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最新专利技术
  • 蜂窝状n电极孔结构深紫外LED器件及其制备方法
    蜂窝状n电极孔结构深紫外LED器件及其制备方法_广西大学_202511219607.3
    本发明公开了一种蜂窝状n电极孔结构深紫外LED器件，以蓝宝石材质作为衬底，下至上依次包括AlN层，Si掺杂n‑AlGaN层，AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源层，p‑AlGaN电子阻挡层，Mg掺杂p‑AlGaN层，p‑GaN...
    2026-01-01
  • 一种深紫外发光二极管
    一种深紫外发光二极管_苏州紫灿科技有限公司_202511756037.1
    本申请公开一种深紫外发光二极管，涉及半导体照明技术领域。深紫外发光二极管包括外延结构和复合功能层，外延结构还包括呈阶梯结构的第一阶梯沟道和第二阶梯沟道，第一阶梯沟道设置成自p型注入层的顶面向下凹陷至n型注入层的顶面，第二阶梯沟道设置于n型电...
    2026-01-01
  • 改善断裂的发光器件及其制备方法和显示面板
    改善断裂的发光器件及其制备方法和显示面板_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511381256.6
    本公开提供了一种改善断裂的发光器件及其制备方法和显示面板，属于光电子制造技术领域。该发光器件包括：至少两个发光单元、桥接金属和第一承载层，所述至少两个发光单元间隔排布在所述第一承载层的表面上，所述桥接金属位于所述第一承载层的表面上，且位于所...
    2026-01-01
  • 电子束泵浦紫外LED装置
    电子束泵浦紫外LED装置_山西中科潞安半导体技术研究院有限公司_202511390352.7
    本发明属于紫外LED技术领域，具体涉及电子束泵浦紫外LED装置，包括底板、集光罩、泵浦设备、调节组件和上料组件，所述泵浦设备设置在集光罩内，所述泵浦设备包括电子枪、真空腔室、高压电场和多量子阱外延片，所述电子枪设置在真空腔室内的一端，所述多...
    2026-01-01
  • 一种基于双气体协同预处理的GAN基LED外延片生长方法
    一种基于双气体协同预处理的GAN基LED外延片生长方法_湘能华磊光电股份有限公司_202511402780.7
    本发明适用于发光二极管技术领域，提供了一种基于双气体协同预处理的GaN基LED外延片生长方法，该方法包括：bake阶段未通源前预处理，在温度为1060±5℃下通入70‑80SLM H2，压力为200‑300torr，持续5‑8分钟；生长N层...
    2026-01-01
  • 六方氮化硼单光子源的制备方法
    六方氮化硼单光子源的制备方法_中国科学院半导体研究所_202511214457.7
    本公开提供一种六方氮化硼单光子源的制备方法，包括：在第一衬底表面形成纳米颗粒；机械剥离六方氮化硼薄片，并转移至第二衬底上，对六方氮化硼薄片进行等离子体处理，向六方氮化硼薄片引入单光子源；将引入单光子源的六方氮化硼薄片从第二衬底表面转移至形成...
    2026-01-01
  • 一种高响应小结电容黑硅复合材料、制备方法及光电探测器
    一种高响应小结电容黑硅复合材料、制备方法及光电探测器_电子科技大学_202511218502.6
    本发明公开了一种高响应小结电容黑硅复合材料、制备方法及光电探测器，包括衬底基材，所述衬底基材上刻蚀有微纳锥形B‑Si结构，所述微纳锥形B‑Si结构表面沉积覆盖有PtTe2膜层，所述光电探测器为四象限光电探测，四象限的边界区域采用P+注入工艺...
    2026-01-01
  • 一种宽光谱高均匀黑硅集成纳米金象限探测器及制备方法
    一种宽光谱高均匀黑硅集成纳米金象限探测器及制备方法_电子科技大学_202511218501.1
    本发明公开了一种宽光谱高均匀黑硅集成纳米金象限探测器及制备方法，包括衬底基材，所述衬底基材上刻蚀有微纳锥形B‑Si结构，所述微纳锥形B‑Si结构表面沉积覆盖有金纳米颗粒，所述光电探测器为双四象限光电探测，双四象限的边界区域采用采用刻蚀深槽并...
    2026-01-01
  • 一种背接触太阳能电池、太阳能叠层电池及光伏组件
    一种背接触太阳能电池、太阳能叠层电池及光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202511740066.9
    本申请提供一种背接触太阳能电池、太阳能叠层电池及光伏组件，涉及光伏技术领域，背接触太阳能电池包括基底、载流子传输层、第一减反层、第一电极和第二电极，基底包括具有第一部分和第二部分的第一表面，第一部分上设置有第一钝化接触结构，第二部分上设置有...
    2026-01-01
  • 减反射膜及其制备方法、太阳能电池
    减反射膜及其制备方法、太阳能电池_江苏宜兴德融科技有限公司_202511656527.4
    本发明公开了一种减反射膜及其制备方法、太阳能电池，其中减反射膜，包括：至少一层光学薄膜层，且所述至少一层光学薄膜层的折射率从受光面向上依次递减；其中，每层所述光学薄膜层包括至少三层薄膜材料。本发明通过特定高、低折射率薄膜材料的交替排列，可等...
    2026-01-01
  • 一种改善太阳能电池UV衰减的膜层结构及其制备方法和应用
    一种改善太阳能电池UV衰减的膜层结构及其制备方法和应用_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511636757.4
    本发明提供了一种改善太阳能电池UV衰减的膜层结构及其制备方法和应用。该膜层结构包括：硅基底；沿着远离硅基底的方向，硅基底至少一侧表面上层叠设置的第一硅氧层、Al‑O层和第二硅氧层；其中，Al‑O层的上下界面分别与第二硅氧层和第一硅氧层之间通...
    2026-01-01
  • 太阳能电池片及其制作方法
    太阳能电池片及其制作方法_安徽阳光光能科技有限公司_202511277684.4
    本公开实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池片及其制作方法，其中，太阳能电池片包括：基底；隧穿层，隧穿层位于基底的背面，且隧穿层包括：底层隧穿层、层叠的中间隧穿层及顶层隧穿层，底层隧穿层覆盖背面，中间隧穿层的介电常数大于底层隧穿层及顶层隧穿...
    2026-01-01
  • 一种太阳能电池和光伏组件
    一种太阳能电池和光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司_202511263443.4
    本发明提供了一种太阳能电池和光伏组件，涉及光伏技术领域。太阳能电池包括：硅衬底；硅衬底包括第一侧和第二侧；第一半导体层，位于第一侧上；第一导电层位于第一半导体层背离硅衬底的一侧上；第一半导体层与硅衬底之间的交界线的粗糙度，小于第一半导体层与...
    2026-01-01
  • 一种背接触电池及其制备方法
    一种背接触电池及其制备方法_安徽阳光光能科技有限公司_202511248101.5
    本申请涉及太阳能电池技术领域，提供一种背接触电池及其制备方法，该背接触电池包括：基底，基底的第一表面包括交替排布的第一区域和第二区域；隧穿层，位于第一表面；第一半导体掺杂层，位于第一区域对应的隧穿层表面；第二半导体掺杂层，位于第二区域对应的...
    2026-01-01
  • 光伏组件及其制造方法
    光伏组件及其制造方法_晶科能源(海宁)有限公司_202511757431.7
    本申请涉及光伏技术领域，提供一种光伏组件及其制造方法，至少可以提高光伏组件的可靠性。光伏组件包括：电池片上具有第一细栅和第二细栅；位于第一细栅上的第一导电部以及位于第二细栅上的第二导电部；沿第二方向延伸的第一导电片和第二导电片，第一导电片位...
    2026-01-01
  • 背接触电池、叠层电池及光伏组件
    背接触电池、叠层电池及光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511745627.4
    本申请实施例涉及光伏领域，提供一种背接触电池、叠层电池及光伏组件，背接触电池包括：在第一方向上间隔设置的第一汇流栅线和第一焊盘，第一汇流栅线沿第二方向延伸；第一连接栅线位于第一预留区域内并沿第一方向延伸，以连接第一汇流栅线和第一焊盘，第一预...
    2026-01-01
  • 一种无主栅太阳能电池、光伏组件及其制备方法
    一种无主栅太阳能电池、光伏组件及其制备方法_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202511607769.4
    本发明公开一种无主栅太阳能电池、光伏组件及其制备方法。无主栅太阳能电池包括：电池基体，背面交替排列有导电类型相反的第一电极区和第二电极区；电流收集层、辅助固定层和导电件，设置于第一电极区和第二电极区，导电件的延伸方向与第一电极区和第二电极区...
    2026-01-01
  • 背接触电池及光伏组件
    背接触电池及光伏组件_晶科能源股份有限公司_202511499855.8
    本申请涉及光伏领域，提供一种背接触电池及光伏组件，背接触电池包括：电池基片，电池基片具有第一边缘；第一栅线以及第二栅线，第一连接线以及第二连接线，第一连接线与第一栅线连接，第二连接线与第二栅线连接；第一连接线包括邻近第一边缘的边缘连接线，边...
    2026-01-01
  • 太阳能电池片及其图形化结构、电池组件及光伏系统
    太阳能电池片及其图形化结构、电池组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511340490.4
    本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池片及其图形化结构、电池组件及光伏系统，图形化结构包括：主栅，主栅沿第一方向延伸设置，若干主栅沿第二方向排布，第一方向与第二方向交叉设置；pad点，pad点至少部分区域与主栅相接触；细栅，若...
    2026-01-01
  • 一种基于无金电极的红外探测器芯片制备方法
    一种基于无金电极的红外探测器芯片制备方法_中航凯迈(上海)红外科技有限公司_202511144785.4
    一种基于无金电极的红外探测器芯片制备方法，涉及红外探测技术领域，通过准备所需的待金属化的红外探测器晶片，将待金属化的红外探测器晶片溅射沉积无金电极膜层，通过设置溅射功率、气体流量以及加热温度的参数在晶片表面沉积一定厚度的无金电极膜层，在剥离...
    2026-01-01
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