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最新专利技术
  • 一种基于卷对卷工艺的等离子活化与硅烷锚定CNT复合铝集流体及其制备方法
    一种基于卷对卷工艺的等离子活化与硅烷锚定CNT复合铝集流体及其制备方法_深圳耀石锂电科技有限公司_202511405480.4
    本发明公开了一种用于制备CNT复合铝集流体的卷对卷(R2R)连续生产方法，依次对铝箔进行短时高功率等离子体活化、CNT墨水槽模涂布与干燥、秒级低温硅烷锚定固化、低温AlPO44钝化以及通孔‑浸渗‑互锁处理，得到CNT复合铝集流体。开发了一种...
    2026-02-23
  • 一种控制氧气流速制备高性能高镍三元正极材料的方法及其应用
    一种控制氧气流速制备高性能高镍三元正极材料的方法及其应用_南京师范大学_202511265093.5
    本发明公开了一种控制氧气流速制备高性能高镍三元正极材料的方法及其应用。该方法将前驱体和锂源研磨以充分混合，经过固相法高温煅烧制备出高镍三元正极材料Li1+a1+a[NixxCoyyMnzzMbb]O22，其中，氧气流速为0.1‑2.0 L/...
    2026-02-23
  • 一种电池生产用负极片的压片装置
    一种电池生产用负极片的压片装置_江苏和勤新能源有限公司_202511180514.4
    本发明公开了一种电池生产用负极片的压片装置，包括底座，底座的顶面滑动连接加工台，加工台的顶面设有多对等距阵列分布的压槽，每个压槽内分别滑动连接一个推料件，推料件固定连接清理件，加工台内设有风腔，风腔内悬空固定多个风机，风腔与清理件连通，底座...
    2026-02-23
  • 一种高熵薄膜正极的制备方法及其薄膜锂电池应用
    一种高熵薄膜正极的制备方法及其薄膜锂电池应用_西安交通大学_202510791702.4
    本发明属于电化学储能技术领域，涉及一种高熵薄膜正极的制备方法及其薄膜锂电池应用，包括：采用磁控溅射工艺将高熵正极材料以薄膜形式沉积于基底上，沉积过程中通过控制磁控溅射的工艺参数，实现对薄膜成分、结构及厚度的精确调控；高熵正极材料包括：锂基正...
    2026-02-23
  • 一种含二甲基二烯丙基氯化铵的改性锌粉负极及其制备方法
    一种含二甲基二烯丙基氯化铵的改性锌粉负极及其制备方法_维特新能(广东)科技有限公司_202511418750.5
    本发明涉及水系锌离子电池技术领域，具体公开了一种含二甲基二烯丙基氯化铵的改性锌粉负极及其制备方法，本发明将二甲基二烯丙基氯化铵作为功能添加剂，用于改性加入氧化铋(Bi22O33)等缓蚀剂的锌粉中，构建循环稳定的锌粉负极。二甲基二烯丙基氯化铵...
    2026-02-23
  • 一种移动取样飞行时间质谱检测装置及应用
    一种移动取样飞行时间质谱检测装置及应用_安徽工业大学_202511822436.3
    本发明公开一种移动取样飞行时间质谱检测装置及应用，属于质谱分析技术领域。装置包括：壁面设轴向多取样区的反应管、套于反应管外且侧壁装石英喷嘴的套管、驱动套管轴向运动的移动机构、含漏斗与多级涡轮泵的分级抽气机构、内设同步辐射真空紫外光源的光电离...
    2026-02-23
  • 离子源、离子源的控制方法及质谱仪
    离子源、离子源的控制方法及质谱仪_深圳市禾越生物科技有限公司_202511870698.7
    本申请涉及质谱仪技术领域，提供了离子源、离子源的控制方法及质谱仪，离子源包括主体、第一雾化机构、第二雾化机构、超声波悬浮机构以及放电件；主体设有腔室，腔室设有出口；第一雾化机构至少部分位于腔室内并与腔室连通，第一雾化机构用于将样品溶液雾化到...
    2026-02-23
  • 一种源内裂解可控的脉冲直流电弧诱导纳升电喷雾电离源和质谱联用系统及检测方法
    一种源内裂解可控的脉冲直流电弧诱导纳升电喷雾电离源和质谱联用系统及检测方法_四川师范大学_202511422987.0
    本发明公开了一种源内裂解可控的脉冲直流电弧诱导纳升电喷雾电离源和质谱联用系统及检测方法，系统包括质谱、石英毛细管、金属线圈、正极导线、负极导线和直流电弧发生器。将脉冲直流电弧等离子体的高电荷密度特性与金属线圈诱导的溶液极化效应相结合，构建双...
    2026-02-23
  • 一种基于正和负双离子源的加速器质谱仪系统
    一种基于正和负双离子源的加速器质谱仪系统_启先药测(雄安)科技有限公司_202511456118.X
    本发明涉及一种基于正和负双离子源的加速器质谱仪系统，包括双离子源子系统，包括固体进样负离子源、气体进样正离子源、可翻转静电分析器以及高压台架；气体进样正离子源为电子回旋共振电离源，能够产生1+、2+、3+及全剥离态的正离子束流；本发明中，通...
    2026-02-23
  • 一种多功能复合离子源装置、不同极性物质的检测方法
    一种多功能复合离子源装置、不同极性物质的检测方法_南方科技大学_202511201302.X
    本发明涉及质谱分析技术领域，尤其涉及一种多功能复合离子源装置、不同极性物质的检测方法，多功能复合离子源装置包括：具有收容空间的壳体、设置于壳体一侧的质谱进样口，以及设置于壳体背离质谱进样口一侧的多功能复合离子源单元；多功能复合离子源单元包括...
    2026-02-23
  • 一种用于等离子体刻蚀系统的栅极系统及等离子体刻蚀系统
    一种用于等离子体刻蚀系统的栅极系统及等离子体刻蚀系统_四川科尔威光电科技有限公司_202511833988.4
    本发明公开了一种用于等离子体刻蚀系统的栅极系统及等离子体刻蚀系统，属于集成电路制造领域，包括顺次排列的临近放电室放电出口侧的栅网、…第N中间栅网和临近干刻部件侧的栅网，每一栅网包括基板，基板上均匀分布有若干栅网孔，基板的外表面设置有第一低表...
    2026-02-23
  • 一种离子能量控制筛网装置及半导体刻蚀设备
    一种离子能量控制筛网装置及半导体刻蚀设备_上海稷以科技有限公司_202511483983.3
    本发明涉及半导体设备技术领域，更具体地说，涉及一种用于原子层刻蚀的离子能量控制筛网装置及半导体刻蚀设备。本装置至少包括第一金属网、第二金属网、第三金属网和第四金属网，以及电场电极板；第一金属网和第二金属网依次设置；电场电极板，设置在第二金属...
    2026-02-23
  • 一种非接触感应加热晶圆载台以及半导体刻蚀设备
    一种非接触感应加热晶圆载台以及半导体刻蚀设备_上海稷以科技有限公司_202511483972.5
    本发明涉及半导体设备技术领域，更具体地说，涉及一种非接触感应加热晶圆载台以及半导体刻蚀设备。本发明的晶圆载台，至少包括：导热层，用于接触并加热晶圆；冷盘，内部设有冷却水道，以实现对晶圆降温；感应底盘，用于在交变电磁场作用下产生涡流并发热；感...
    2026-02-23
  • 等离子体处理装置和等离子体处理方法
    等离子体处理装置和等离子体处理方法_东京毅力科创株式会社_202511470279.4
    本发明提供能够在等离子体处理中恰当地控制基片的边缘区域的倾斜角度、并抑制基片与边缘环之间的放电的等离子体处理装置和等离子体处理方法。等离子体处理装置包括：腔室；设置在腔室内部的载置台，其具有电极、设置在电极上的静电卡盘、和以包围被载置在静电...
    2026-02-23
  • 刻蚀机台的边缘保护环及刻蚀机台
    刻蚀机台的边缘保护环及刻蚀机台_湖北星辰技术有限公司_202511438741.2
    本申请涉及半导体制造领域，公开了一种刻蚀机台的边缘保护环及刻蚀机台。其中边缘保护环包括环体与静电传感器，沿环体的径向的内侧具有遮边部，遮边部用于遮挡晶圆；遮边部设置有至少一个静电传感器，静电传感器用于检测晶圆上表面的电压。通过本申请，在边缘...
    2026-02-23
  • 刻蚀机台的边缘保护环及刻蚀机台
    刻蚀机台的边缘保护环及刻蚀机台_湖北星辰技术有限公司_202511438347.9
    本申请涉及半导体制造领域，公开了一种刻蚀机台的边缘保护环及刻蚀机台。其中边缘保护环包括环体，沿环体的径向的内侧具有遮边部，遮边部用于遮挡晶圆；遮边部具有至少一个供气空间，供气空间构成为沿预设方向向晶圆喷吹气体，预设方向与边缘保护环的轴向相交...
    2026-02-23
  • 计测装置、计测方法和真空处理装置
    计测装置、计测方法和真空处理装置_东京毅力科创株式会社_202511422108.4
    本发明提供不进行大气开放而高精度地计测处理容器内的状态的计测装置、计测方法和真空处理装置。计测装置包括：壳体，其形成有具有与真空处理装置的第二出入口对应的尺寸的开口部，能够在第二出入口气密地安装开口部，其中，真空处理装置在处理容器设置有用于...
    2026-02-23
  • 一种减少刻蚀机内部沉积的装置和方法
    一种减少刻蚀机内部沉积的装置和方法_无锡达隆电子科技有限公司_202511421307.3
    本发明公开了一种减少刻蚀机内部沉积的装置和方法，包括刻蚀机本体，还包括：气旋屏蔽环，其内侧圆周上均匀开有若干个微型斜孔，从微型斜孔内排出的气体经过刻蚀机本体腔室内壁；自旋气路分配器，可绕气旋屏蔽环中心轴线进行低速旋转，其内部有一个空腔，朝向...
    2026-02-23
  • 半导体刻蚀用气体扩散板及气体控制方法
    半导体刻蚀用气体扩散板及气体控制方法_上海稷以科技有限公司_202511396341.X
    本发明提出了一种半导体刻蚀用气体扩散板及气体控制方法，该气体扩散板包括：金属扩散组件，其上设有沿Z向贯通金属扩散组件的金属孔；及石英扩散组件，设置于金属扩散组件的上表面，其包括上石英板、与上石英板连接的下石英板；上石英板，其上开设沿Z向贯通...
    2026-02-23
  • 炉管反应腔结构和半导体的工艺方法和工艺设备
    炉管反应腔结构和半导体的工艺方法和工艺设备_上海稷以科技有限公司_202511394753.X
    本发明公开了一种炉管反应腔结构、半导体的工艺方法和工艺设备。该炉管反应腔结构包括：炉管本体，其外部轴向环绕复合线圈；复合线圈，并联连接交流电源和射频电源，复合线圈经由交流电源加热炉管本体，并经由射频电源使炉管本体内充满等离子体；高频过滤器，...
    2026-02-23
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