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最新专利技术
  • 一种芯片封装结构、其制作方法及电子设备
    一种芯片封装结构、其制作方法及电子设备_华为技术有限公司_202410836107.3
    本申请提供了一种芯片封装结构、其制作方法及电子设备。芯片封装结构包括：第一重布线层、桥接芯片、第一芯片、第二芯片、有机膜层和导电通孔。第一重布线层和桥接芯片叠层设置，第一芯片和第二芯片位于桥接芯片背离第一重布线层的一侧，第一芯片通过桥接芯片...
    2026-02-14
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202410831053.1
    一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，基底中形成有互连层；通孔互连结构，位于基底中并与互连层电连接；衬垫层，位于通孔互连结构的侧壁和基底之间；一个或多个间隔分布的应力缓冲结构，嵌于衬垫层侧部的基底中，并与衬垫层的侧壁相连，应力缓...
    2026-02-14
  • 半导体结构和半导体器件
    半导体结构和半导体器件_长鑫科技集团股份有限公司_202410815372.3
    本申请涉及一种半导体结构和半导体器件，其中半导体结构，包括：衬底；沟槽组，位于衬底内；沟槽组至少包括第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽，第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽依次相邻且相互平行设置；第一沟槽的长度小于第三沟槽的长度；接触插塞，至少位于第一沟...
    2026-02-14
  • 电子装置封装
    电子装置封装_日月光半导体制造股份有限公司_202411806040.5
    本公开涉及一种电子装置封装，其包含第一衬底、所述第一衬底上方的第二衬底以及连接于所述第一衬底与所述第二衬底之间的集成电路IC。所述IC经配置以调节电力信号，其中所述IC与所述第二衬底之间的电力信号路径在所述第一衬底上的投影完全在所述IC在所...
    2026-02-14
  • 一种三相低压MOSFET封装集成功率模块
    一种三相低压MOSFET封装集成功率模块_华侨大学_202511756127.0
    本发明提供了一种三相低压MOSFET封装集成功率模块，其将驱动组件、直流母线电容等模块集成于铝壳封装内。三片DBC基板分别承载U、V、W相桥臂，每相由若干并联MOSFET芯片构成上下桥臂，芯片漏极直接焊接于DBC上铜层，栅极经铜柱与上层驱动...
    2026-02-14
  • 半导体结构以及半导体集成结构
    半导体结构以及半导体集成结构_长鑫科技集团股份有限公司_202410846462.9
    本公开实施例提供了一种半导体结构，包括：衬底，衬底上覆盖有介质层，介质层包括第一区域和环绕第一区域的第二区域；设置在第一区域的介质层中的第一导电垫，第一导电垫的顶表面具有凹陷或凸起的部分，介质层覆盖所述第一导电垫的顶表面；设置在第二区域的介...
    2026-02-14
  • 基板及其制备方法、集成无源器件、电子装置
    基板及其制备方法、集成无源器件、电子装置_北京京东方光电科技有限公司_202410831909.5
    本公开提供了一种基板及其制备方法、集成无源器件、电子装置，属于半导体技术领域。基板，包括：基底，所述基底的表面设置有过孔结构，所述基底包括包围至少部分所述过孔结构的掺杂区域，所述掺杂区域为包含有掺杂离子的基底。本公开实施例能够实现更高深宽比...
    2026-02-14
  • 一种半导体封装框架以及制备方法
    一种半导体封装框架以及制备方法_深圳市五新材料科技有限公司_202511750218.3
    本申请涉及半导体封装技术领域，提供了一种半导体封装框架以及制备方法，包括：载板，其上设有粘接层，粘接层平铺在载板上；若干电极，若干电极通过粘接层矩阵且成对粘接在载板上；若干半导体芯片，若干个半导体芯片分别焊接在成对设置的两个电极上；封装框架...
    2026-02-14
  • 一种半导体功率器件的散热装置
    一种半导体功率器件的散热装置_东莞市隆慧电子科技有限公司_202511708997.0
    本发明涉及半导体功率技术领域，具体涉及一种半导体功率器件的散热装置，包括引线框架，所述引线框架上固定有芯片，所述芯片上设有铜带，所述铜带包括矩形铜板，矩形铜板与芯片焊接，矩形铜板上设有四个第一变形区域和四个第二变形区域，四个第一变形区域绕矩...
    2026-02-14
  • 基板，特别是用于半导体封装中以用于安装半导体管芯元件的引线框架基板
    基板，特别是用于半导体封装中以用于安装半导体管芯元件的引线框架基板_安世有限公司_202510842218.X
    基板，特别是用于半导体封装中以用于安装半导体管芯元件的引线框架基板，其中所述基板由分层配置组成，所述分层配置至少包括：第一材料的第一层，所述第一材料的所述第一层包括第一表面侧和与所述第一表面侧相对的第二表面侧，所述第一表面侧被布置成接收半导...
    2026-02-14
  • 半导体器件和制造该半导体器件的方法
    半导体器件和制造该半导体器件的方法_安世有限公司_202510841892.6
    根据本公开的第一实例，提出了一种半导体器件，该半导体器件包括：管芯，该管芯构成半导体器件的顶层，优选地由硅树脂制成；引线框架，该引线框架构成半导体器件的底层，具有在6.3×107西门子至1×106西门子之间的范围内、更优选地1×107西门子...
    2026-02-14
  • 具有改进的引线结构的引线框架封装
    具有改进的引线结构的引线框架封装_意法半导体国际公司_202510828576.5
    本公开涉及具有改进的引线结构的引线框架封装。提供了示例引线框架封装、制造引线框架封装的方法以及包括具有改进的导电引线结构的引线框架封装的电系统。示例引线框架封装包括热耦合到管芯焊盘的半导体IC。模制材料包围半导体IC，从而限定引线框架封装的...
    2026-02-14
  • 芯片封装结构
    芯片封装结构_北京有竹居网络技术有限公司_202410841126.5
    本公开公开一种芯片封装结构，包括：电路板组件，包括电路板；芯片组件，设置在所述电路板上并且包括沿平行于所述电路板的方向并排设置的至少两个芯片层叠结构，每个所述芯片叠层结构包括基板和设置在所述基板上的芯片；桥接组件，沿所述电路板的厚度方向设置...
    2026-02-14
  • 一种异质芯片集成的高温封装结构及其封装方法
    一种异质芯片集成的高温封装结构及其封装方法_无锡中微高科电子有限公司_202511369178.8
    本发明涉及半导体封装技术领域，具体公开了一种异质芯片集成的高温封装结构及其封装方法，该封装结构包括两颗异质芯片、陶瓷管壳、过渡片、高温焊料、键合金丝、键合铝丝和平封盖板，陶瓷管壳包括封口环、键和指区域、芯片装片区和芯片互联区，第一过渡片和第...
    2026-02-14
  • 半导体封装
    半导体封装_安世有限公司_202510843436.5
    一种半导体封装及其制造方法，以及一种引线框架，其中该半导体封装包括此类引线框架，此类引线框架至少包括管芯焊盘安装部分和键合夹具安装部分。引线框架呈现纵向尺寸和垂直于第一纵向尺寸定向的横向尺寸。该半导体封装进一步包括半导体管芯，该半导体管芯具...
    2026-02-14
  • 烧结接合用片材、以及烧结接合用片材的制造方法
    烧结接合用片材、以及烧结接合用片材的制造方法_日东电工株式会社_202510679482.6
    本发明提供烧结接合用片材等，所述烧结接合用片材具备：烧结接合层，其包含烧结性颗粒和有机粘结剂，该烧结性颗粒含有导电性金属；以及基材层，其与所述烧结接合层的至少一个表面重叠，与所述基材层重叠的所述烧结接合层的所述表面具有10.5nm以上且90...
    2026-02-14
  • 一种加快处理天线效应的方法
    一种加快处理天线效应的方法_中茵微电子(南京)有限公司_202511293385.X
    本发明公开了一种加快处理天线效应的方法，涉及天线效应处理技术领域。该方法包括：获取半导体器件设计中的金属层信息和工艺规则数据；根据金属层信息和工艺规则数据确定存在天线效应风险的金属区域；针对存在天线效应风险的金属区域，采用自动化脚本生成跳线...
    2026-02-14
  • 高散热功率半导体模块及模块连接组件
    高散热功率半导体模块及模块连接组件_江苏宏微科技股份有限公司_202511734929.1
    本发明属于功率半导体模块技术领域，具体涉及一种高散热功率半导体模块及模块连接组件。本发明的高散热功率半导体模块包括：封装材料；第一散热器和第二散热器，位于封装材料内；各散热器的两端分别设置有功率端子；若干功率芯片，设置在第一散热器和第二散热...
    2026-02-14
  • 冷却装置、电子器件及电子设备
    冷却装置、电子器件及电子设备_华为技术有限公司_202410841104.9
    本申请的实施例提供了一种冷却装置、电子器件及电子设备，涉及半导体技术领域，用于提高电子器件的可靠性。该冷却装置包括：基板、第一隔离部和第二隔离部。所述第一隔离部呈环形。第二隔离部设置于所述基板上，与所述第一隔离部间隔设置，并绕所述第一隔离部...
    2026-02-14
  • 具散热封装的高功率积体电路元件
    具散热封装的高功率积体电路元件_广州力及热管理科技有限公司_202410824423.9
    一种具散热封装的高功率积体电路元件，包含电路基板、晶片以及三维蒸气腔元件，电路基板具有上基板表面，且晶片设置于电路基板的上基板表面上，晶片具有晶片表面。三维蒸气腔元件包含上盖、下板以及多个微流道，上盖具有开孔及上表面，下板相对于上盖，具有一...
    2026-02-14
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