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分区成膜缓冲层制备方法、图形化复合衬底及其制备方法
本发明实施例公开了一种分区成膜缓冲层制备方法、图形化复合衬底及其制备方法。该制备方法包括:提供图形化衬底;图形化衬底表面的三维图形具有倾斜侧壁,相邻三维图形之间具有间隙平面;形成氩离子积聚层,利用氩离子之间的排斥作用,轰击图形化衬底,使倾斜...
发光二极管及发光二极管制备方法
本公开提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法。方法包括:在衬底上制作外延结构;在外延结构上形成锡球电极;在锡球电极上形成保护结构,保护结构包括第一保护层和第二保护层,第一保护层覆盖锡球电极,第二保护层覆盖第一保护层,第一保护层的硬度大于锡...
太阳能电池、其制作方法以及光伏组件
本申请提供了一种太阳能电池、其制作方法以及光伏组件,涉及光伏领域。该太阳能电池包括:衬底,包括相对的第一表面和第二表面,第一表面具有凹槽,凹槽外周的第一表面上、凹槽的底面上以及凹槽的侧面上分别具有微结构,多个微结构包括:第一锥状结构、第二锥...
一种晶硅太阳能电池的绒面结构、晶硅太阳能电池和光伏组件
本发明属于太阳能电池技术领域,涉及一种晶硅太阳能电池的绒面结构、晶硅太阳能电池和光伏组件。所述绒面结构包括若干个第一金字塔结构;至少一个所述第一金字塔结构中的至少一条棱线由至少两段子棱线线段拼接形成,且所述棱线拼接处的棱线线段的端点之间具有...
一种背接触太阳能电池及其制备方法
本发明公开了一种背接触太阳能电池及其制备方法,该电池包括:硅基体,包括背光面和与背光面相对的受光面,硅基体的背光面形成交替设置的凸起和凹槽;隧穿钝化层和掺杂多晶硅层,隧穿钝化层设于凸起的表面,掺杂多晶硅层设于隧穿钝化层背离硅基体的表面;以及...
一种散热组件及其制备方法和应用
本申请公开了一种散热组件及其制备方法和应用,涉及光伏技术领域,所述散热组件包括依次叠设的保护层、凝胶层和基底层,所述凝胶层包括聚丙烯酰胺/氯化钙复合材料和聚丙烯酰胺/氯化锂复合材料中的至少一种。本申请提供的散热组件兼具高透光性和高散热性能,...
半导体封装件及制造半导体封装件的方法
提供了一种半导体封装件和制造半导体封装件的方法。一种半导体封装件,包括:第一芯片结构,在第一基底上;以及第一模制层,在第一基底上围绕第一芯片结构,其中,第一芯片结构包括:第一芯片,在第一基底上包括光子集成电路;第二芯片,在第一芯片上包括电子...
一种抑制比增强的日盲紫外探测器及其制备方法
本发明提供了一种抑制比增强的日盲紫外探测器及其制备方法,属于半导体紫外光电探测器件技术领域。包括自下而上设置的蓝宝石衬底层、i型AlN缓冲层、i型AlGaN过渡层、重掺杂欧姆接触层、低掺杂光吸收层和p型GaN欧姆接触层,p型GaN欧姆接触层...
一种叠层电池的背接触结构及其制备方法与光伏电池
本发明提供了一种叠层电池的背接触结构及其制备方法与光伏电池,所述叠层电池的背接触结构包括依次层叠设置的隧穿氧化层、硅锗晶化层、非晶硅缓冲层与多晶硅传输层;所述硅锗晶化层中锗含量由所述隧穿氧化层向所述非晶硅缓冲层的方向递增;所述硅锗晶化层的晶...
一种基于石墨烯的钝化接触硅基高效太阳电池及其制备方法和应用
本发明公开了一种基于石墨烯的钝化接触硅基高效太阳电池及其制备方法和应用。该钝化接触太阳电池包括基底,在基底的正面由内向外依次设有n+发射极、第一SiO2钝化层、SiNx减反射层和Ag栅格,在基底的背面由内向外依次设有第二石墨烯/Nafion...
一种低UV衰减的TOPCon电池正面膜层结构及制备方法
本发明涉及太阳能电池技术领域,公开一种低UV衰减的TOPCon电池正面膜层结构及制备方法,旨在解决现有TOPCon电池因UV‑B破坏钝化层Si‑H键致效率衰减,及TiO2光催化降解封装材料的问题。结构上,正面自下而上为硅片基底、氧化铝钝化层...
太阳能电池及光伏组件
本申请涉及一种太阳能电池,其包括:硅基底,所述硅基底中含有Sb元素;氧化铝层,形成在硅基底上;其中,所述氧化铝层含有锑。本申请还涉及包含太阳能电池的光伏组件。
一种背接触太阳能电池及光伏组件
本申请涉及一种背接触太阳能电池及光伏组件,包括基底、第一细栅和第二细栅,基底包括第一表面和第二表面,第一表面上设置有P型掺杂区和N型掺杂区,第一细栅设置于P型掺杂区上,第一细栅具有用于与第一焊带连接的第一连接部和用于与第二焊带隔离的第一隔离...
一种光伏电池串和光伏组件
本发明公开了一种光伏电池串和光伏组件,涉及光伏组件技术领域。该光伏电池串包括电池片、焊带和汇流条;多个电池片依次排列,并且相邻的电池片通过焊带连接;汇流条设置于电池片的背面,沿着汇流条的长度方向,汇流条包括多个焊接部和连接相邻两个焊接部的非...
一种背接触电池以及光伏组件
本申请公开一种背接触电池以及光伏组件。背接触电池包括电池本体、多个第一集电栅线、多个第二集电栅线、多个第一汇流部组和多个第二汇流部组。多个第一汇流部组和多个第二汇流部组沿第一方向交替间隔分布;第一汇流部组包括多个第一汇流部和多个第一连接部;...
一种电池片、电池片的制备方法、电池串及光伏组件
本申请公开了一种电池片、电池片的制备方法、电池串及光伏组件,属于光伏技术领域,该电池片包括:至少一个切割面;在切割面的长度方向上,切割面包括两个端部和位于两个端部之间的中间部;中间部的长度大于端部的长度;端部的长度占切割面的总长度的百分比为...
光伏组件及光伏组件制备方法
本发明公开了一种光伏组件及光伏组件制备方法,光伏组件包括电池串,电池串包括交叠排布的多个电池片,相邻两个电池片交叠形成交叠区域;交叠区域包括第一交叠区域;电池串中,至少部分数量电池片为第一电池片,第一电池片具有两个相对的切割长边;电池串中,...
光电探测器及其制备方法、芯片
本申请公开了一种光电探测器及其制备方法、芯片,光电探测器包括衬底以及位于衬底一侧的波导层和吸收层,吸收层与波导层同层设置,吸收层与波导层沿第一方向排列且相互接触,且波导层在第一方向的投影位于吸收层在第一方向的投影内,吸收层包括沿平行于衬底方...
一种低缺陷密度AlGaN紫外光电阴极材料及其制备方法
本发明公开了一种低缺陷密度AlGaN紫外光电阴极材料及其制备方法,该制备方法如下:将衬底转移到MOCVD设备中,在其上依次生长成核层、超晶格缓冲层、过渡层、发射层,即得。针对高Al组分AlGaN材料晶体质量差和p型掺杂效率低的问题,本发明采...
太阳能电池及其制作方法、叠层电池、光伏组件
本申请涉及一种太阳能电池及其制作方法、叠层电池、光伏组件,涉及太阳能电池技术领域。太阳能电池采用掺杂锑元素的基底提高多子浓度,优化电池的载流子传输效率,提升电池的填充因子;同时,通过控制第一半导体层中锑元素的浓度大于第二半导体层中锑元素的浓...
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