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最新专利技术
  • 微型发光二极管结构
    微型发光二极管结构_上海显耀显示科技有限公司_202511242785.8
    本公开提供一种微型发光二极管结构，包括：基板；形成于所述基板的上方的至少一个微型发光二极管，所述微型发光二极管包括：金属层，形成于所述基板的上方；发光层，形成于所述金属层的上方；绝缘层，覆盖所述微型发光二极管，所述绝缘层包括开口，所述开口暴...
    2026-01-01
  • 显示装置
    显示装置_三星电子株式会社_202510155919.6
    一种显示装置包括：衬底；第一子像素、第二子像素和第三子像素，第一子像素、第二子像素和第三子像素布置在衬底上并且在水平方向上彼此分离；第一导线，其将第一子像素彼此电连接；第二导线，其将第二子像素彼此电连接，并且第一导线与第二导线电分离。
    2026-01-01
  • 一种微显示芯片结构及其制作工艺
    一种微显示芯片结构及其制作工艺_昆山麦沄显示技术有限公司_202511312593.X
    本申请公开了一种微显示芯片结构及其制作工艺，结构包括有机透明支撑衬底、光转换层、P型掺杂单晶硅、蓝光外延结构、透明导电层、扩展电极、含炭黑的吸光隔离绝缘层及焊线电极；制造采用临时键合‑衬底减薄‑激光解键合流程；本申请针对现有Mi cro L...
    2026-01-01
  • 显示模组和显示装置
    显示模组和显示装置_武汉华星光电半导体显示技术有限公司_202511197448.1
    本申请公开了一种显示模组和显示装置，显示模组包括衬底、驱动基板和触控基板，驱动基板包括依次设于衬底上的第一无机层和第一平坦层，驱动基板位于边缘区的部分形成有凹槽；触控基板包括依次设于驱动基板上的第二无机层和第二平坦层，触控基板位于边缘区的部...
    2026-01-01
  • 显示装置和包括显示装置的可穿戴电子装置
    显示装置和包括显示装置的可穿戴电子装置_三星显示有限公司_202510632509.6
    提供了一种显示装置和包括显示装置的可穿戴电子装置。所述显示装置包括：基底，显示区域和非显示区域限定在基底上；像素电路层，在基底上；多个发光元件，在显示区域中在像素电路层上；第一导电图案，在显示区域中在像素电路层上；多个坝结构，在非显示区域中...
    2026-01-01
  • 显示装置及其制造方法
    显示装置及其制造方法_阿尔卑斯阿尔派株式会社_202510798641.4
    课题在于，提供一种具备镜面反射降低构造的显示装置及其制造方法。解决手段在于，本发明的显示装置包括基板(130)、形成在基板(130)上的COM布线(140)和SEG布线(150)、以及配置在COM布线(140)与SEG布线(150)的交叉部...
    2026-01-01
  • 光耦合单芯片结构及其制造方法
    光耦合单芯片结构及其制造方法_台亚半导体股份有限公司_202411623355.6
    本发明提供一种光耦合单芯片结构及其制造方法，其中光耦合单芯片结构包含一发光单元、一收光单元及一电性隔绝层。电性隔绝层实体连结发光单元及收光单元于电性隔绝层的两相对侧面。发光单元可因应一输入信号形成一光信号后，光信号通过电性隔绝层直接由收光单...
    2026-01-01
  • 显示装置
    显示装置_群创光电股份有限公司_202411647883.5
    本揭露提供一种显示装置。显示装置包括第一基板、多个发光单元以及多个彩色滤光单元。多个发光单元设置于第一基板上。多个发光单元包括第一发光单元、第二发光单元以及第三发光单元。第一发光单元、第二发光单元以及第三发光单元分别发射不同颜色的光线。多个...
    2026-01-01
  • 显示装置及其制作方法
    显示装置及其制作方法_海信视像科技股份有限公司_202410745231.9
    本发明实施例提供的显示装置及其制作方法，包括：驱动基板，用于提供驱动信号；多个发光芯片，位于驱动基板上，与驱动基板电连接；透光介质层，覆盖多个发光芯片设置，透光介质层具有多个向发光芯片方向凹陷的凹槽，至少有一个凹槽与发光芯片对应设置；多个透...
    2026-01-01
  • 一种LED结构与光电探测结构集成器件及其制备方法
    一种LED结构与光电探测结构集成器件及其制备方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202511380464.4
    本申请属于半导体技术领域，公开了一种LED结构与光电探测结构集成器件及其制备方法。该器件包括硅衬底、底部硅电极层，底部硅电极层上设置有光电探测结构和LED结构；光电探测结构包括本征硅吸收层和顶部硅电极层；LED结构包括N型铝镓砷下包层、有源...
    2026-01-01
  • 芯片转移方法、暂态基板以及显示面板
    芯片转移方法、暂态基板以及显示面板_惠科股份有限公司_202511738702.4
    本申请公开了一种芯片转移方法、暂态基板以及显示面板，所述芯片转移方法包括步骤：将一生长基板，与暂态基板相对贴合，使得生长基板上阵列排布的芯片，与暂态基板上的阵列排布的热解胶块分别一一固定；将转移基板从远离暂态基板的一侧，与阵列排布的芯片连接...
    2026-01-01
  • 一种Micro LED显示灯板及其制备方法
    一种Micro LED显示灯板及其制备方法_惠州雷曼光电科技有限公司_202511578943.7
    本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种Micro LED显示灯板及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：S1：对基材进行预处理；S2：在S1处理后的基材的一面上制作粗化层；S3：在所述粗化层上磁控溅射二氧化硅或二氧化钛，形成高透反射层；S4：...
    2026-01-01
  • 一种界面散热结构应用于倒装芯片MIP封装的方法
    一种界面散热结构应用于倒装芯片MIP封装的方法_苏州芯聚半导体有限公司_202511365495.2
    本申请涉及半导体封装技术领域，公开了一种界面散热结构应用于倒装芯片MIP封装的方法，包括提供MIP模组，所述MIP模组包括芯片、平坦化填充胶层及金属电极层；刻蚀所述平坦化填充胶层，形成贯穿至所述金属电极层的刻穿槽；对所述刻穿槽的内壁进行界面...
    2026-01-01
  • 制造显示设备的方法
    制造显示设备的方法_三星显示有限公司_202510818276.9
    提供了一种制造显示设备的方法，包括：在第三方向上在衬底上在显示区域中形成堤，衬底在第一方向和与第一方向相交的第二方向上延伸，第三方向与第一方向和第二方向相交，堤具有开口；在显示区域中在第三方向上在衬底上形成坝构件，坝构件沿着显示区域的边缘设...
    2026-01-01
  • 显示装置和制造显示装置的方法
    显示装置和制造显示装置的方法_三星显示有限公司_202510666123.7
    本公开涉及一种制造显示装置的方法和显示装置。制造显示装置的方法包括：在生长基底上形成半导体堆叠结构；在半导体堆叠结构上形成基体接合电极；通过分别蚀刻半导体堆叠结构和基体接合电极来形成半导体堆叠图案和第一接合电极；以及将第一接合电极接合在像素...
    2026-01-01
  • 半导体结构的制备方法、芯片模组、背光模组及显示模组
    半导体结构的制备方法、芯片模组、背光模组及显示模组_上海芯元基半导体科技有限公司_202410795658.X
    本发明提供了一种半导体结构的制备方法，包括：形成玻璃基板，具有相对于第一面凹陷的至少M个第一凹槽，在每个凹槽内分别有填充红色荧光粉或者绿色荧光粉或者黄色荧光粉，荧光粉上有水氧隔离层和胶水键合层，第二面上具有粗糙面；在生长基板上形成M个芯片，...
    2026-01-01
  • 发光器件及其制备方法、显示面板
    发光器件及其制备方法、显示面板_京东方科技集团股份有限公司_202410796703.3
    本申请公开了一种发光器件及其制备方法、显示面板，涉及显示技术领域。发光器件包括构成容纳空间的挡墙结构，位于容纳空间内的发光单元，对发光单元发出的光线进行第一次转换的第一转换部，以及对发光单元发出的光线进行第二次转换的第二转换部。通过第一转换...
    2026-01-01
  • 一种LED发光芯片、发光器件及显示装置
    一种LED发光芯片、发光器件及显示装置_纳微朗科技(深圳)有限公司_202511405930.X
    本发明公开了一种LED发光芯片、发光器件及显示装置。发光芯片包括外延层和电极层；外延层包括层叠设置的第一半导体层、第二发光层、第一发光层以及第二半导体层；第一发光层和第二发光层之间具有空穴阻隔区；电极层包括第一电极和第二电极；其中，第一电极...
    2026-01-01
  • 改善光效的发光二极管及其制备方法和显示面板
    改善光效的发光二极管及其制备方法和显示面板_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511381329.1
    本公开提供了一种改善光效的发光二极管及其制备方法和显示面板，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括：外延层、电极、绝缘层和电流传导层，所述电极位于所述外延层的表面上，所述电流传导层位于所述外延层的表面上，且覆盖所述电极，所述绝缘层位于所述...
    2026-01-01
  • 蜂窝状n电极孔结构深紫外LED器件及其制备方法
    蜂窝状n电极孔结构深紫外LED器件及其制备方法_广西大学_202511219607.3
    本发明公开了一种蜂窝状n电极孔结构深紫外LED器件，以蓝宝石材质作为衬底，下至上依次包括AlN层，Si掺杂n‑AlGaN层，AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源层，p‑AlGaN电子阻挡层，Mg掺杂p‑AlGaN层，p‑GaN...
    2026-01-01
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