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最新专利技术
  • 一种改善高压器件鸟嘴效应的方法
    一种改善高压器件鸟嘴效应的方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410806367.6
    本发明提供一种改善高压器件鸟嘴效应的方法，包括：提供衬底，衬底内形成有浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构的两侧为源/漏区域与栅氧化层区域；在衬底上形成掩膜层；在掩膜层与浅沟槽隔离结构内形成凹槽；填充凹槽形成氧隔离层；在栅氧化层区域内的衬底上形成...
    2026-02-14
  • 相变激光退火控制方法及装置
    相变激光退火控制方法及装置_深圳市智鼎自动化技术有限公司_202511759268.8
    本发明涉及激光加工控制技术领域，公开了一种相变激光退火控制方法及装置。所述方法包括：获取电容信号数据，分析当前相变状态指标；比对理想曲线得到相变速率偏差值；若偏差超过阈值则调整激光功率并生成功率分布图；提取热响应特征计算相变速率修正值；融合...
    2026-02-14
  • 一种在Si衬底上外延高质量AlN的分子束外延制备方法及AlN外延片
    一种在Si衬底上外延高质量AlN的分子束外延制备方法及AlN外延片_湖北九峰山实验室_202511741579.1
    本发明涉及一种在Si衬底上外延高质量AlN的分子束外延制备方法及AlN外延片，制备方法包括：S1.获取衬底，对衬底进行红外灯烘烤，加热预处理后进行高温脱氧，得到预处理衬底；S2.采用分子束外延方法，在预处理衬底上预铺Al层；S3.采用分子束...
    2026-02-14
  • 包括等离子体掺杂过程的形成半导体器件的方法
    包括等离子体掺杂过程的形成半导体器件的方法_英飞凌科技股份有限公司_202510841084.X
    提出了一种形成半导体器件(100)的方法。该方法包括在SiC半导体主体(102)中形成第一导电类型的掺杂区(118)。形成掺杂区(118)包括通过至少一个离子注入过程(I2t，I2nt)将第一导电类型的掺杂剂引入到SiC半导体主体(102)...
    2026-02-14
  • 一种半导体结构的制作方法
    一种半导体结构的制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511492159.4
    本发明公开了一种半导体结构的制作方法，属于半导体技术领域。所述制作方法至少包括以下步骤：提供一衬底；在所述衬底上形成待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成无定形碳层；对所述无定形碳层进行清洗，再进行热处理和等离子处理；在所述无定形碳层上形成抗反射层...
    2026-02-14
  • 一种用于激光驱动光源的单电极灯腔
    一种用于激光驱动光源的单电极灯腔_上海神光激光技术制造装备研发有限公司_202410819946.4
    本发明涉及单电极灯技术领域，且公开了一种用于激光驱动光源的单电极灯腔，包括：壳体(1)和覆盖在该壳体(1)外部的碗状反射镜(4)，所述壳体(1)内，与所述反射镜(4)的焦点处设有填充有混合气体的密封空间(2)，单电极(3)埋设在所述壳体(1...
    2026-02-14
  • 一种结合射频放电检测挥发性物质的质谱电离源
    一种结合射频放电检测挥发性物质的质谱电离源_南开大学_202511426808.0
    本发明涉及质谱检测技术领域，具体公开了一种结合射频放电检测挥发性物质的质谱电离源，解决了现有质谱技术中传统离子源在分析挥发性物质时存在的样品前处理步骤繁琐、分析周期长及仪器成本较高等问题；所述电离源用于对待测样品分子离子化；所述电离源的质谱...
    2026-02-14
  • 质谱分析仪与离子筛选方法
    质谱分析仪与离子筛选方法_深圳迈瑞生物医疗电子股份有限公司_202410837580.3
    本发明公开了质谱分析仪与离子筛选方法，质谱分析仪包括真空腔室、光源模块、检测模块、加速模块、偏转模块与控制器：光源模块被配置为向目标物照射光线以产生基质离子与样本离子；偏转模块包括第一电极片对，第一电极片对用于形成第一偏转电场与第二偏转电场...
    2026-02-14
  • 一种离子接收装置
    一种离子接收装置_四川红华实业有限公司_202511755677.0
    本发明属于质谱分析仪器领域，具体涉及了一种离子接收装置，旨在解决组合式接收器多通道间的信号串扰问题。本发明提供的离子接收装置包括接收器本体以及安装于接收器本体的信号探测杯单元、狭缝片、抑制栅单元、法拉第杯单元和电子倍增器单元；狭缝片、抑制栅...
    2026-02-14
  • 质谱仪
    质谱仪_深圳市禾越生物科技有限公司_202511746536.2
    本申请提供了一种质谱仪，涉及分析仪器技术领域，质谱仪包括：离子源、初级真空腔、次级真空腔、质量分析器、离子检测模块、第一温度调节装置以及第二温度调节装置；其中，设置第一温度调节装置，以通过热交换降低所述初级真空腔的温度；设置第二温度调节装置...
    2026-02-14
  • 一种质谱仪及其使用方法
    一种质谱仪及其使用方法_杭州谱育科技发展有限公司_202511603881.0
    本发明公开了一种质谱仪及其使用方法，包括多个电离效率相近或相同的质子转移反应离子源、至少具备四个端口的离轴偏转电极腔体、离子检测器、TOF腔体及控制模块，多个质子转移反应离子源至少包括一个第一离子源和一个第二离子源，且第二离子源的离子流强度...
    2026-02-14
  • 一种光离子化检测器的电离室
    一种光离子化检测器的电离室_深圳市特安电子有限公司_202511750874.3
    本发明公开了一种光离子化检测器的电离室，包括阴电极和阳电极，阴电极与阳电极重叠设置，在阳电极或阴电极的一侧设置紫外灯，阴电极与阳电极均设有相互连通的气流流道，紫外灯位于气流流道的内端，阴电极或阳电极的气流流道边缘设有高压结构。本发明在阴电极...
    2026-02-14
  • 刻蚀设备预测性维护方法、装置及相关设备
    刻蚀设备预测性维护方法、装置及相关设备_浙江创芯集成电路有限公司_202511292723.8
    本申请提供一种刻蚀设备预测性维护方法、装置及相关设备，方法包括：获取刻蚀设备的反应腔室的多维数据；根据等离子体发射光谱数据，生成等离子体稳定性指标；将射频功率波动值、反应气体浓度变化率和静电卡盘中心点温度值输入特征融合模型，生成刻蚀均匀性预...
    2026-02-14
  • 维护装置、真空处理系统和维护方法
    维护装置、真空处理系统和维护方法_东京毅力科创株式会社_202511198269.X
    本发明提供维护装置、真空处理系统和维护方法。维护装置包括：形成有开口部的壳体，开口部具有与在处理容器设置有第一开闭门和第二开闭门的真空处理装置的第二开闭门对应的尺寸，第一开闭门用于基片的送入送出，第二开闭门与第一开闭门不同，能够将开口部气密...
    2026-02-14
  • 一种介质窗控温结构及介质窗控温方法
    一种介质窗控温结构及介质窗控温方法_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202410828665.5
    本申请提供一种介质窗控温结构及介质窗控温方法，介质窗控温结构包括：介质窗、盖板、边缘风扇、导风板和导风板调节器。盖板和介质窗相对设置，边缘风扇设置于盖板靠近介质窗的一侧表面，导风板调节器设置于边缘风扇靠近介质窗的一侧表面，导风板设置于导风板...
    2026-02-14
  • 一种半导体芯片制造离子注入设备
    一种半导体芯片制造离子注入设备_大连榕树光学有限公司_202511756390.X
    本发明公开了一种半导体芯片制造离子注入设备，属于半导体芯片制造技术领域，包括底板，所述底板的上方设置有龙门架，龙门架的内部设置有离子注入机本体，离子注入机本体上方的一端设置有离子箱，离子注入机本体上方的另一端设置有抽风机，底板上方的一端设置...
    2026-02-14
  • 离子注入机、晶圆电荷量的检测方法
    离子注入机、晶圆电荷量的检测方法_上海积塔半导体有限公司_202511408706.6
    本发明涉及一种离子注入机、晶圆电荷量的检测方法，涉及半导体技术领域，其中，离子注入机设置了转盘、离子束发射器、支撑架以及检测板，在进行离子注入时，转盘转动，不同承载区的晶圆会经过检测板，从而进行检测，设置有检测板的离子注入机可以实时检测晶圆...
    2026-02-14
  • 一种粒子源组件及粒子束设备
    一种粒子源组件及粒子束设备_华为技术有限公司_202410835757.6
    本申请实施例提供了一种粒子源组件及粒子束设备，涉及带电粒子束加工与检测设备技术领域，用于提高对带电粒子束的束流状态调整的自由度。该粒子源组件包括沿第一方向排布的粒子源、可调光阑和准直透镜装置；其中，粒子源用于产生沿第一方向朝向可调光阑出射的...
    2026-02-14
  • 一种空间行波管
    一种空间行波管_山东微波电真空技术有限公司_202511227549.9
    本发明提供一种空间行波管，包括依次相连的电子枪、慢波系统和收集极，所述收集极包括收集腔和多个并行设置的子收集极，所述收集腔一端连接慢波系统另一端连接子收集极，子收集极连接收集腔的位置设置反射电子进入子收集极的反射装置；所述收集极外侧设置液冷...
    2026-02-14
  • 平面分布多注电子枪
    平面分布多注电子枪_中国科学院空天信息创新研究院_202511177917.3
    本公开提供一种平面分布多注电子枪，涉及微波电真空的技术领域，平面分布多注电子枪包括：壳体；阴极组件，设置于壳体内，阴极组件包括：阴极头，阴极头的表面具有间隔地平行布置在共同平面内的多个发射面，多个发射面被构造成受热后逸出电子；阳极，设置于壳...
    2026-02-14
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