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最新专利技术
  • 一种太阳电池及其制备方法、光伏组件
    一种太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202511277234.5
    本申请公开了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件。该太阳电池包括：硅基底；设置于硅基底上的氧化铝层，氧化铝层含有O元素和H元素，其中，氧化铝层中的O元素自靠近硅基底一侧向远离硅基底一侧递增，氧化铝层中的H元素自靠近硅基底一侧向远离硅基底一侧递...
    2026-01-19
  • 一种太阳能电池、电池组件及光伏系统
    一种太阳能电池、电池组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511820982.3
    本发明适用于光伏技术领域，提供一种太阳能电池、电池组件及光伏系统，太阳能电池包括：硅片，硅片包括相对设置的背面和正面；间隔设置于背面的第一掺杂层和第二掺杂层，硅片的背面包括位于第一掺杂层和第二掺杂层之间的隔离区；钝化层，钝化层覆盖隔离区的侧...
    2026-01-19
  • 背接触太阳能电池、叠层电池和光伏组件
    背接触太阳能电池、叠层电池和光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511820773.9
    本申请实施例涉及光伏领域，提供了一种背接触太阳能电池、叠层电池和光伏组件。该背接触太阳能电池包括：基底，包括相对的正面和背面，背面包括多个第一P型区和多个第一N型区，第一P型区和第一N型区沿第一方向延伸且沿第二方向交替间隔排布，第一P型区在...
    2026-01-19
  • 光伏组件
    光伏组件_晶科能源股份有限公司_202511468270.X
    本公开实施例涉及光伏技术领域，提供一种光伏组件，光伏组件包括电池串、绝缘层以及汇流条，电池串包括多个电池片，每个电池片的背面设置有焊带，以通过焊带将多个电池片串联；述绝缘层设置于焊带远离电池片的一侧，绝缘层设置有避让区，以让焊带的部分自避让...
    2026-01-19
  • 背接触电池和光伏组件
    背接触电池和光伏组件_晶科能源股份有限公司_202511450567.3
    本申请实施例涉及光伏技术领域，提供一种背接触电池和光伏组件，至少可以提高背接触电池的效率。背接触电池的背面包括：细栅、主栅、边缘焊盘、连接线和贯穿线，每一主栅与在沿第二方向上排列的多个极性相同的细栅电连接，位于背接触电池在沿第一方向上两侧边...
    2026-01-19
  • 异质结电池、其制备方法及光伏组件
    异质结电池、其制备方法及光伏组件_嘉兴阿特斯技术研究院有限公司_202410861031.X
    本发明公开了一种异质结电池、其制备方法及光伏组件，所述制备方法包括：提供硅片；在所述硅片表面依次形成本征层、掺杂层及透明导电层；在所述透明导电层上形成介质层；制备电极，所述电极贯穿所述介质层并与所述透明导电层相接触，且所述电极突出于介质层并...
    2026-01-19
  • 异质结电池及光伏组件
    异质结电池及光伏组件_嘉兴阿特斯技术研究院有限公司_202410861023.5
    本发明公开了一种异质结电池及光伏组件，所述异质结电池包括硅片及依次层叠于所述硅片正面或背面上的本征层、掺杂层及透明导电层，所述异质结电池还包括层叠于所述透明导电层上的介质层及与所述透明导电层相接触的电极，所述电极包括沿硅片厚度方向延伸至所述...
    2026-01-19
  • 光伏电池片及光伏组件
    光伏电池片及光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202511735595.X
    本申请关于一种光伏电池片及光伏组件，涉及光伏技术领域。光伏电池片包括硅基底和隧穿钝化接触结构，硅基底设置有收集区和无收集区，收集区和无收集区之间存在沿光伏电池片厚度方向的间隔距离，在收集区上沉积有隧穿钝化接触结构。隧穿钝化接触结构不容易接触...
    2026-01-19
  • 一种光伏电池以及光伏组件
    一种光伏电池以及光伏组件_隆基乐叶光伏科技有限公司_202511641690.3
    本申请实施例提供了一种光伏电池以及光伏组件。所述光伏电池包括：硅基底，硅基底包括第一面和第二面，第二面上具有沿第二方向交替设置的第一区域，沿第二方向相邻的第一区域之间设有隔离槽，第一区域和隔离槽皆沿第三方向延伸；掺杂层，掺杂层设置于第一区域...
    2026-01-19
  • 一种提升单光子雪崩二极管光子探测效率的基于多孔洞型扩散的二极管结构及其制备方法
    一种提升单光子雪崩二极管光子探测效率的基于多孔洞型扩散的二极管结构及其制备方法_中国科学院上海技术物理研究所_202511607848.5
    本发明提供一种提升单光子雪崩二极管光子探测效率的基于多孔洞型扩散的二极管结构及其制备方法。该二极管为光电二极管，该二极管PN结为基于平面结的扩散结构；该扩散结构位于单光子雪崩二极管的帽层，帽层上部中心位置设置有一个由两次扩散生成的P型掺杂区...
    2026-01-19
  • 一种太阳电池及其制备方法、光伏组件
    一种太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202511277271.6
    本申请公开了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件，该太阳电池包括硅基底，硅基底的背光面具有第一区域，第一区域包括平坦区域和具有若干凸起的起伏区域，起伏区域内的相对高度差值大于平坦区域内的相对高度差值。本申请能够有效降低光的损失，提升太阳电池整...
    2026-01-19
  • 梯度掺杂铁电薄膜器件及其制备方法
    梯度掺杂铁电薄膜器件及其制备方法_中国科学院半导体研究所_202511802899.3
    本申请提供了一种梯度掺杂铁电薄膜器件及其制备方法，涉及光电子器件技术领域。该梯度掺杂铁电薄膜器件包括：自下而上依次层叠的衬底、埋氧层、缓冲层、铁电薄膜材料层；铁电薄膜材料层中掺杂有杂质离子，杂质离子的掺杂浓度自下而上依次增加。本申请通过采用...
    2026-01-19
  • 一种光电探测器及其制备方法和应用
    一种光电探测器及其制备方法和应用_中山大学_202511311738.4
    本发明涉及一种光电探测器及其制备方法和应用。该光电探测器包括从下而上叠设的基底、隔热层和光敏层，以及包括第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极通过所述光敏层连接。本发明的光电探测器以二维过渡金属硫族化合物作为光敏层，同时引入非晶氧化镓为...
    2026-01-19
  • 一种叠层隧穿层的Topcon太阳能电池制备方法
    一种叠层隧穿层的Topcon太阳能电池制备方法_宜宾英发德耀科技有限公司_202511383114.3
    本发明公开了一种叠层隧穿层的Topcon太阳能电池制备方法，属于太阳能电池技术领域中的一种制备方法，其技术方案为如下步骤：S1、对进行碱抛后的硅片进行置放；S2、对石英管内部进行抽真空和检漏后升温至410‑420℃；S3、在石英管内通入N2...
    2026-01-19
  • 用于制备异质结电池单元、电池串以及电池组件的方法
    用于制备异质结电池单元、电池串以及电池组件的方法_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202410867138.5
    本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种用于制备异质结电池单元、电池串以及电池组件的方法，在制作过程中，只需要直接将第一焊带排版设置在第一金属种子层上且与第一金属种子层焊接，然后再以第一焊带作为遮挡来刻蚀去除掉其余区域的第一金属种子层即可...
    2026-01-19
  • 用于制备异质结电池片、电池串以及电池组件的方法
    用于制备异质结电池片、电池串以及电池组件的方法_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202410867101.2
    本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种用于制备异质结电池片、电池串以及电池组件的方法，可先在第一透明导电薄膜上制备第一金属种子层，然后在第一金属种子层上制备第一掩膜以形成第一掩膜图案，然后按照第一掩膜图案对第一金属种子层进行选择性去除，...
    2026-01-19
  • 一种提高钝化性能的背接触电池制作方法及其背接触电池
    一种提高钝化性能的背接触电池制作方法及其背接触电池_福建省金石能源股份有限公司_202511820877.X
    本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种提高钝化性能的背接触电池制作方法及其背接触电池，包括：S2、在硅片背面沉积第一半导体层，磷硅玻璃层并保留作为第一掩膜层；S3、对硅片正面进行制绒清洗；并在制绒后的最后清洗过程中同时去除第一掩膜层；S...
    2026-01-19
  • 一种光电合封的3D封装结构的工作方法及系统
    一种光电合封的3D封装结构的工作方法及系统_光本位智能科技(上海)有限公司_202511818971.1
    本发明属于芯片封装技术领域，具体涉及一种光电合封的3D封装结构的工作方法及系统，其中，所述工作方法包括S100获取当前工作任务中的任务处理量；S200判断所述任务处理量是否大于预设数据处理量；若是，则同时开启第一信号传输路径和第二信号传输路...
    2026-01-19
  • 一种短波红外探测器数字合金材料及其制备工艺
    一种短波红外探测器数字合金材料及其制备工艺_苏州焜原光电有限公司_202511816316.2
    本发明提供了一种短波红外探测器数字合金材料及其制备工艺，包括以下步骤：在n型GaSb衬底表面生长GaSb缓冲层；开启第一个In炉，配合As束流，在GaSb缓冲层的表面生长InAs层；开启第二个In炉，配合Ga炉及AsSb束流，在InAs层表...
    2026-01-19
  • 基于三层掩膜的红外探测器深台面刻蚀工艺及红外探测器
    基于三层掩膜的红外探测器深台面刻蚀工艺及红外探测器_山西创芯光电科技有限公司_202511794930.3
    本申请提供了基于三层掩膜的红外探测器深台面刻蚀工艺及红外探测器，属于红外探测器台面刻蚀领域；该工艺包括以下步骤：在超晶格外延层表面旋涂应力缓冲层，并固化成型；沉积作为刻蚀阻挡层的硬掩膜；沉积无机氧化物；旋涂光刻胶，形成复合图形化顶层，然后经...
    2026-01-19
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