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  • 本申请提供一种双联压板组件,涉及电力系统技术领域,该双联压板组件包括压板、底座及固定件;底座设置有多个安装部;固定件设置于底座沿第一方向的一端,固定件设置有连接部,连接部沿第一方向伸出底座;压板通过至少部分安装部与底座连接,压板与底座错位设...
  • 本申请涉及配电领域,公开一种配电面板及机柜。一种配电面板包括固定基板以及固设于固定基板的多个输入铜排、多个输出铜排、多个连接铜排以及断路器告警板;多个输入铜排以及多个输出铜排均沿第一方向间隔设置,断路器告警板位于多个输出铜排与多个输入铜排之...
  • 本发明公开了一种升降式提前放电接闪器,包括连接杆,所述连接杆的上端设置有移动辅助机构,所述连接杆的外侧设置有接线辅助机构,所述移动辅助机构包括固定连接在连接杆上端的连接块,所述连接块的上端固定连接有控制架,所述控制架的内侧底部固定连接有弹簧...
  • 本发明公开了一种基于微环外腔结构的窄线宽激光器阵列芯片系统,用于面向大算力AI芯片光接口,包括:激光器阵列芯片、硅基微环外腔和光耦合器;N个阵列激光器芯片的输出端输出标准波长的激光至N个硅基微环外腔,通过温度调控实现激光器与微环波长匹配,使...
  • 本发明提供一种半导体激光器空间合束装调方法及装置,涉及光路装调技术领域,通过固定第一半导体激光器的位置,并对第二半导体激光器和空间合束器的各自由度进行解耦调节,首先调节空间合束器在高度方向上的位移、在水平面内绕延伸平面的垂向的旋转角度、第二...
  • 本发明涉及一种非对称耦合波导结构的980nm单模激光器及其制备方法。本发明在应变补偿量子阱两侧的限制层中分别插入无源耦合波导层,并采用非对称外延结构和阶梯掺杂方式,增大P侧光学限制能力,增加基模限制因子进一步降低了光场损耗;同时拓宽基模光场...
  • 本发明涉及一种半导体激光器芯片多次外延生长方法。该方法步骤:在衬底上外延生长激光器芯片基本外延结构;在激光器芯片基本外延结构上依次生长第一氧化物层、第二氧化物层,然后高温快速退火并快速降温,产生裂纹;用BOE腐蚀液通过裂纹腐蚀第一氧化物层、...
  • 本公开提供了一种垂直腔面发射激光器,包括:外延结构包括衬底、缓冲层、N电极接触层、第一分布布拉格反射镜、异质结限制层、有源区以及第二分布布拉格反射镜,第二分布布拉格反射镜中设置有氧化限制层;P‑型电极,设置于第二分布布拉格反射镜的上表面;环...
  • 本发明公开了一种垂直腔表面发射激光器及制备方法,属于半导体光电子器件技术领域,通过采用梯形台面和扩散的方法,使得VCSEL水平方向的电流得到了很好的限制,克服了长波长VCSEL没有合适湿法氧化介质的缺点。同时,避免了离子注入方法造成表面金属...
  • 本发明涉及半导体激光器技术领域,具体为一种基于平面金属光栅的超窄线宽可调波长外腔激光器,包括:增益芯片,所述增益芯片左右端面分别镀设有高反射膜和第一增透膜;所述增益芯片右侧设置有平面金属光栅波导,所述增益芯片的右端面与所述平面金属光栅波导的...
  • 本发明涉及半导体激光器技术领域,具体为一种基于顶部金属反射光栅的紧凑型超窄线宽外腔激光器,包括:增益芯片,所述增益芯片左端面镀设有高反射膜,所述增益芯片右端面镀设有第一增透膜;所述增益芯片右侧设置有金属光栅波导,所述增益芯片的右端面与所述金...
  • 本发明涉及半导体激光器技术领域,具体为双金属布拉格光栅相位差调控实现窄线宽的外腔激光器,调控实现窄线宽的外腔激光器,包括:增益芯片,所述增益芯片左端面镀设有第一高反射HR膜,所述增益芯片右端面镀设有第一增透AR膜;所述增益芯片右侧设置有金属...
  • 本申请公开一种表面发射激光器,包括衬底、下布拉格反射层、有源层、光电限制层、上布拉格反射层和欧姆接触层,所述光电限制层包括用于限定所述表面发射激光器的发光区域的光电限制图案。所述光电限制图案在所述衬底上的投影形状至少包括一电流集中区域,所述...
  • 本发明公开一种DFB激光器光栅的高效调试制备方法,包括:通过电子显微成像获取光栅线条的宽度和深度形成初始参数集;比对设计参数识别异常区域;分析异常区域参数的空间分布规律,归类工艺波动类型;根据波动类型对几何参数序列进行选择性滤波,获得校正参...
  • 本发明公开了一种基于分布共振反馈的激光谐振腔及激光器,该激光谐振腔包括:增益物质层;第一包覆缓冲层,设置于增益物质层的上方,第一包覆缓冲层的上方设置有第一接触层,第一包覆缓冲层通过刻蚀形成中间隆起的波导脊,波导脊两侧的刻蚀剩余区域的表层设有...
  • 本发明涉及半导体激光器技术领域,具体为一种基于平面金属光栅的超窄线宽可调波长外腔激光器,包括:增益芯片,所述增益芯片左右端面分别镀设有高反射膜和第一增透膜;所述增益芯片右侧设置有平面金属光栅波导,所述增益芯片的右端面与所述平面金属光栅波导的...
  • 本发明涉及半导体激光器技术领域,具体为一种基于顶部平面金属光栅和高反射介质膜的激光器,包括:增益芯片,所述增益芯片左端面镀设有第一高反射HR膜,所述增益芯片右端面镀设有第一增透AR膜;所述增益芯片右侧设置有平面金属布拉格光栅波导,所述增益芯...
  • 本发明涉及半导体激光器技术领域,具体为一种基于顶部金属反射光栅的紧凑型超窄线宽外腔激光器,包括:增益芯片,所述增益芯片左端面镀设有高反射膜,所述增益芯片右端面镀设有第一增透膜;所述增益芯片右侧设置有金属光栅波导,所述增益芯片的右端面与所述金...
  • 本发明公开了一种波长可调谐激光器,包括:基台;谐振腔,设置于基台上;增益介质,设置于基台上且处于谐振腔内,使泵浦光入射至增益介质时形成在谐振腔内传播的振荡光,由振荡光形成可调谐激光器的输出光;选模部,设置于基台上且处于振荡光的传播路径上,用...
  • 本发明提供一种高效散热的高功率激光器系统,属于激光器技术领域,解决目前激光器的壳体和散热器之间多了一层界面层,散热效果差的问题。该高集成度且高效散热的高功率激光器包括:外壳基座、激光器芯片、慢轴准直镜、快轴准直镜、反射镜、散热系统和温控系统...
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