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最新专利技术
  • 基于电压跟随器的可寻址SRAM单元测试电路
    基于电压跟随器的可寻址SRAM单元测试电路_上海交通大学_202511375223.0
    本发明提供一种基于电压跟随器的可寻址SRAM单元测试电路，包括：待测SRAM阵列；电压跟随器，所述电压跟随器的输出端在激励信号和使能信号的作用下，与所述待测SRAM阵列连接；输入输出模式切换电路，与所述电压跟随器连接；开关选择电路，与所述电...
    2026-02-15
  • 固态硬盘驱动器双倍数据速率接口信号质量测试的引出夹具、测试系统及测试方法
    固态硬盘驱动器双倍数据速率接口信号质量测试的引出夹具、测试系统及测试方法_济南迈威智能科技有限公司_202511373547.0
    本申请涉及电子设备技术领域，公开了一种固态硬盘驱动器双倍数据速率接口信号质量测试的引出夹具、测试系统及测试方法，其中固态硬盘驱动器双倍数据速率接口信号质量测试的引出夹具，通过将信号引出结构设计为PCB板的表层走线，并与设置在PCB板上的推入...
    2026-02-15
  • NAND Flash测时序方法、装置、设备及存储介质
    NAND Flash测时序方法、装置、设备及存储介质_至誉科技股份有限公司_202511274923.0
    本发明公开了一种NAND Flash测时序方法、装置、设备及存储介质，所述方法通过将尺寸与球栅阵列BGA引脚布局与待测NAND Flash颗粒匹配的第一PCB硬板焊接在待测电路板上，以替代所述待测NAND Flash颗粒；通过PCB软板将待...
    2026-02-15
  • 一种固态硬盘测试指标优化方法、装置、设备及存储介质
    一种固态硬盘测试指标优化方法、装置、设备及存储介质_深圳市德明利技术股份有限公司_202511263376.6
    本申请涉及固态硬盘测试的技术领域，尤其涉及一种固态硬盘测试指标优化方法、装置、设备及存储介质。包括：将部分待测试产品设定为样本组，并获取第一测试参数集和多环境参数矩阵；对样本组执行初筛测试和多轮验证测试，采集样本测试数据，识别敏感参数并进行...
    2026-02-15
  • 固态硬盘测试方法、系统、装置、设备及存储介质
    固态硬盘测试方法、系统、装置、设备及存储介质_深圳市德明利技术股份有限公司_202511252948.0
    本申请公开了一种固态硬盘测试方法、系统、装置、设备及存储介质，涉及测试技术领域，所述方法包括：当接收到用户在主机上发出的对固态硬盘的测试命令时，根据所述测试命令确定所述固态硬盘的测试触发条件和触发后执行动作；对所述固态硬盘进行实时监控，根据...
    2026-02-15
  • 一种NAND Flash颗粒的筛选分级方法、测试系统及可读存储介质
    一种NAND Flash颗粒的筛选分级方法、测试系统及可读存储介质_至誉科技股份有限公司_202511245622.5
    本申请提供了一种NAND Flash颗粒的筛选分级方法，其包括：基于终端产品对NAND Flash颗粒目标性能的需求，预设目标性能的等级标准；目标性能包括DIE的擦除速度、写入速度和读取速度；计算目标NAND Flash颗粒的目标性能，并结...
    2026-02-15
  • 存储芯片修复方法、装置、上位机及存储介质
    存储芯片修复方法、装置、上位机及存储介质_深圳精智达半导体技术有限公司_202511208946.1
    本申请属于芯片测试技术领域，涉及一种存储芯片修复方法、装置、上位机及存储介质。通过获取每组被测芯片中可修复被测芯片的缺陷修复信息；基于缺陷修复信息，生成与每组被测芯片中可修复被测芯片对应的修复数据，并将修复数据写入到与可修复被测芯片对应的测...
    2026-02-15
  • 用于晶片级测试的合并存储器裸片
    用于晶片级测试的合并存储器裸片_美光科技公司_202510885675.7
    本申请案涉及用于晶片级测试的合并存储器裸片。半导体晶片包含安置于其上的多个存储器裸片。所述多个存储器裸片布置为多个超级裸片以用于测试，其中所述多个超级裸片中的每一者包括所述多个存储器裸片中的两者或更多者。所述多个超级裸片中的每一者中的所述多...
    2026-02-15
  • 用于故障分析的存储系统、故障分析装置和故障分析方法
    用于故障分析的存储系统、故障分析装置和故障分析方法_爱思开海力士有限公司_202411838181.5
    本公开涉及用于故障分析的存储系统、故障分析装置和故障分析方法。一种存储系统包括：至少一个存储器装置，其沿第一方向和第二方向设置，至少一个存储器装置被配置成包括多个单元块，这些单元块在第一方向上与相邻单元块共用字线驱动器，在第二方向上与相邻单...
    2026-02-15
  • 测试结构、静态随机存取存储器单元的失配认定方法
    测试结构、静态随机存取存储器单元的失配认定方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511834420.4
    本申请提供了一种测试结构、静态随机存取存储器单元的失配认定方法，测试结构包括：静态随机存取存储器单元，包括第一传输晶体管和第二传输晶体管；量测单元，包括连接第一位线的第一量测晶体管和连接第二位线的第二量测晶体管；其中，第一量测晶体管用于在第...
    2026-02-15
  • 一种漏电检测方法以及电子设备
    一种漏电检测方法以及电子设备_新存科技(武汉)有限责任公司_202511298954.X
    本申请公开了一种漏电检测方法以及电子设备，存储器包括若干条第一导电线、若干条第二导电线和若干存储单元，每条第一导电线耦接至少一个存储单元，每条第二导电线耦接至少一个存储单元，每个存储单元分别耦接一条第一导电线和一条第二导电线。方法包括：确定...
    2026-02-15
  • 存储器装置及测试该存储器装置的方法
    存储器装置及测试该存储器装置的方法_三星电子株式会社_202510321488.6
    提供了一种存储器装置，包括第一芯片和第二芯片，第一芯片包括第一正常区域和第一测试区域，第一正常区域包括位于第一表面上且被配置为被提供有在存储单元的操作期间所使用的信号的多个第一正常连接件，第一测试区域包括位于第一表面上且彼此电连接的多个第一...
    2026-02-15
  • 存储器装置及存储单元的失效状态的检测方法
    存储器装置及存储单元的失效状态的检测方法_旺宏电子股份有限公司_202410951039.5
    本公开提供了一种存储器装置及存储单元的失效状态的检测方法。存储器装置例如为三维与非门闪存电路，且提供高性能以及高容量的储存介质。检测方法包括：检索页缓冲器中储存的多个状态数据，查找出存储单元中的设定状态存储单元，获得设定状态数据；储存状态数...
    2026-02-15
  • 一种基于单元损坏趋势识别的DRAM动态修复方法
    一种基于单元损坏趋势识别的DRAM动态修复方法_碳芯微电子科技(深圳)有限公司_202511467284.X
    本发明涉及DRAM动态修复技术领域，具体为一种基于单元损坏趋势识别的DRAM动态修复方法。本发明接收CPU发出的逻辑地址请求，向DRAM发送读取命令并获取返回数据及ECC校验数据进行比较；当检测到单比特错误时，根据ECC校验数据纠正错误并返...
    2026-02-15
  • 错误记录装置、存储器装置、存储系统及其操作方法
    错误记录装置、存储器装置、存储系统及其操作方法_爱思开海力士有限公司_202510062786.8
    本公开涉及错误记录装置、存储器装置、存储系统及其操作方法。一种存储器装置包括：存储单元阵列，其包括耦接到多个行的存储单元；故障检测电路，其被配置为根据针对多个行中的每一行的错误检查操作的结果生成第一故障地址至第三故障地址，以及与故障输入信号...
    2026-02-15
  • 系统单芯片、测试系统单芯片的测试装置及测试方法
    系统单芯片、测试系统单芯片的测试装置及测试方法_信骅科技股份有限公司_202410886468.9
    本发明提供一种系统单芯片、用于测试系统单芯片的测试装置以及用于测试系统单芯片的测试方法。系统单芯片包括功能寄存器、一次性可程序化(one‑time programmable，OTP)内存以及处理器。功能寄存器包括多个功能位。系统单芯片依据所...
    2026-02-15
  • 移位寄存器
    移位寄存器_爱思开海力士有限公司_202510830016.3
    本公开涉及一种移位寄存器，该移位寄存器包括：前置级，被配置为基于时钟信号和复位信号输出预电压信号；以及“N”个移位级，被配置为接收时钟信号，并分别输出“N”个输出信号。前置级和“N”个移位级以菊花链形式联接。“N”个移位级之中的奇数移位级利...
    2026-02-15
  • 存储阵列的管理系统及其方法、动态熔断存储器及装置
    存储阵列的管理系统及其方法、动态熔断存储器及装置_济南迈威智能科技有限公司_202511357314.1
    本申请公开了一种存储阵列的管理系统及其方法、动态熔断存储器及装置，涉及电子技术领域，通过设置不同的存储阵列的存储区域以针对数据进行隔离，然后在不同的运行模式下，主控制器控制切换熔断模块开放运行模式对应的存储区域，并关闭其余的存储区域，从而，...
    2026-02-15
  • 存储器装置上的可选修整设置
    存储器装置上的可选修整设置_美光科技公司_202511598724.5
    本发明涉及与存储器装置上的可选修整设置相关的设备及方法。实例设备可存储数个修整设置组且基于存储器单元阵列的所要操作特性来选择所述数个修整设置组中的特定修整设置组。
    2026-02-15
  • 一种基于Flash存储器的倒序编程实现方法及装置
    一种基于Flash存储器的倒序编程实现方法及装置_深圳市惠存半导体有限公司_202511558373.5
    本发明公开了一种基于Flash存储器的倒序编程实现方法及装置，属于计算机数据存储技术领域，其包括获取待写入数据和设备工作负载参数，生成动态地址序列并结合存储器历史写操作数据计算倒序编程顺序，生成自适应倒序地址序列；获取实时电源状态信息，并基...
    2026-02-15
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