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最新专利技术
  • 一种基于无金电极的红外探测器芯片制备方法
    一种基于无金电极的红外探测器芯片制备方法_中航凯迈(上海)红外科技有限公司_202511144785.4
    一种基于无金电极的红外探测器芯片制备方法，涉及红外探测技术领域，通过准备所需的待金属化的红外探测器晶片，将待金属化的红外探测器晶片溅射沉积无金电极膜层，通过设置溅射功率、气体流量以及加热温度的参数在晶片表面沉积一定厚度的无金电极膜层，在剥离...
    2026-01-02
  • 一种N型TOPCon电池及其制备方法和光伏组件
    一种N型TOPCon电池及其制备方法和光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202510402851.7
    本发明公开了一种N型TOPCon电池及其制备方法和光伏组件，涉及太阳能电池技术领域。本发明提供的项N型TOPCon电池的正面具有P型硼铝双掺杂发射极，铝掺杂的引入可降低硼扩散温度，实现在较低温度下制备P+发射极，降低制造成本的同时全低温工艺...
    2026-01-02
  • 太阳电池及其制备方法、光伏组件
    太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202510397299.7
    本申请涉及太阳电池领域，尤其涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件。太阳电池包括：基底；图形化的掺杂层，掺杂层设于基底的背光面；栅线，栅线位于掺杂层背离基底的一侧，栅线包括交叉设置的汇流栅线和集电栅线、以及辅助栅线，辅助栅线靠近汇流栅线长度...
    2026-01-02
  • 太阳能电池和太阳能电池的制备方法
    太阳能电池和太阳能电池的制备方法_天合光能股份有限公司_202510318431.0
    本申请提供了一种太阳能电池和太阳能电池的制备方法，太阳能电池包括半导体区、位于半导体区上方的介质层和副栅，副栅包括交替排列的接触段和连接段，接触段的底面穿过介质层并与半导体区接触，连接段位于介质层的上方，连接段的侧面与相邻的接触段接触，其中...
    2026-01-02
  • 一种背接触太阳能电池、电池组件及光伏系统
    一种背接触太阳能电池、电池组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511735427.0
    本发明适用于光伏技术领域，提供一种背接触太阳能电池、电池组件及光伏系统，背接触太阳能电池包括：硅片，硅片的背面包括第一区域、第二区域及隔离区，隔离区设于第一区域和第二区域之间，硅片的背面还包括自第一区域向隔离区延伸的第一延伸区；第一掺杂层，...
    2026-01-02
  • 光伏电池片及光伏组件
    光伏电池片及光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202511735235.X
    本申请关于一种光伏电池片及光伏组件，涉及光伏技术领域。光伏电池片可以包括硅基底，硅基底可以设置有无源区和有源区，有源区和无源区之间可以存在沿光伏电池片厚度方向的间隔距离。收集于有源区内的载流子(电子或空穴)不容易经无源区移动至位于硅基底的边...
    2026-01-02
  • 电池片、电池串和光伏组件
    电池片、电池串和光伏组件_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202511569728.0
    本公开的实施例提供了一种电池片、电池串和光伏组件，电池片包括：硅基体，第一表面和第二表面均包括沿垂直于厚度方向的第一方向依次交替间隔设置的多个第一极性区和多个第二极性区，且第一表面的第一极性区和第二表面的第二极性区相对设置并与硅基体构成导电...
    2026-01-02
  • 一种晶格失配的太阳能电池及其制作方法
    一种晶格失配的太阳能电池及其制作方法_江苏仲磊芯半导体有限公司_202511293468.9
    本发明公开了一种晶格失配的太阳能电池及其制作方法，涉及太阳能电池的技术领域。本发明所述晶格失配的太阳能电池，在衬底的下表面依次设置缓冲层、第一应力调控层、第二应力调控层，在衬底的上表面设置包括N(N≥1)个子电池的外延层，所述外延层中至少有...
    2026-01-02
  • 一种挠曲电效应调控的紫外光电探测器及其制备方法
    一种挠曲电效应调控的紫外光电探测器及其制备方法_南方科技大学_202511075072.7
    本发明涉及紫外光电探测器技术领域，尤其涉及一种挠曲电效应调控的紫外光电探测器及其制备方法，挠曲电效应调控的紫外光电探测器包括设有若干个凹槽结构的硅衬底，以及依次叠设于硅衬底靠近凹槽结构一侧的底电极层、光敏层、若干个同层设置的顶电极层；若干个...
    2026-01-02
  • 一种光伏组件覆膜焊接精准定位控制方法及系统
    一种光伏组件覆膜焊接精准定位控制方法及系统_湖南大学_202511704458.X
    本发明公开了一种光伏组件覆膜焊接精准定位控制方法及系统，具体涉及焊接定位技术领域，用于解决现有技术中因焊接与覆膜工序控制独立、缺乏统一基准及电池串物理形变导致的系统性对位偏差问题；是通过在焊接后获取电池串图像并提取形貌特征点集，将其与理论特...
    2026-01-02
  • 一种TBC太阳能电池及其制备方法和应用
    一种TBC太阳能电池及其制备方法和应用_英利能源发展有限公司_202511661219.0
    本发明提供一种TBC太阳能电池及其制备方法和应用，涉及太阳能电池技术领域。本发明的TBC太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：S1.在硅片背面依次沉积隧穿层、多晶硅层和第一掺杂源层，在第一掺杂源层表和部分暴露的多晶硅层表均匀沉积与第一掺杂源层...
    2026-01-02
  • 一种基于紫外光照射提升太阳能电池片光电性能的处理方法
    一种基于紫外光照射提升太阳能电池片光电性能的处理方法_晋能光伏技术有限责任公司_202511655614.8
    本发明属于太阳能电池技术领域，具体的说是一种基于紫外光照射提升太阳能电池片光电性能的处理方法，包括以下步骤：使小批量样本经过紫外灯装置进行单次紫外光照射，并实时监控紫外灯装置的参数变化；单次紫外光照射完成后，立即使用少子寿命测试仪以瞬态模式...
    2026-01-02
  • 背接触电池串的制备方法及光伏组件
    背接触电池串的制备方法及光伏组件_TCL中环新能源科技股份有限公司_202511432060.5
    本发明涉及光伏电池技术领域，尤其涉及一种背接触电池串的制备方法及光伏组件。该背接触电池串的制备方法包括：设置胶水步骤：在电池片靠近待设置第一焊带处，在第二细栅线上设置绝缘胶，在电池片靠近待设置第二焊带处，在第一细栅线上设置绝缘胶，以及在待设...
    2026-01-02
  • 一种太阳电池三角形栅线的实现方法
    一种太阳电池三角形栅线的实现方法_安徽旭合新能源科技有限公司_202511369360.3
    本发明公开了一种太阳电池三角形栅线的实现方法，涉及太阳电池技术领域，包括以下步骤：步骤一、在模板上印刷金属浆料，得到纵截面为等腰三角形的浆料条；步骤二、移动浆料条至太阳电池上方，使得二者之间的距离恒定；步骤三、对浆料条进行加热，使其表面的有...
    2026-01-02
  • 一种TBC电池及其制备方法
    一种TBC电池及其制备方法_滁州捷泰新能源科技有限公司_202511358150.4
    本发明公开了一种TBC电池及其制备方法，属于光伏电池技术领域，包括以下步骤：以N或P型硅片为衬底进行抛光；在硅片背面依次制备隧穿氧化层和多晶硅层；在多晶硅层上通过印刷硼浆料和磷浆料形成P区掺杂源和N区掺杂源；使用激光对印刷区域进行激光掺杂，...
    2026-01-02
  • 一种低温沉积二氧化硅钝化层的制备方法
    一种低温沉积二氧化硅钝化层的制备方法_隆基绿能科技股份有限公司_202511328844.3
    一种低温沉积二氧化硅钝化层的制备方法，包括以下步骤：首先：选用刻蚀有金字塔结构的n型硅片，经清洗去除n型硅片表面污染物；并采用体积比为2 : 50的H2SO4与H2O混合形成5％稀硫酸水溶液；其次，将预处理后的n型硅片为工作电极、铂为对电极...
    2026-01-02
  • 光伏电池及其制造方法、光伏组件
    光伏电池及其制造方法、光伏组件_安徽阳光光能科技有限公司_202511292876.2
    本申请实施例涉及光伏领域，提供一种光伏电池及其制造方法、光伏组件，制造方法包括：提供基底；在基底的表面形成氧化铝层；对氧化铝层依次进行第一预处理、第二预处理和第三预处理；第一预处理包括向氧化铝层远离基底的表面通入笑气，且对笑气进行等离子处理...
    2026-01-02
  • 多晶硅沉积动态匹配方法及Topcon电池
    多晶硅沉积动态匹配方法及Topcon电池_天合光能(东台)光电有限公司_202511280726.X
    本申请涉及电池制造技术领域，具体提供一种多晶硅沉积动态匹配方法及Topcon电池，旨在解决电池量产车间臭氧浓度、湿度导致硅片自然氧化层差异较大、隧穿氧化层沉积不均匀的技术问题。为此目的，本申请的多晶硅沉积动态匹配方法包括：实时采集碱抛下料区...
    2026-01-02
  • 一种具有光转化功能的柔性透明电极及其制备方法与应用
    一种具有光转化功能的柔性透明电极及其制备方法与应用_苏州大学_202511264864.9
    本发明公开了一种具有光转化功能的柔性透明电极及其制备方法与应用，制备方法包括如下步骤：将三溴合铅酸铯量子点胶体溶液、聚甲基丙烯酸甲酯、二甲基甲酰胺、甲苯混合，得到光转化溶液；将银纳米线溶液旋涂在玻璃上，热退火处理，再旋涂聚二甲基硅氧烷，固化...
    2026-01-02
  • TOPCon电池片等离子体电荷注入抗UV方法和TOPCon电池片
    TOPCon电池片等离子体电荷注入抗UV方法和TOPCon电池片_滁州捷泰新能源科技有限公司_202511251862.6
    本申请涉及一种TOPCon电池片等离子体电荷注入抗UV方法和TOPCon电池片，该方法包括：对ALD后的电池片进行氮气和/或氩气电离，电离的气体流量为2000‑8000sccm，温度为150‑500℃，时间为200‑600s，对电离后的电池...
    2026-01-02
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