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  • 提供一种TOPCon切片电池的制备方法、待切片电池、切片电池及光伏组件,方法包括,S10,对TOPCon硅片正面待切割区的硼硅玻璃层进行激光处理,化学腐蚀至少去除正面待切割区的硼发射极层,形成正面隔离区;对硅片背面预设区域的掩膜层进行激光处...
  • 本发明涉及太阳能电池领域,提供制备太阳能电池栅线的方法、太阳能电池片、太阳能电池及其制备方法。所述制备太阳能栅线的方法包括以下步骤:(1)提供N面和P面均具有感光胶的黄膜片,并在所述N面和所述P面中任一面打印栅线图案形成光刻胶层,对未打印栅...
  • 本申请提供半导体结构及其形成方法,所述半导体结构包括:基底,所述基底表面形成有第一波导以及覆盖所述基底和第一波导的包覆层,所述第一波导的两侧中形成有第一轻掺杂区和第二轻掺杂区;第一介质层,位于所述包覆层表面;外延层,位于所述第一介质层、部分...
  • 本发明实施例提供了一种光电合封结构及其制造方法、电子设备,光电合封结构包括:光芯片,所述光芯片的表面具有裸露的第一导电垫;电芯片,键合于所述光芯片上,所述电芯片包括堆叠键合的信号层和电源层,所述信号层和电源层之间电连接,所述信号层具有裸露的...
  • 本申请提供一种图像传感器及其制备方法,包括:提供衬底,衬底具有第一表面和第二表面,衬底包括第一区域;对第一区域的衬底的第一表面执行第一离子注入工艺,以在第一区域的衬底中形成第一隔离区,第一隔离区位于深沟槽底部区域,相邻的第一隔离区之间的衬底...
  • 本发明涉及集成电子器件技术领域,尤其是一种搭载显示功能的沟槽栅型图像传感器装置及其制作方法。一种搭载显示功能的沟槽栅型图像传感器装置,包括驱动背板以及设置在所述驱动背板上的多个像素单元,像素单元包括:显示子像素,包括通过巨量转移技术键合于所...
  • 提供了一种图像传感器以及制造该图像传感器的方法。图像传感器包括:光电转换器件,设置在像素阵列区域中;外围区域,设置在像素阵列区域的至少一侧;以及纳米结构层,设置在像素阵列区域和外围区域上。纳米结构层包括:超微透镜,在像素阵列区域上,其中,超...
  • 本发明提供一种D2W双层图像传感器封装及其制备方法,采用D2W形式集成可见光和短波红外光电芯片的图像传感器封装结构,其中,上层是像素感知层,同时集成CMOS工艺可见光像素陈列芯片和铟镓砷工艺短波红外像素陈列芯片;下层是CMOS工艺逻辑处理芯...
  • 一种图像传感器可以包括:第一结构,包括第一端子、覆盖第一端子的第一层间电介质、以及在第一层间电介质内并电连接到第一端子的第一键合焊盘;第二结构,包括第二端子、接触第二端子的第二层间电介质、以及在第二层间电介质内并电连接到第二端子的第二键合焊...
  • 一种固态影像感测器。固态影像感测器包含第一光电转换元件及第二光电转换元件,第二光电转换元件与第一光电转换元件相邻。固态影像感测器也包含彩色滤光层,彩色滤光层设置于第一光电转换元件及第二光电转换元件之上。固态影像感测器还包含汇聚结构及发散结构...
  • 本公开提供了一种例示性管芯及其制造方法、一组掩膜版,该例示性管芯可包括在重叠区域中重叠的第一区域和第二区域,以及以横跨该第一区域和该第二区域的网格布置的电路元件阵列。电路元件的重叠组可包括来自该阵列的设置在该重叠区域中的电路元件。当使用与该...
  • 一种图像传感器及其制备方法和电子设备,图像传感器包括半导体衬底,半导体衬底包括多个像素区域,各像素区域形成有阱区、至少两个光电转换元件、至少两个传输晶体管以及一个共享的浮动扩散区,阱区将各光电转换元件间隔开,各传输晶体管连接于各光电转换元件...
  • 本申请提供了一种用于锑化镓基红外探测器的抗界面扩散倒焊结构及方法,属于红外探测器技术领域;解决了现有技术难以有效抑制锑和焊料原子在高温工艺下的互扩散问题;该结构包括锑化镓基红外探测器芯片和读出电路,锑化镓基红外探测器芯片和读出电路的电极焊盘...
  • 图像传感器封装结构包含基板、图像感测芯片、金属线、支撑件、透光板体、第一及第二无源器件、封胶层、承载座及透镜模块。图像感测芯片位于基板的上表面。金属线电性连接图像感测芯片及上表面。支撑件位于上表面并围绕图像感测芯片及金属线。透光板体位于支撑...
  • 本发明公开了一种双波段光电探测锰锌铁氧体垂直场效应晶体管及制备方法,包括从下到上依次叠置的衬底、栅氧化层、第一沟道;源极和第一沟道之间设置有第二沟道;源极相对侧设置有漏极和栅极;所述第一沟道为石墨烯薄膜,第二沟道为锰锌铁氧体薄膜;第一沟道和...
  • 本发明提供了一种氮化镓异质结紫外探测器及其制备方法,氮化镓异质结紫外探测器包括依次叠设的第一电极、衬底、二维h‑BN层、非掺GaN成核层、p型GaN层以及第二电极。本发明插入了二维h‑BN层,作为外延模板,简化了制备工艺并降低成本,实现了高...
  • 本发明公开了一种金刚石/氧化镓紫外探测器及其制备方法,所述金刚石/氧化镓紫外探测器由下至上依次包括单晶金刚石衬底、本征单晶金刚石外延层、指型欧姆电极、氧化镓层、指型肖特基电极;指型欧姆电极包括相连的欧姆电极条阵列和欧姆电极pad;指型肖特基...
  • 本发明属于紫外光电探测技术领域,涉及一种应用于水下光通讯的自支撑SiC/GaN异质结纳米阵列及其制备方法和应用。本发明自支撑SiC纳米线阵列表层成功负载GaN薄层,并且不影响原始的纳米线阵列结构,使光阳极具有较大的比表面积,这不仅有利于光阳...
  • 本发明涉及太阳能电池技术领域,具体公开一种背接触电池组件及光伏系统,包括与第一汇流条电连接的第一电池串、与第二汇流条连接的第二电池串,与第一汇流条焊接的第一焊带最靠近第一汇流条的第一引线折弯处,且最靠近第一电池串的第一边缘,与第二汇流条焊接...
  • 本发明提供一种高效太阳能电池串及电池组件,属于光伏领域,电池串包括:沿第一方向排列的多个电池片,其中,每一电池片的第一表面沿所述第一方向划分为绒面区和钝化区,所述钝化区位于所述电池片分切时被激光切割的切割侧,且所述钝化区无PN结;每相邻的两...
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