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最新专利技术
  • 一种双极元件-CMOS-DMOS半导体器件的制备方法及半导体器件
    一种双极元件-CMOS-DMOS半导体器件的制备方法及半导体器件_杭州富芯半导体有限公司_202511713916.6
    本申请提供了一种双极元件‑CMOS‑DMOS(BCD)半导体器件的制备方法及半导体器件，该方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有BCD器件区；在隔离所述双极元件、CMOS、DMOS器件区的任意两种之间，形成包括用于浅沟槽隔离结构...
    2026-01-02
  • 半导体装置与其形成方法
    半导体装置与其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511114740.2
    本公开涉及一种半导体装置与其形成方法。半导体装置的形成方法包括形成多个通道区的堆叠于鳍状物的表面上，且通道区隔有个别的间隙；以及对通道区的侧壁与鳍状物的表面进行表面处理，且表面处理造成通道区的侧壁与鳍状物的表面比表面处理之前更不易沉积牺牲材...
    2026-01-02
  • 一种瞬态电压抑制二极管合封器件及其制造方法
    一种瞬态电压抑制二极管合封器件及其制造方法_重庆平伟实业股份有限公司_202511473258.8
    本发明提供一种瞬态电压抑制二极管合封器件及其制造方法，本发明提供瞬态电压抑制二极管合封器件及其制造方法，该合封器件包括瞬态电压抑制二极管和整流二极管及封装体，瞬态电压抑制二极管和整流二极管反向串联，将反向串联的瞬态电压抑制二极管和整流二极管...
    2026-01-02
  • 一种POP叠层封装结构及封装方法
    一种POP叠层封装结构及封装方法_宏茂微电子(上海)有限公司_202510860980.0
    本发明涉及芯片封装技术领域，具体地说是一种POP叠层封装结构及封装方法。包括上封装体、下封装体，所述的下封装体包括重布线层、芯片、干膜、锡球，重布线层一侧表面设有芯片，芯片、重布线层表面设有干膜，相邻干膜之间形成锡球预留区，锡球预留区内设有...
    2026-01-02
  • 一种用于制备电容器的半导体结构
    一种用于制备电容器的半导体结构_芯迈半导体技术(杭州)股份有限公司_202511306257.4
    本发明提供一种用于制备电容器的半导体结构，该用于制备电容器的半导体结构包衬底及沟槽阵列，其中，衬底包括多个间隔设置的电容区，电容区中包括多个间隔设置且呈阵列排布的子电容区，沟槽阵列位于子电容区中并包括多个沟槽，位于同一子电容区中的多个沟槽间...
    2026-01-02
  • 一种低漏电III族氮化物选区外延PN结的制备方法
    一种低漏电III族氮化物选区外延PN结的制备方法_北京大学_202511282611.4
    本发明公开了一种低漏电III族氮化物选区外延PN结的制备方法，属于半导体技术领域。首先图形化刻蚀III族氮化物模板形成梯形凹槽，在凹槽内二次外延含p型层在内的III族氮化物，然后退火驱动受主扩散推结，得到低漏电III族氮化物选区外延PN结。...
    2026-01-02
  • 一种JFET器件及其制造方法
    一种JFET器件及其制造方法_陕西亚成微电子股份有限公司_202511313593.1
    本发明属于晶体管领域，具体涉及一种JFET器件及其制造方法。主要解决现有JFET器件存在面积大和导通电阻大的问题。该器件包括衬底、外延层、第一N型区、P型区、填充层、第二N型区和正面结构；衬底设置在漏电极的上表面；外延层设置在衬底的上表面，...
    2026-01-02
  • 可拉伸薄膜晶体管、可拉伸面板、和电子设备
    可拉伸薄膜晶体管、可拉伸面板、和电子设备_三星电子株式会社_202510819824.X
    公开可拉伸薄膜晶体管、可拉伸面板、和电子设备，所述可拉伸薄膜晶体管包括栅电极、与栅电极重叠的半导体层、在栅电极和半导体层之间的栅极绝缘层、以及电连接到半导体层的源电极和漏电极，其中半导体层包括含硫属元素的二维半导体材料和取代或未取代的芳基硫...
    2026-01-02
  • 芯片、存储器、电子设备
    芯片、存储器、电子设备_华为技术有限公司_202410813923.2
    本申请提供一种芯片、存储器、电子设备，涉及半导体技术领域，通过使ΔG1≥ΔG2，可以使栅极不再从沟道层的至少部分材料中夺取氧，改善了晶体管特性漂移的问题，提高了晶体管的稳定性。该芯片包括衬底和设置在衬底上的晶体管，晶体管包括依次层叠设置的沟...
    2026-01-02
  • 半导体功率器件及其制备方法
    半导体功率器件及其制备方法_广东芯粤能半导体有限公司_202511574197.4
    本发明涉及半导体功率器件技术领域，公开了一种半导体功率器件及其制备方法，旨在提升器件耐压性能与可靠性。该半导体功率器件包括衬底；外延层，位于衬底的上方；重掺杂区，位于外延层中；结终端扩展区，位于外延层中，且与重掺杂区接触；氧化层，位于重掺杂...
    2026-01-02
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411207925.3
    本发明的实施方式涉及半导体装置。实施方式的半导体装置具有：第1电极；第2电极；具有第1面和与第2电极对置的第2面的半导体层；半导体层中的包含沿第1方向延伸的第1部分和第2部分的栅极电极；半导体层中的设置于栅极电极与第2面之间且与第1电极电连...
    2026-01-02
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411205838.4
    本发明的实施方式涉及半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第二导电型的第二半导体区域，配置在第一导电型的第一半导体区域之上；第一导电型的第三半导体区域，配置在所述第二半导体区域之上，且与第一电极电连接；第三电极，沿与从所述第一电极朝向第二电...
    2026-01-02
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411205836.5
    本发明的实施方式涉及半导体装置。实施方式的半导体装置具备：半导体层，具有第一面与第二面，包含设于第一面一侧的第一沟槽；第一沟槽之中的第一场板电极；栅极沟槽之中的栅极电极；第一电极，相对于半导体层设于第一面一侧，且电连接于第一场板电极；第二电...
    2026-01-02
  • 横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
    横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法_华虹半导体(无锡)有限公司_202511383857.0
    本发明提供一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法。该晶体管包括衬底、栅极结构、源极区和漏极区。其关键在于，在衬底中形成有凹槽，且源极区至少部分地形成在凹槽内。本发明通过在源极区设置凹槽，延长了载流子的传输路径，增强了栅极的控制能力，...
    2026-01-02
  • 功率器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路及车辆
    功率器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路及车辆_长飞先进半导体(武汉)有限公司_202511427927.8
    本申请公开了一种功率器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路及车辆。功率器件包括：半导体本体包括第一表面、第二表面、第一区域、第二区域、第一外延层、第二外延层和第三外延层，第一区域为第一导电类型且位于第一表面；第一外延层为第二导电类型且位于...
    2026-01-02
  • 具有改善边缘结构的屏蔽栅极沟槽MOSFET晶体管及相关制造工艺
    具有改善边缘结构的屏蔽栅极沟槽MOSFET晶体管及相关制造工艺_意法半导体国际公司_202510831190.X
    本公开涉及具有改善边缘结构的屏蔽栅极沟槽MOSFET晶体管及相关制造工艺。一种MOSFET晶体管，包括具有内部沟槽和一对边缘沟槽的半导体主体，内部沟槽具有与第一方向平行的细长形状并且相继布置，边缘沟槽具有与第二方向平行的细长形状。每个内部沟...
    2026-01-02
  • 半导体结构及其制备方法、高压MOS器件
    半导体结构及其制备方法、高压MOS器件_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511714324.6
    本申请提供了一种半导体结构及其制备方法、高压MOS器件，所述半导体结构包括：衬底；所述衬底中形成有源漏区和位于源漏区之间的沟道有源区；场氧化层，位于所述沟道有源区与所述源漏区之间，并定义出所述沟道有源区的边界；栅氧化层，覆盖所述沟道有源区和...
    2026-01-02
  • SiC沟槽栅MOSFET器件及制备方法
    SiC沟槽栅MOSFET器件及制备方法_上海宏微爱赛半导体有限公司_202511366576.4
    本发明属于SiC沟槽栅MOSFET器件技术领域，具体涉及一种SiC沟槽栅MOSFET器件及制备方法。本发明的SiC沟槽栅MOSFET器件，结合了主流的双沟槽和半包沟槽结构的关键特征。P+ 屏蔽区采用了源极沟槽底部和侧壁注入的方式，与双沟槽结...
    2026-01-02
  • 一种超结MOSFET结构及其制造方法
    一种超结MOSFET结构及其制造方法_上海先进半导体制造有限公司_202511332439.9
    本申请提供一种超结MOSFET结构及其制造方法，其中，超结MOSFET结构包括半导体衬底、外延层、栅氧层、栅电极、基体区、源区、源电极和漏极。半导体衬底包括正面和背面，以正面至背面直线方向为垂直方向。外延层设于半导体衬底正面，外延层中包括由...
    2026-01-02
  • 具有用于阈值电压控制的热电材料层的晶体管
    具有用于阈值电压控制的热电材料层的晶体管_英特尔公司_202510630391.3
    在沟道材料和栅电极之间包括热电电介质层的晶体管。热电层可以具有能够通过施加热脉冲改变的晶体配置。不同的晶体配置具有不同极化度，这导致不同的介电常数。可以在使用加热元件的操作期间改变晶体配置，从而在两个不同阈值电压之间转换单个器件。
    2026-01-02
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