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最新专利技术
  • 基于三层掩膜的红外探测器深台面刻蚀工艺及红外探测器
    基于三层掩膜的红外探测器深台面刻蚀工艺及红外探测器_山西创芯光电科技有限公司_202511794930.3
    本申请提供了基于三层掩膜的红外探测器深台面刻蚀工艺及红外探测器，属于红外探测器台面刻蚀领域；该工艺包括以下步骤：在超晶格外延层表面旋涂应力缓冲层，并固化成型；沉积作为刻蚀阻挡层的硬掩膜；沉积无机氧化物；旋涂光刻胶，形成复合图形化顶层，然后经...
    2026-01-20
  • 一种提高透明导电氧化物薄膜光电性能的方法及应用
    一种提高透明导电氧化物薄膜光电性能的方法及应用_南开大学_202511513291.9
    一种提高透明导电氧化物薄膜光电性能的方法及应用，属于光电子器件领域。本发明利用磁控溅射技术(或反应等离子体沉积技术)生长透明导电氧化物薄膜(TCO)，玻璃衬底或硅衬底；并利用射频磁控溅射技术在TCO薄膜上生长梯度折射率SiNyOx/SiOx...
    2026-01-20
  • 一种异质结电池双面差异化绒面的制备方法
    一种异质结电池双面差异化绒面的制备方法_江苏橙伟通能智能科技有限公司_202511478745.3
    本发明公开一种异质结电池双面差异化绒面的制备方法，涉及光伏电池制造领域。旨在解决现有单面制绒技术设备兼容性差、工艺模糊、电池效率低的问题。该方法包括：S1.槽式设备中，以2％‑5％碱液无掩膜制绒，硅片双面形成大结构绒面；S2.单面热氧化沉积...
    2026-01-20
  • 一种二类超晶格红外探测器芯片及其制备方法
    一种二类超晶格红外探测器芯片及其制备方法_苏州恒影感知科技有限公司_202511450320.1
    本申请公开了一种二类超晶格红外探测器芯片及其制备方法，涉及红外探测器技术领域。制备方法包括：对晶圆进行光刻处理，以在划片道区域形成连续式图案；采用干法刻蚀工艺将所述连续式图案转移至划片道，并在划片道中央形成间断式划片槽；对所述划片槽进行划片...
    2026-01-20
  • 一种提升TOPCon电池组件功率的方法
    一种提升TOPCon电池组件功率的方法_和光同程光伏科技(宜宾)有限公司_202511450159.8
    本发明公开了一种提升TOPCon电池组件功率的方法，包括通过激光划线方法，在电池的正背面都进行激光划线；在电池正面形成氧化层：通过激光开膜作用，将电池正面切割缝位置氧化层打掉：通过碱抛和RCA湿法工序，将电池正面切割缝位置的PN结腐蚀掉：在...
    2026-01-20
  • 一种低反射率TOPCon太阳能电池的制绒-正镀协同工艺
    一种低反射率TOPCon太阳能电池的制绒-正镀协同工艺_晋能清洁能源科技股份公司_202511420525.5
    本发明公开了一种低反射率TOPCon太阳能电池的制绒‑正镀协同工艺，涉及太阳能电池领域：所述工艺依次包括一次制绒、水洗、二次制绒和正镀；其中一次制绒的一次制绒槽溶液中的NaOH含量大于二次制绒的二次制绒槽溶液中的NaOH含量；且一次制绒的反...
    2026-01-20
  • 一种TBC太阳能电池的制备方法
    一种TBC太阳能电池的制备方法_宜宾英发德耀科技有限公司_202511380671.X
    本申请提出了一种TBC太阳能电池的制备方法，涉及太阳能电池制备技术领域。本申请使用PSG/BSG作为掩膜层，叠加于LPCVD/扩散或PE‑POLY/退火工序中，无需单独添加掩膜工序，可显著减少工艺流程，降低生产成本。本申请将制绒工序放于后面...
    2026-01-20
  • 曲面光伏组件的制造设备、曲面光伏组件及其制备方法
    曲面光伏组件的制造设备、曲面光伏组件及其制备方法_晶澳(扬州)新能源有限公司_202511376723.6
    本发明公开了一种曲面光伏组件的制造设备、曲面光伏组件及其制备方法，涉及光伏组件制造技术领域。该制造设备包括：主体和卷绕固定结构，卷绕固定结构具有用于卷绕叠层结构的曲表面，叠层结构包括：在卷绕固定结构的曲表面上依次层叠卷绕的柔性背板、后胶膜、...
    2026-01-20
  • 太阳能电池栅线的制备方法及其应用和太阳能电池
    太阳能电池栅线的制备方法及其应用和太阳能电池_TCL中环新能源科技股份有限公司_202511373539.6
    本发明提供了一种太阳能电池栅线的制备方法及其应用和太阳能电池，涉及太阳能电池的技术领域，所述太阳能电池栅线的制备方法包括：在形成于电池硅基底上的镀膜层表面的图形化凹槽处依次进行去氧化层处理、制备镍层、制备铜层和制备锡层，得到所述太阳能电池栅...
    2026-01-20
  • 太阳能电池细栅电极、细栅互联电池串及其制备方法
    太阳能电池细栅电极、细栅互联电池串及其制备方法_晶澳(扬州)新能源有限公司_202511366076.0
    本发明公开了一种太阳能电池细栅电极、细栅互联电池串及其制备方法，涉及光伏组件技术领域。其中细栅电极的制备方法包括：在初始电池片表面的预设细栅电极区域设置预接触细栅，得到目标电池片；在预接触细栅上放置导电丝；通过导电丝向预接触细栅施加偏转电压...
    2026-01-20
  • 一种热光伏器件制备工艺及热光伏器件
    一种热光伏器件制备工艺及热光伏器件_江苏凌众新能科技有限公司_202511208405.9
    本发明公开了一种热光伏器件制备工艺及热光伏器件，制备工艺包含以下过程：对锗片进行双面抛光处理；在所述锗片的背面沉积掺磷的纳米晶硅薄膜层；在纳米晶硅薄膜层上印刷光刻胶，通过曝光显影加减刻蚀的方式形成间隔的P极区；锗片的正面、背面分别进行a‑S...
    2026-01-20
  • 一种光伏组件端部导线折叠装置
    一种光伏组件端部导线折叠装置_宁夏小牛自动化设备股份有限公司_202511108581.5
    本发明公开了一种光伏组件端部导线折叠装置，涉及光伏组件生产技术领域，该方法包括：承接平台用于承放光伏组件，按压机构的前端用于按压定位延伸出电池串端部的导线的折弯点处，平推机构可沿着折弯方向往复移动地设于承接平台的上部，用于将折弯点一侧的电池...
    2026-01-20
  • 一种BC覆膜电池串制串方法
    一种BC覆膜电池串制串方法_苏州小牛自动化设备有限公司_202411153688.7
    本发明涉及太阳能电池串生产技术领域，具体涉及一种BC覆膜电池串制串方法，其包括如下步骤：S1，向第二位置提供胶膜；S2，在位于第二位置的胶膜上铺设一组焊带，焊带的前半段位于第二位置，焊带的后半段位于第一位置；S3，在位于第二位置的胶膜上叠放...
    2026-01-20
  • 芯片封装方法和芯片封装结构
    芯片封装方法和芯片封装结构_甬矽电子(宁波)股份有限公司_202511804402.1
    本申请提供的一种芯片封装方法和芯片封装结构，涉及半导体封装技术领域。该芯片封装方法包括提供贴装有芯片的基板；其中，芯片远离基板的一侧具有功能区；芯片和基板电连接。在功能区外围形成围栏；其中，围栏包括多个间隔设置的立柱；相邻的立柱之间具有第一...
    2026-01-20
  • 背照式图像传感器及其制备方法
    背照式图像传感器及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511797938.5
    本申请涉及一种背照式图像传感器及其制备方法，包括：衬底，衬底包括位于第一表面上，且沿平行于第一表面的第一方向交替排列的光电二极管及隔离结构；隔离结构包括沿背离衬底的第二方向交替层叠的SiB层及氧化层；光电二极管内包括沿背离衬底的第二方向排列...
    2026-01-20
  • 图像传感器及其制造方法
    图像传感器及其制造方法_上海华力微电子有限公司_202410867374.7
    本发明公开了一种图像传感器的单元结构，包括：半导体衬底。光电转换二极管，形成于半导体衬底中。在半导体衬底的背面区域中形成有一个以上的凹槽，凹槽的剖面呈顶点朝下的三角形或者呈倒梯形。在凹槽中填充有第一介质层，第一介质层的折射率小于半导体衬底的...
    2026-01-20
  • 图像感测装置的制造方法及图像感测装置
    图像感测装置的制造方法及图像感测装置_同欣电子工业股份有限公司_202410856289.0
    一种图像感测装置的制造方法包括至少下列步骤：将一图像感测芯片固定于一承载基板的上表面；提供多条金属接线分别连接图像感测芯片的多个芯片接垫与承载基板的多个基板接垫；提供一盖板，于盖板的底面生成一限位坝墙，限位坝墙通过热可塑材料邻接盖板；将限位...
    2026-01-20
  • 基于亚波长多晶硅光栅的全集成多色可见光探测器与其制备方法
    基于亚波长多晶硅光栅的全集成多色可见光探测器与其制备方法_天津城建大学_202410855298.8
    本发明属于可见光探测技术领域，为实现对多色可见光的精确探测与多波长接收机的单片集成，本发明提出一种基于亚波长多晶硅光栅的全集成多色可见光探测器.该探测器包含可以实现分别对蓝色、绿色和红色三色信号的选择性探测的三个探测器。其原理是多色探测器中...
    2026-01-20
  • 背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器
    背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511797745.X
    本公开涉及一种背照式图像传感器制备方法及背照式图像传感器，涉及集成电路技术领域，包括：提供衬底，于衬底的背面形成第一半导体层，第一半导体层内包括间隔排布的多个底光敏叠层，底光敏叠层包括沿背离衬底的方向依次层叠的第一子光敏层、第二子光敏层及第...
    2026-01-20
  • 一种硒化锑光电探测器阵列及其制备方法
    一种硒化锑光电探测器阵列及其制备方法_南开大学_202511361779.4
    本发明提供了一种硒化锑光电探测器阵列，包括：依次层叠设置的衬底、底电极、N型导电层、P型吸收层、倍增层和顶电极，其中，所述P型吸收层、所述倍增层之间构设异质结能带。本发明提供的硒化锑光电探测器阵列及制备方法，其形成的单独吸光层与倍增层可以使...
    2026-01-20
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