_杭州开幕光子技术有限公司_202511349856.4
    本申请实施例涉及一种表面发射激光器，包括：衬底；设于所述衬底上的底部反射镜结构、活性层和顶部反射镜结构；光栅结构，设于所述顶部反射镜结构上；所述光栅结构包括光栅基层和对光栅基层进行刻蚀形成的多条刻蚀道，所述多条刻蚀道在所述衬底上的投影轮廓为...
    2026-02-17
  • 光子晶体面发射激光器
    光子晶体面发射激光器_住友电气工业株式会社_202510878827.0
    本发明提供光子晶体面发射激光器，其具备：第一半导体层；有源层；光子晶体层；第二半导体层；第一电极；第二电极；以及电介质膜。光子晶体层具有第一区域、和具有与第一区域不同的折射率的多个第二区域。第一电极具有开口部。在层叠方向上，第二电极与开口部...
    2026-02-17
  • 光子晶体面发射激光器及其制造方法
    光子晶体面发射激光器及其制造方法_住友电气工业株式会社_202510878513.0
    本发明提供一种能够有助于单一模式下的振荡的光子晶体面发射激光器及其制造方法。光子晶体面发射激光器具备：第一半导体层；有源层，层叠于所述第一半导体层；光子晶体层，层叠于所述有源层；第二半导体层，相对于所述有源层而设置为与所述第一半导体层相反；...
    2026-02-17
  • 光子晶体面发射激光器及其制造方法
    光子晶体面发射激光器及其制造方法_住友电气工业株式会社_202510864884.3
    本发明提供一种能够提高光输出的光子晶体面发射激光器及其制造方法。光子晶体面发射激光器具备：第一半导体层；有源层，层叠于所述第一半导体层之上；第二半导体层，相对于所述有源层而设置为与所述第一半导体层相反；光子晶体层，设置于所述第一半导体层与所...
    2026-02-17
  • 调制光栅Y分支宽带调谐外腔激光器、设备
    调制光栅Y分支宽带调谐外腔激光器、设备_甬江实验室_202511315897.1
    本申请公开了调制光栅Y分支宽带调谐外腔激光器、设备，该调制光栅Y分支宽带调谐外腔激光器包括：半导体光放大器SOA增益芯片区；外腔波导区；耦合模块，半导体光放大器SOA增益芯片区和外腔波导区通过耦合模块耦合连接，其中，外腔波导区包括：波导结构...
    2026-02-17
  • 一种基于多层光子过滤层的高功率单模激光器结构
    一种基于多层光子过滤层的高功率单模激光器结构_深圳技术大学_202511591543.X
    本发明涉及垂直腔面发射激光器技术领域，特别是涉及一种基于多层光子过滤层的高功率单模激光器结构，包括衬底层，衬底层上设置有DBR，DBR内嵌设有有源区；DBR内嵌若干光子过滤层，光子过滤层的横向呈现中心低折射率区与外围高折射率区的一体化分布，...
    2026-02-17
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