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最新专利技术
  • 背接触太阳能电池及其制备方法
    背接触太阳能电池及其制备方法_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202511352161.1
    本公开提供一种背接触太阳能电池及其制备方法。其中背接触太阳能电池包括：半导体基底，其背光侧包括间隔排布的第一区域和第二区域，以及位于相邻的第一区域和第二区域之间的隔离区域；第一掺杂半导体层，与半导体基底的导电类型相同，包括位于第一区域的第一...
    2025-12-29
  • 一种异质结电池及其制备方法及光伏组件
    一种异质结电池及其制备方法及光伏组件_比亚迪股份有限公司_202511224565.2
    本申请提供一种异质结电池及其制备方法及光伏组件，所述异质结电池的朝向光入射的一面为正面，所述异质结电池的背离光入射的底面为背面，所述正面的接触光入射的第一层的部分区域为单线态裂分层，部分区域为导电氧化物薄膜层。该异质结电池进一步提高了异质结...
    2025-12-29
  • 一种TOPCon电池及其制备方法
    一种TOPCon电池及其制备方法_三一硅能(株洲)有限公司_202511335967.X
    本申请提供了一种TOPCon电池及其制备方法，TOPCon电池包括：单晶硅片、扩散层、第一钝化层及第一减反射层。扩散层、第一钝化层及第一减反射层，设置于单晶硅片的正面，并在远离正面的方向上依次设置；其中，单晶硅片的背面包括金属区和非金属区，...
    2025-12-29
  • 一种低成本柔性三结GaAs太阳能电池及其制备方法
    一种低成本柔性三结GaAs太阳能电池及其制备方法_江苏仲磊芯半导体有限公司_202511176249.2
    本发明涉及一种低成本柔性三结GaAs太阳能电池及其制备方法，属于半导体器件技术领域。本发明的低成本柔性三结GaAs太阳能电池，包括柔性衬底(厚度为10μm至35μm的铜)和设置在柔性衬底上的电池结构；电池结构括沿背离柔性衬底方向依次设置的P...
    2025-12-29
  • 一种光伏器件及其制备方法
    一种光伏器件及其制备方法_暨南大学_202511196729.5
    本申请公开了一种光伏器件及其制备方法，属于光伏器件技术领域。本申请的光伏器件包括由下至上依次设置的衬底、TCO层、缓冲层、吸收层、第一界面层以及背电极导电层；其中，所述第一界面层为非连续膜层，所述第一界面层的材料包括高阻氧化物和/或高阻氮化...
    2025-12-29
  • TOPCon电池及其制备方法、光伏组件
    TOPCon电池及其制备方法、光伏组件_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202511632150.9
    本公开的实施例提供了一种TOPCon电池及其制备方法、光伏组件，涉及TOPCon电池领域，TOPCon电池包括：N型硅基体，正面包括交替设置的第一部分和第二部分，第二部分的高度低于第一部分的高度，第二部分包括第一子部分、第二子部分和第三子部...
    2025-12-29
  • 一种背接触电池及背接触电池制备方法
    一种背接触电池及背接触电池制备方法_正泰新能科技股份有限公司_202511516486.9
    本申请公开了一种背接触电池及背接触电池制备方法，属于光伏电池领域，该电池包括：衬底；衬底背面为抛光面；衬底背面设置有沿第一方向交替间隔设置的P区和N区；P区沿背离衬底方向依次设置有中间层和P型掺杂多晶硅层；N区沿背离衬底方向依次设置有中间层...
    2025-12-29
  • 一种多层隧穿结构的TOPCon光伏电池及其制备方法
    一种多层隧穿结构的TOPCon光伏电池及其制备方法_润马光能科技(金华)有限公司_202511267804.2
    本申请公开了一种多层隧穿结构的TOPCon光伏电池及其制备方法，涉及光伏电池技术领域；所述光伏电池包括衬底，所述衬底包括相对的正面和背面，所述衬底的背面设置有n层隧穿结构，所述n≥2，所述第n‑1层的隧穿结构比第n层隧穿结构更靠近衬底背面；...
    2025-12-29
  • 改良型硅控整流器的制备方法、改良型硅控整流器、半导体器件和集成电路
    改良型硅控整流器的制备方法、改良型硅控整流器、半导体器件和集成电路_浙江创芯集成电路有限公司_202511336663.5
    本申请涉及半导体技术领域，公开了一种改良型硅控整流器的制备方法、改良型硅控整流器、半导体器件和集成电路。包括：提供P型基板；在P型基板上的第一注入区域沉积指定迁移率的半导体材料；其中，指定迁移率高于纯硅的迁移率；在第一注入区域注入P型离子形...
    2025-12-29
  • 一种可控硅器件及其制备方法
    一种可控硅器件及其制备方法_上海维安半导体有限公司_202511268365.7
    本发明提供一种可控硅器件及其制备方法，属于半导体保护器件技术领域，器件包括从下至上依次设置的衬底、第一外延层以及第二外延层；隔离槽，向下延伸至衬底中；第一晶体管和第二晶体管，形成于第一区域的第二外延层中，第一晶体管和第二晶体管的栅极和漏极互...
    2025-12-29
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510189774.1
    提供了一种半导体装置，包括：下有源区，在第一方向上延伸并包括下沟道图案和在下沟道图案的一侧上的下源极/漏极图案；上有源区，在第二方向上与下沟道图案间隔开，在第一方向上延伸，并包括上沟道图案和在上沟道图案的一侧上的上源极/漏极图案；栅电极，围...
    2025-12-29
  • 一种薄膜晶体管、阵列基板及显示面板
    一种薄膜晶体管、阵列基板及显示面板_武汉天马微电子有限公司_202511358794.3
    本申请涉及一种薄膜晶体管、阵列基板及显示面板。该薄膜晶体管包括衬底层、有源层以及栅层；有源层位于衬底层与栅层之间；有源层包括源区、漏区以及沟道区，源区以及漏区分别位于沟道区在第一方向上的两侧；栅层包括沿第二方向设置的M个栅极块，M个栅极块中...
    2025-12-29
  • 一种三维堆叠薄膜晶体管结构及其制备方法
    一种三维堆叠薄膜晶体管结构及其制备方法_浙江大学_202510969918.5
    本发明公开了一种三维堆叠薄膜晶体管结构及其制备方法，结构包括若干层薄膜晶体管和相邻薄膜晶体管之间的三明治结构绝缘隔离层；若干层薄膜晶体管在制备下层薄膜晶体管相邻的上层薄膜晶体管时，通过选用强还原性前驱体采用原子层沉积方法制备上层薄膜晶体管的...
    2025-12-29
  • 用于纳米FET的离子注入
    用于纳米FET的离子注入_台湾积体电路制造股份有限公司_202511251640.4
    本申请涉及用于纳米FET的离子注入。一种纳米FET晶体管，对于该纳米FET晶体管的一个或多个纳米片，该纳米FET晶体管在沟道区域的任一端处包括掺杂沟道结。沟道结通过迭代凹陷和注入工艺形成，该工艺在针对源极/漏极区域制造凹陷时被执行。可以控制...
    2025-12-29
  • 半导体结构、半导体结构的制备方法、器件及电子设备
    半导体结构、半导体结构的制备方法、器件及电子设备_北京知识产权运营管理有限公司_202511132928.X
    本申请提供一种半导体结构、半导体结构的制备方法、器件及电子设备；该半导体结构包括：第一晶体管；第二晶体管；第三晶体管；第四晶体管；第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管为沿第一方向依次排列设置的垂直场效应晶体管；其中，第一晶体管的第...
    2025-12-29
  • 半导体器件以及制造半导体器件的方法
    半导体器件以及制造半导体器件的方法_三星电子株式会社_202510617272.4
    本公开提供了半导体器件以及制造半导体器件的方法。半导体器件包括：下晶体管，包括下沟道结构和连接到下沟道结构的下源极/漏极结构；以及在下晶体管上方的上晶体管，上晶体管包括上沟道结构和连接到上沟道结构的上源极/漏极结构，其中上沟道结构的一部分在...
    2025-12-29
  • 半导体器件及其制备方法、存储器、电子设备
    半导体器件及其制备方法、存储器、电子设备_华为技术有限公司_202410749517.4
    本申请实施例提供一种半导体器件及其制备方法、存储器、电子设备，涉及电子技术领域，用于降低金属硅化物层对晶体管性能的影响。半导体器件包括调控层，掺杂元素在调控层靠近基底的一侧的浓度，大于，掺杂元素在调控层远离基底一侧的浓度。调控层靠近基底一侧...
    2025-12-29
  • 高压大电流SiC MOSFET芯片及其制备工艺
    高压大电流SiC MOSFET芯片及其制备工艺_北京国联万众半导体科技有限公司_202511354536.8
    本发明公开了一种高压大电流SiC MOSFET芯片及其制备工艺，涉及电子元器件技术领域。所述芯片包括位于最底层的衬底层，所述衬底层的上表面形成有双梯度多缓冲层，所述双梯度多缓冲层的上表面形成有N‑漂移区，所述N‑漂移区的上表面形成有带有凸台...
    2025-12-29
  • 钳位场效应晶体管、版图结构、芯片、钳位电路及设备
    钳位场效应晶体管、版图结构、芯片、钳位电路及设备_北京奕斯伟计算技术股份有限公司_202511278625.9
    本申请公开了钳位场效应晶体管、版图结构、芯片、钳位电路及设备，属于电路技术领域。钳位场效应晶体管包括沿第一方向并排布置的第一场效应晶体管和第二场效应晶体管，场效应晶体管均包括衬底以及位于衬底的一侧且延第一方向分布的源极、栅极和漏极，源极和漏...
    2025-12-29
  • 一种GaN HEMT/MOSFET单片集成级联器件及其制备方法
    一种GaN HEMT/MOSFET单片集成级联器件及其制备方法_中科(深圳)无线半导体有限公司_202511667258.1
    本发明公开了一种GaN HEMT/MOSFET单片集成级联器件及其制备方法，属于半导体技术领域。该器件包括通过金属互连结构实现电学连接的GaN HEMT器件和GaN MOSFET器件；所述GaN MOSFET器件制备在GaN HEMT器件的...
    2025-12-29
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