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最新专利技术
  • 水生生物附着防止材料和使用其的水中结构体的制造方法
    水生生物附着防止材料和使用其的水中结构体的制造方法_五洋纸工株式会社_202480031697.0
    本发明的水生生物附着防止材料具有含有防污性材料和热塑性树脂弹性体的防污层。其中，防污性材料含有甲基对甲苯砜卤化物，热塑性弹性体包含苯乙烯系弹性体。本发明的水生生物附着防止材料能够在具有各种形状的结构基材的表面容易地进行拆装。另外，在进行这些...
    2025-12-27
  • 包含苯甲酰胺化合物的杀有害生物混合物
    包含苯甲酰胺化合物的杀有害生物混合物_巴斯夫欧洲公司_202480032320.7
    杀有害生物混合物，其包含作为活性化合物的A)具有式(I)的苯甲酰胺化合物以及B)至少一种另外的化合物B，其选自：氟虫腈、λ‑氯氟氰菊酯、联苯菊酯、七氟菊酯、α‑氯氰菊酯、噻虫嗪、噻虫胺、啶虫脒、吡虫啉、呋虫胺、氟啶虫胺腈、三氟苯嘧啶、多杀菌...
    2025-12-27
  • 包含协同组分共混物的抗菌母粒和粉末
    包含协同组分共混物的抗菌母粒和粉末_科普隆性能添加剂公司_202480020731.4
    如抗菌母粒、粉末、液体分散体等抗菌组合物可以包括至少一种抗菌金属化合物与至少一种协同化合物的混合物。例如，所述抗菌组合物可以包含至少一种抗菌金属化合物以及共混到母粒中的硼化合物、粉末的混合物或液体分散体。所述组合物可以进一步包括至少一种pH...
    2025-12-27
  • 预测对昆虫捕捉器的维修需求
    预测对昆虫捕捉器的维修需求_拜耳公司_202480016033.7
    本文所公开的系统、方法和计算机程序涉及预测对昆虫捕捉器的维修需求。
    2025-12-27
  • 与玉蜀黍育性提高相关的遗传标记
    与玉蜀黍育性提高相关的遗传标记_先正达农作物保护股份公司_202480031484.8
    提供了提高MIR162植物育性的组合物及方法。组合物包括包含可育QTL和/或转座元件的玉蜀黍植物。提供了用于通过转基因手段、育种或基因组编辑方法鉴定并产生这些植物的方法和试剂盒。
    2025-12-27
  • 一种用于支撑放置于其上的园艺作物的栽培槽系统
    一种用于支撑放置于其上的园艺作物的栽培槽系统_迈特莱特-福莱克斯控股有限公司_202480022281.2
    一种用于支撑放置于其上的园艺作物(200)的种植槽系统(1)，包括：·纵向支撑构件(20)，用于支撑所述园艺作物的重量；·上部纵向槽体构件(10)，由可塑形板材制成，其具有用于放置园艺作物的上表面，其中所述上部纵向槽体构件与所述纵向支撑构件...
    2025-12-27
  • 垂直农业系统
    垂直农业系统_自动存储科技股份有限公司_202480031956.X
    本公开涉及一种自动垂直农业系统，包括：框架结构，形成网格储存布置；一个或多个模块搬运车辆，布置成沿着轨道系统行进并运输模块；控制系统，配置成控制一个或多个模块搬运车辆的行进和操作；以及可堆叠生长模块，布置成支撑生长中的植物，该生长模块的覆盖...
    2025-12-27
  • 基于紫精衍生物的单分子忆阻器及其制备方法
    基于紫精衍生物的单分子忆阻器及其制备方法_南开大学_202511678736.9
    本发明涉及微电子技术领域，尤其涉及基于紫精衍生物的单分子忆阻器及其制备方法。该基于紫精衍生物的单分子忆阻器包括：电极对和有机功能分子，有机功能分子选自紫精衍生物，通过酰胺缩合反应组装于电极对之间。本发明提供的有机功能分子在紫精分子结构的基础...
    2025-12-27
  • 包括多个阻变层的半导体装置
    包括多个阻变层的半导体装置_爱思开海力士有限公司_202510296296.4
    本公开涉及一种包括多个阻变层的半导体装置。半导体装置包括第一电极层、设置在第一电极层上的第一阻变层、设置在第一阻变层上的第一阻丝控制层、设置在第一阻丝控制层上的第二阻变层、设置在第二阻变层上的第二阻丝控制层、设置在第二阻丝控制层上的第三阻变...
    2025-12-27
  • 一种用于制备约瑟夫森结的方法及系统
    一种用于制备约瑟夫森结的方法及系统_济南量子技术研究院_202511356510.7
    本申请提供的用于制备约瑟夫森结的方法和设备，属于量子器件制备的技术领域。该方法包括：在衬底上形成共面波导层；在所述共面波导层上形成图案；在预定的压力下通过自限性原子层刻蚀对所述图案进行表面处理；在经过表面处理的图案上形成第一超导膜层；基于化...
    2025-12-27
  • 一种超导量子芯片及制备方法
    一种超导量子芯片及制备方法_深圳量旋科技有限公司_202511274820.4
    本发明公开了一种超导量子芯片及制备方法。超导量子芯片的制备方法包括：在衬底上制备底层线路；在已制备底层线路的衬底上制备约瑟夫森结；在已制备底层线路和约瑟夫森结的衬底上旋涂第一光刻胶并烘烤；接着旋涂第二光刻胶并烘烤；将第一掩膜版对准约瑟夫森结...
    2025-12-27
  • 一种超导量子芯片及制备方法
    一种超导量子芯片及制备方法_深圳量旋科技有限公司_202511271120.X
    本发明公开了一种超导量子芯片及制备方法。该制备方法包括：在衬底上制备约瑟夫森结；在已制备约瑟夫森结的衬底涂敷负性光刻胶并烘烤；将第一掩膜版对准约瑟夫森结，对负性光刻胶进行曝光；对曝光后的负性光刻胶进行泛曝光和显影，以在负性光刻胶上形成底层线...
    2025-12-27
  • 一种用于霍尔条器件的聚焦离子束CrSb微带加工方法
    一种用于霍尔条器件的聚焦离子束CrSb微带加工方法_合肥工业大学_202511314371.1
    本发明公开了一种用于霍尔条器件的聚焦离子束CrSb微带加工方法，属于微纳加工与自旋电子学领域。步骤包括：采用较大束流相互辅助加工初始结构大于500 nm厚，随后加工机械手凹坑；原位减薄消除反沉积，缩短扫描宽度降低变形，减薄样本至亚微米级厚度...
    2025-12-27
  • 水平霍尔传感器及半导体器件
    水平霍尔传感器及半导体器件_浙江睿晶微电子科技有限公司_202511402036.7
    本发明涉及一种水平霍尔传感器及半导体器件。水平霍尔传感器包括：P型衬底、深P阱、霍尔元件、浅P阱以及P+区。深P阱、霍尔元件、浅P阱以及P+区均位于P型衬底内部，深P阱生长于P型衬底的底部位置，霍尔元件和浅P阱生长于深P阱上方，霍尔元件位于...
    2025-12-27
  • 垂直霍尔传感器及半导体器件
    垂直霍尔传感器及半导体器件_浙江睿晶微电子科技有限公司_202511399618.4
    本发明涉及一种垂直霍尔传感器及半导体器件。垂直霍尔传感器包括：N阱、深N阱以及接触，深N阱位于N阱的中心线的两侧，且深N阱生长于N阱的内部并延伸至N阱的上表面，中心线垂直于N阱的上表面；接触包括第一接触和第二接触，第一接触生长于深N阱的内部...
    2025-12-27
  • 一种具有微岛桥阵列固支的PDMS基底及其制备方法
    一种具有微岛桥阵列固支的PDMS基底及其制备方法_中国电子科技集团公司第四十九研究所_202511312629.4
    一种具有微岛桥阵列固支的PDMS基底及其制备方法，属于航空智能蒙皮与传感技术领域，本发明为解决现有柔性阵列式压力传感器存在曲面贴附易失效、粘贴界面损伤无法自修复的问题。包括：由下至上设置的三层梯度模量PDMS结构层，三层梯度模量PDMS结构...
    2025-12-27
  • 一种自匹配堆叠结构压电换能器
    一种自匹配堆叠结构压电换能器_浙江大学_202511227647.2
    本发明公开了一种自匹配堆叠结构压电换能器。通过将PVDF等聚合物压电薄膜与PZT等压电陶瓷堆叠，将PVDF等低声阻抗聚合物薄膜直接作为压电层结构中的天然声阻抗匹配层。相比于使用单独制作的匹配层，使用PVDF等聚合物薄膜作为匹配层不仅起到声阻...
    2025-12-27
  • 一种氨基酸功能化钛酸钡压电纳米复合材料及其制备方法和应用
    一种氨基酸功能化钛酸钡压电纳米复合材料及其制备方法和应用_深圳市宝安区妇幼保健院_202511144110.X
    本发明提供一种氨基酸功能化钛酸钡压电纳米复合材料及其制备方法和应用。具体技术方案是以甘氨酸修饰的钛酸钡(BTO)纳米颗粒为基础，通过超声自组装制备氨基酸功能化的压电纳米复合材料(BTG)。该材料在超声刺激下可产生强压电极化，显著提升ROS生...
    2025-12-27
  • MoS2、PVDF压电复合材料及柔性纳米发电机制备方法
    MoS2、PVDF压电复合材料及柔性纳米发电机制备方法_新余学院_202511271182.0
    本发明公开了MoS2、PVDF压电复合材料及柔性纳米发电机制备方法，涉及到柔性纳米发电机制备领域，包括S101：MoS2纳米球的合成，将钼源和硫源溶解在适量的去离子水中，搅拌均匀；S102：PVDF纳米材料的制备，将PVDF溶解在适量的有机...
    2025-12-27
  • 一种增强电卡效应的复合材料及其构建方法和应用
    一种增强电卡效应的复合材料及其构建方法和应用_南京大学_202511338066.6
    本发明公开了一种增强电卡效应的复合材料及其构建方法和应用，属于制冷器件技术领域。本发明提供了一种增强电卡效应的复合材料，包含周期性交替排列的铁电材料和弛豫材料两部分，构成沿一个晶向的超晶格结构。本发明采用基于第一性原理的有效哈密顿量方法构建...
    2025-12-27
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