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  • 提供了一种显示装置、制造显示装置的方法和沉积掩模。所述显示装置包括:像素,包括一个或更多个子像素,子像素均具有发射区域以发射光,并且像素具有在子像素的发射区域周围的非发射区域;像素限定层,与非发射区域叠置,在子像素的相邻子像素之间的边界区域...
  • 提供了显示设备和包括显示设备的电子设备。显示设备包括:基础层,包括有效区域和外围区域,外围区域在有效区域的至少一部分周围并且包括裂纹坝区域;发光元件,在有效区域中在基础层上;裂纹坝,在裂纹坝区域中在基础层上并且包括裂纹坝绝缘层;以及裂纹感测...
  • 本申请属于显示技术领域,涉及一种显示基板、显示基板的制备方法及其应用。所述显示基板包括:第一电极;像素界定单元,设于所述第一电极上,所述像素界定单元具有像素开口,所述像素开口内设有所述第一电极;以及导电反射单元,设于所述像素开口内并与所述像...
  • 本申请公开一种阵列基板、显示面板及显示装置中,能够极大的提升了驱动模块的控制端的电位稳定性。阵列基板包括基底,以及设置于基底上的像素电路和发光元件,像素电路包括:驱动模块,驱动模块的第一端电连接第一电源线,驱动模块的第二端电连接发光元件的第...
  • 本申请公开显示面板和显示装置,显示面板包括衬底、薄膜晶体管层、阳极、透明缓冲层和像素定义层,阳极设置在薄膜晶体管层背离衬底的一侧,透明缓冲层设置于薄膜晶体管层背离衬底的一侧,像素定义层设置于透明缓冲层背离衬底的一侧;其中,透明缓冲层上设有第...
  • 本申请实施例提供的一种显示面板、显示面板的制备方法及电子设备,涉及显示技术领域,该显示面板包括第一显示区和至少部分围绕第一显示区的第二显示区,第一显示区用于设置感光器件,该显示面板包括阵列基板、隔离结构。隔离结构位于阵列基板的一侧,隔离结构...
  • 本公开提供了一种显示模组及其制备方法、显示装置,其中显示模组包括OLED显示面板;设置于OLED显示面板出光侧的气泡膜层,气泡膜层的内部靠近OLED显示面板一侧设置有若干阵列排布的气泡;气泡于OLED显示面板上的投影与OLED显示面板的像素...
  • 本发明公开了一种高效处理硅基OLED内残留水氧以及卤素的结构及其制备方法,涉及硅基OLED领域,本发明在硅基OLED发光区域的侧面设置沉积区,并通过干法制备出一种复合结构,其中包括MOFs层、吸收氧和卤素的第一分层、第三分层以及吸收水的第二...
  • 本公开涉及发光元件、包括发光元件的显示装置和包括显示装置的电子装置。发光元件,包括:发光叠层;辅助电极,覆盖发光叠层的下表面;第一绝缘膜,覆盖发光叠层和辅助电极的外周表面并且包括暴露辅助电极的下表面的部分的第一开口;第二绝缘膜,覆盖第一绝缘...
  • 本发明提供一种有机电致发光器件,涉及有机电致发光技术领域。为了解决现有技术中有机电致发光器件发光效率低以及寿命短的问题,本发明提供了一种性能优异的有机电致发光器件。空穴传输区域包含1表示的三芳胺化合物,电子传输区域包含式2表示的杂环化合物,...
  • 实施例提供了发光装置和电子设备。所述发光装置包括第一电极、面对所述第一电极的第二电极、在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层、在所述第一电极和所述发射层之间的空穴传输区域以及在所述发射层和所述第二电极之间的电子传输区域。所述发射层包括从所...
  • 本发明涉及钙钛矿发光二极管领域,尤其涉及一种钙钛矿发光二极管及其制备方法,钙钛矿发光二极管包括基板,在基板上依次层叠制备的阳极层、阳极界面层、钙钛矿发光层、阴极界面层、阴极界面修饰层、阴极层,钙钛矿发光层由含有共溶剂的钙钛矿前驱体溶液制备而...
  • 本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种可调控CoPc自旋态的有机电致发光器件及调节其激子分布的方法。本发明提供的可调控CoPc自旋态的有机电致发光器件,在发光层中包括CoP,通过磁场(50‑300mT)和温度(145‑295K)诱导CoPc中...
  • 本发明公开了一种基于光伏型晶体管的探测器及其制备方法, 涉及光电探测器技术领域。包括:垂直堆叠的二极管和晶体管,所述二极管位于上方;所述晶体管包括自下而上设置的衬底、半导体层、介质层以及嵌入所述介质层两端且与所述半导体层接触的第一电极和第二...
  • 本发明提供了一种基于有机晶体管和二极管的红外探测器及其制备方法, 涉及光电探测器技术领域。包括:二极管单元,包括从下至上依次叠层设置的第二电极、光敏结区和第一电极;晶体管单元,堆叠在所述二极管单元上方,其中,所述第一电极同时作为所述二极管单...
  • 本发明公开了一种光伏电池及光伏电池的制造方法,涉及光伏电池制造技术领域,包括晶硅底电池,叠层于所述晶硅底电池表面的钙钛矿顶电池,设置于所述晶硅底电池与所述钙钛矿顶电池之间的AlOx/SiNx梯度钝化层、设置于所述AlOx/SiNx梯度钝化层...
  • 本发明公开了一种晶硅钙钛矿叠层电池及其制备方法,本发明在叠层电池的透明导电薄膜与栅线电极中间引入一层具有栅线图案的金属种子薄层,一方面可大幅缩小栅线电极与透明导电薄膜的接触电阻,其接触电阻相比于无金属种子薄层的电池降低至原来的5%;另一方面...
  • 本发明属于光伏领域,具体涉及钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池及其制备方法。本发明的钙钛矿/晶硅叠层太阳能电池包括晶硅底电池和钙钛矿顶电池;所述晶硅底电池的靠近钙钛矿顶电池一侧的表面具有绒面结构,所述绒面结构包括起伏结构,所述起伏结构的平均高度为1...
  • 本申请涉及光电器件技术领域,具体涉及太阳能电池及其制备方法、用电装置。本申请的太阳能电池,包括:N型硅衬底,N型硅衬底具有第一表面;第一隧穿层,设置于第一表面;N型多晶硅层,设置于第一隧穿层背离N型硅衬底的一侧表面;第一金属氧化物介电层,设...
  • 本申请提供了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件,其中太阳电池包括底电池、复合层和顶电池,复合层位于底电池和顶电池之间,复合层包括叠层的第一子层和第二子层,第一子层的其中一面与底电池接触,第二子层的其中一面与顶电池接触,第一子层的功函数为4....
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