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最新专利技术
  • 一种增强型金刚石场效应晶体管、反相器及其制备方法
    一种增强型金刚石场效应晶体管、反相器及其制备方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202511108028.1
    本发明公开了一种增强型金刚石场效应晶体管、反相器及其制备方法，其制备方法如下：在氢终端金刚石材料上制备欧姆接触电极；隔离制备和钝化介质沉积；耗尽型器件栅电极制备；增强型器件栅下介质刻蚀减薄；增强型器件n型材料沉积和栅电极制备；介质孔刻蚀和互...
    2026-01-03
  • 晶体管及其制备方法
    晶体管及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511010022.0
    本公开提供了一种晶体管及其制备方法。晶体管包括：沟道层、势垒层、P‑GaN层、AlGaN层、源极、漏极和栅极；势垒层位于沟道层上，P‑GaN层、源极和漏极均位于势垒层上，且P‑GaN层位于源极和漏极之间，栅极位于P‑GaN层上；AlGaN层...
    2026-01-03
  • LDMOS的制备方法、LDMOS器件及光刻用掩膜版
    LDMOS的制备方法、LDMOS器件及光刻用掩膜版_杭州富芯半导体有限公司_202511715098.3
    本申请提供了一种LDMOS的制备方法、LDMOS器件及光刻用掩膜版，方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成至少一LDMOS器件结构，LDMOS器件结构包括栅极、源极区、漏极区及漂移区，在漂移区设置有沟槽隔离区；在形成有LDMOS器件结...
    2026-01-03
  • 一种功率器件及其制备方法
    一种功率器件及其制备方法_武汉山拓微电子有限公司_202511443266.8
    本申请公开了一种功率器件及其制备方法，功率器件的制备方法包括：提供衬底结构；通过第一掩膜形成阱区；第一掩膜暴露部分第一表面；阱区由第一表面延伸至衬底结构内；通过第一掩膜和第二掩膜形成第一区域；第二掩膜位于第一表面远离第二表面的一侧，第二掩膜...
    2026-01-03
  • 半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路及车辆
    半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路及车辆_安徽长飞先进半导体股份有限公司_202511381588.4
    本申请公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路及车辆。该方法包括：提供半导体本体；半导体本体还包括阱区和第二区域；阱区设置为第二导电类型，第二区域设置为第一导电类型且位于第一表面；在第一表面形成栅极；在栅极远离半导体本体的一侧...
    2026-01-03
  • 半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路及车辆
    半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路及车辆_安徽长飞先进半导体股份有限公司_202511381586.5
    本申请公开了一种半导体器件及制造方法、功率模块、功率转换电路及车辆。该方法包括：提供半导体本体；半导体本体包括阱区和第二区域，阱区设置为第二导电类型，第二区域设置为第一导电类型且位于第一表面；第一表面设置有沟槽；在沟槽内形成栅极；在半导体本...
    2026-01-03
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_芯联集成电路制造股份有限公司_202511328616.6
    本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，应用于半导体技术领域。在本发明中，利用凹陷可将材料分割成两部分的特性，与侧墙工艺结合，进而可利用在凹陷的内侧壁上形成侧墙材料和自对准工艺，准确高效的在第一凹槽和第二凹槽的上半部分自对准的形成两个相对且...
    2026-01-03
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司_202511321760.7
    本申请提供一种半导体器件及其制备方法，包括：提供第一导电类型的衬底，在衬底上形成第一导电类型的外延层；在外延层上部形成第二导电类型的阱区、第一导电类型的源区和第二导电类型的接触区，阱区与衬底间的外延层为漂移区；形成自源区上表面向下延伸至漂移...
    2026-01-03
  • 屏蔽栅沟槽型功率器件及其制备方法
    屏蔽栅沟槽型功率器件及其制备方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511293592.5
    本发明提供一种屏蔽栅沟槽型功率器件及其制备方法。其中，所述制备方法在刻蚀形成第一源极结构时，缩短刻蚀时间，使得第一源极结构的高度高于衬底表面，且刻蚀形成的第二源极结构的高度也偏高。基于此，第一源极结构和第二源极结构均高于现有工艺环节中对应的...
    2026-01-03
  • 一种背面漏极结构的氮化镓功率器件及其制备方法
    一种背面漏极结构的氮化镓功率器件及其制备方法_江南大学_202511075964.7
    本发明公开了一种背面漏极结构的氮化镓功率器件及其制备方法，本发明将传统水平电流路径转变为垂直导电路径：电流从正面源极经沟道后，直接通过高导电性的钨填充通孔垂直流向背面漏极。本发明突破了传统GaN功率器件依赖单面(正面或衬底)散热的局限，通过...
    2026-01-03
  • 薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管以及显示装置
    薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管以及显示装置_浙江莱宝显示科技有限公司_202511070693.6
    本申请涉及显示领域，尤其涉及一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管以及显示装置。该方法包括：在衬底基板的表面形成第一栅极层薄膜，以及在所述第一栅极层薄膜的表面形成第二栅极层薄膜；在所述第二栅极层薄膜的表面进行刻蚀处理，形成栅极层；在所述栅极层...
    2026-01-03
  • 半导体元件及其形成方法
    半导体元件及其形成方法_南亚科技股份有限公司_202411416756.4
    一种方法包括形成介电层于基材上方；形成开口于介电层与基材中；形成栅极结构于开口中；移除介电层以暴露栅极结构的多个侧壁；形成多个第一栅极间隔物沿着栅极结构的所述多个侧壁；执行第一植入工艺，以形成多个轻掺杂漏极区域于基材中；执行第二植入工艺，以...
    2026-01-03
  • 一种功率MOSFET制备方法及功率MOSFET
    一种功率MOSFET制备方法及功率MOSFET_上海韦尔半导体股份有限公司_202410787966.8
    本申请提供了一种功率MOSFET制备方法及功率MOSFET，主要通过在第一沟槽底部设置厚氧化层，可以降低第一沟槽底部的电场强度，所以可以解决第一沟槽底部不容易提前击穿。可以同时降低Cgd(米勒电容)，从而可以有效提升功率MOSFET工作的开...
    2026-01-03
  • 一种HfO2基铁电场效应晶体管的制备方法
    一种HfO2基铁电场效应晶体管的制备方法_中国科学院微电子研究所_202410776482.3
    本发明涉及一种HfO2基铁电场效应晶体管的制备方法，属于微电子技术领域，解决了现有技术中FeFET制备工艺中存在的器件耐久性不佳的问题。所述制备方法包括：在衬底上表面自下向上依次形成栅电极和铁电层；对器件退火处理；在所述铁电层上形成半导体沟...
    2026-01-03
  • 集成静电放电结构的沟槽栅器件及制作方法
    集成静电放电结构的沟槽栅器件及制作方法_无锡华润华晶微电子有限公司_202410733616.3
    本发明提供一种集成静电放电结构的沟槽栅器件及制作方法，包括：提供半导体基底，于半导体基底中形成栅极沟槽和静电放电沟槽，且于沟槽内壁形成栅氧层；于沟槽中填充多晶硅层；形成体区，且对位于静电放电沟槽中的多晶硅层进行离子注入形成第一掺杂区；形成源...
    2026-01-03
  • 一种功率半导体器件及其制造方法
    一种功率半导体器件及其制造方法_芯联集成电路制造股份有限公司_202511474976.7
    本申请提供一种功率半导体器件及其制造方法, 制造方法包括：提供衬底，衬底具有相对的第一表面和第二表面，衬底形成有相邻设置的IGBT区和二极管区；在对应于IGBT区的衬底的第二表面上形成注入阻挡层；自衬底的第二表面向衬底内进行离子注入，以在I...
    2026-01-03
  • 功率半导体器件、生产功率半导体器件的方法
    功率半导体器件、生产功率半导体器件的方法_英飞凌科技股份有限公司_202510806967.7
    功率半导体器件、生产功率半导体器件的方法。一种功率半导体器件，包括：在半导体主体的前侧处的第一负载端子；在半导体主体的与第一侧相对的背侧处的第二负载端子；第二导电类型的掺杂前侧区，在半导体主体中并且在有源区内的前侧处与第一负载端子电连接；第...
    2026-01-03
  • 双极性结晶体管结构及其形成方法
    双极性结晶体管结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511201427.2
    本发明提供一种形成双极性结晶体管结构的方法，形成发射极/基极/集电极结构，包括相互平行的鳍片，在鳍片之间配置有绝缘材料。发射极/基极/集电极结构的每个鳍片具有在中央区域的相对两侧上以第一掺杂类型掺杂的第一和第二周边区域，中央区域以与第一掺杂...
    2026-01-03
  • 具有增强鲁棒性的基于SiC的电子器件以及制造该电子器件的方法
    具有增强鲁棒性的基于SiC的电子器件以及制造该电子器件的方法_意法半导体国际公司_202510814040.8
    本公开涉及具有增强鲁棒性的基于SiC的电子器件以及制造该电子器件的方法。提供了一种电子器件。示例电子器件包括具有表面和边缘区的碳化硅的半导体主体。边缘结构在边缘区上方延伸并且由金属层、第一绝缘层和钝化层形成。金属层在半导体主体的表面上延伸；...
    2026-01-03
  • 具有改善的电气性能的基于SiC的电子设备及制造方法
    具有改善的电气性能的基于SiC的电子设备及制造方法_意法半导体国际公司_202510812418.0
    本公开涉及具有改善的电气性能的基于SiC的电子设备及制造方法。提供了一种电子设备。一种示例电子设备具有碳化硅的半导体主体，该半导体主体具有前表面、第一导电类型并容纳有源区和沿着第一方向侧向于有源区的边缘区。第一终端掺杂区域至少部分地在边缘区...
    2026-01-03
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