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最新专利技术
  • 一种蒽-芘/多孔碳复合材料及其制备方法和应用
    一种蒽-芘/多孔碳复合材料及其制备方法和应用_潍坊科技学院_202511783413.6
    本发明公开了一种蒽‑芘/多孔碳复合材料及其制备方法和应用，涉及新能源储能材料技术领域。本发明利用ZIF‑8和单宁酸作为原料，经反应和碳化处理后，得ZIF‑8衍生碳材料，然后将蒽和芘混合分散至甲苯中得蒽‑芘混合液，将ZIF‑8衍生碳材料加入至...
    2026-02-13
  • 一种干法正极膜的制备方法、干法正极膜、正极极片和全固态电池
    一种干法正极膜的制备方法、干法正极膜、正极极片和全固态电池_清陶(昆山)能源发展集团股份有限公司_202511746955.6
    本发明提供了一种干法正极膜的制备方法、干法正极膜、正极极片和全固态电池，属于锂离子电池技术领域；所述干法正极膜的制备方法，包括将正极活性物质、导电剂、固态电解质、添加剂和粘结剂混合至均匀，得到混料团块；将混料团块重复辊压折叠，得到干法正极膜...
    2026-02-13
  • 一种金属离子掺杂磷酸锰铁锂正极材料及其制备方法
    一种金属离子掺杂磷酸锰铁锂正极材料及其制备方法_湖南裕能新能源电池材料股份有限公司_202511740715.5
    本发明涉及锂离子电池技术领域，具体涉及一种金属离子掺杂磷酸锰铁锂正极材料及其制备方法，用于解决现有的磷酸锰铁锂正极材料的电化学性能和循环稳定性较差的问题；该制备方法通过向磷酸锰铁锂中掺杂金属离子铌‑钛来优化其电化学性能和循环性能以及电导率，...
    2026-02-13
  • 一种电池正极材料干法研磨制备工艺
    一种电池正极材料干法研磨制备工艺_湖南宏工智能科技有限公司_202511336860.7
    一种电池正极材料干法研磨制备工艺，包括以下步骤：S1、原料暂存：将制备正极材料所需的各种固体原料分别进行解包并独立暂存；S2、计量：对暂存后的各原料按其化学计量配比进行称量；S3、干法研磨：将计量后的全部原料输送至干法研磨设备中，在其内设置...
    2026-02-13
  • 硅基石墨混合浆料及其制备方法、负极片和电池
    硅基石墨混合浆料及其制备方法、负极片和电池_上海轩邑新能源发展有限公司_202511291792.7
    本发明提供了一种硅基石墨混合浆料及其制备方法、负极片和电池。该制备方法包括以下步骤：步骤S1，将包括硅基活性材料、聚丙烯酸和水的原料进行第一混合，得到第一浆料；步骤S2，将包括分散剂和水的原料进行第二混合，得到第二浆料；步骤S3，将第二浆料...
    2026-02-13
  • 电极片及其制备方法和电池
    电极片及其制备方法和电池_江苏正力新能电池技术股份有限公司_202511163982.0
    本发明涉及电池技术领域，具体涉及一种电极片及其制备方法和电池。所提供的电极片的制备方法包括：S1、将包含锂源的第一溶液和包含硫源的第二溶液混合，得到混合溶液；S2、将所述混合溶液与具有涂层的集流体进行接触，在所述涂层中生成硫化物固态电解质，...
    2026-02-13
  • 一种Ce, Nd-MOF-5/GO/PANI复合材料、制备方法及其应用
    一种Ce, Nd-MOF-5/GO/PANI复合材料、制备方法及其应用_内蒙古工业大学_202511745765.2
    本发明公开一种Ce, Nd‑MOF‑5/GO/PANI复合材料、制备方法及其应用，以双稀土元素掺杂改性的MOF‑5为骨架，通过与氧化石墨烯复合构建三维导电网络，并利用原位聚合法聚合高导电性的聚苯胺。通过对复合材料进行循环伏安测试分析其电化学...
    2026-02-13
  • 作为显示器使用且填充有反射胶体以增进发光亮度的Mini LED灯板及其Mini LED显示器
    作为显示器使用且填充有反射胶体以增进发光亮度的Mini LED灯板及其Mini LED显示器_星彩显示股份有限公司_202410804582.2
    一种作为显示器使用且填充有反射胶体以增进发光亮度的Mini LED灯板及其Mini LED显示器，灯板包含基板、LED单元、第一及第二反射胶体，LED单元布设于基板且分别包含第一、第二LED或第一至第三LED，LED的发光角度≥90度。第一...
    2026-02-13
  • 无源器件及其制备方法、封装结构、集成电路
    无源器件及其制备方法、封装结构、集成电路_苏州华太电子技术股份有限公司_202511383695.0
    本申请提供一种无源器件及其制备方法、封装结构、集成电路。该无源器件包括电容结构和基底，电容结构包括第一极板、第二极板和介电层，第一极板和第二极板沿第一方向间隔排布，且介电层设置于第一极板和第二极板之间；第一极板和第二极板在第一方向至少部分重...
    2026-02-13
  • 半导体封装载板结构及其制法
    半导体封装载板结构及其制法_恒劲科技股份有限公司_202410835799.X
    本发明提出一种半导体封装载板结构及其制法。半导体封装载板结构包括一包含有至少一第一图案化布线层、一第一介电层、一第二介电层及一第三介电层的线路增层结构，以及至少一由漆包线构成的绕线螺旋线圈；其中，该第一图案化布线层嵌埋于该第三介电层内，且该...
    2026-02-13
  • 一种半导体测试结构
    一种半导体测试结构_湖北江城实验室_202511739104.9
    本公开实施例提供了一种半导体测试结构，包括：叠层分布的第一金属层和第二金属层之间被介质层填充；第一测试链和第二测试链分别分布于第一金属层和第二金属层；第一测试链包括第一主链和多个第一支链，第一支链依次沿第一方向和第二方向蜿蜒延伸且半包围多个...
    2026-02-13
  • 半导体测试结构以及半导体结构的测试方法
    半导体测试结构以及半导体结构的测试方法_联芯集成电路制造(厦门)有限公司_202410840238.9
    本发明公开一种半导体测试结构以及半导体结构的测试方法，其中半导体测试结构包含一基底，多个栅极结构位于该基底上，多个薄膜电阻层，各该薄膜电阻层分别位于该多个栅极结构中的其中一个栅极结构的上方，且该多个薄膜电阻层位于一介电层中，一测试线路层，位...
    2026-02-13
  • 晶片结构及芯片结构
    晶片结构及芯片结构_联咏科技股份有限公司_202410819897.4
    本发明公开一种晶片结构及芯片结构，其中晶片结构包括衬底、切割道、芯片线路图案以及周边金属图案。切割道于所述衬底上定义出芯片单元。芯片线路图案设置于所述芯片单元的中心区域。周边金属图案设置于所述芯片单元的周边区域，其环绕所述中心区域。所述周边...
    2026-02-13
  • 一种检测晶边清洗宽度的测试片及方法
    一种检测晶边清洗宽度的测试片及方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202410781184.3
    本发明公开了一种检测晶边清洗宽度的测试片及方法，测试片包括：基片；检测膜层，设于所述基片的表面上；所述检测膜层包括水溶性膜层、酸碱指示膜层或遇水变透明膜层；所述检测膜层用于在所述测试片经过晶边清洗后，在所述测试片的边缘上显现出能够被检测洗边...
    2026-02-13
  • 半桥系统、芯片及半桥系统的制备方法
    半桥系统、芯片及半桥系统的制备方法_湖北九峰山实验室_202511392546.0
    本发明提供了一种半桥系统、芯片及半桥系统的制备方法，涉及功率技术领域，半桥系统包括依次连接的上管和下管；且，上管的源极与下管的漏极连接；上管的源极与下管的漏极之间设置有混合键合，上管的源极与下管的漏极通过混合键合形成互联，且，上管的源极与下...
    2026-02-13
  • 扇出型晶圆级封装单元
    扇出型晶圆级封装单元_华东科技股份有限公司_202410840229.X
    本发明公开一种扇出型晶圆级封装单元，包括载板、至少一下层裸晶、第一介电层、至少一第一导接线路、第二介电层、至少一第二导接线路、至少一上层裸晶、第三介电层、至少一第三导接线路、第四介电层、至少一第四导接线路及外护层；其中该至少一下层裸晶与该至...
    2026-02-13
  • 扇出型晶圆级封装单元打线接合在电子元件上的模块
    扇出型晶圆级封装单元打线接合在电子元件上的模块_华东科技股份有限公司_202410840192.0
    本发明公开一种扇出型晶圆级封装单元打线接合在电子元件上的模块，包括载板、第一裸晶、第一介电层、多条第一导接线路、第二介电层、多条第二导接线路、第二裸晶、电子元件、至少一第一焊线、至少两条第二焊线及至少一第三焊线；其中各第二导接线路是由填注设...
    2026-02-13
  • 一种芯片封装结构、其制作方法及电子设备
    一种芯片封装结构、其制作方法及电子设备_华为技术有限公司_202410836107.3
    本申请提供了一种芯片封装结构、其制作方法及电子设备。芯片封装结构包括：第一重布线层、桥接芯片、第一芯片、第二芯片、有机膜层和导电通孔。第一重布线层和桥接芯片叠层设置，第一芯片和第二芯片位于桥接芯片背离第一重布线层的一侧，第一芯片通过桥接芯片...
    2026-02-13
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202410831053.1
    一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，基底中形成有互连层；通孔互连结构，位于基底中并与互连层电连接；衬垫层，位于通孔互连结构的侧壁和基底之间；一个或多个间隔分布的应力缓冲结构，嵌于衬垫层侧部的基底中，并与衬垫层的侧壁相连，应力缓...
    2026-02-13
  • 半导体结构和半导体器件
    半导体结构和半导体器件_长鑫科技集团股份有限公司_202410815372.3
    本申请涉及一种半导体结构和半导体器件，其中半导体结构，包括：衬底；沟槽组，位于衬底内；沟槽组至少包括第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽，第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽依次相邻且相互平行设置；第一沟槽的长度小于第三沟槽的长度；接触插塞，至少位于第一沟...
    2026-02-13
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