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最新专利技术
  • 一种低成本二维材料光电探测器的制备方法
    一种低成本二维材料光电探测器的制备方法_西安工业大学_202410739219.7
    本发明涉及光电探测技术领域，具体涉及一种低成本二维材料光电探测器的制备方法。本发明采用的方法步骤为：1)样品准备；2)掩模板准备；3)PDMS图形化电极制备；4)光电探测器的制备。本发明方法采用批量电极制备、样品制备的方法，省略了光刻等工艺...
    2025-12-30
  • 视觉传感器和包括该视觉传感器的图像处理设备
    视觉传感器和包括该视觉传感器的图像处理设备_三星电子株式会社_202510672427.4
    提供了一种视觉传感器，包括：第一半导体管芯，包括多个光电转换元件组；以及第二半导体管芯，包括动态视觉传感器(DVS)像素电路并以铜对铜接合的方式堆叠在第一半导体管芯上，其中，多个光电转换元件组中的每一个包括：第一类型光电转换元件，被配置为输...
    2025-12-30
  • 光电成像器件位移损伤激光退火装置及方法
    光电成像器件位移损伤激光退火装置及方法_中国科学院新疆理化技术研究所_202511273901.2
    本公开提供了一种光电成像器件位移损伤激光退火装置及方法，属于电子器件辐射效应修复技术领域。该方法包括：激光器，用于输出激光；聚焦镜，用于聚焦激光；以及样品锁紧座，设置于激光的焦点位置，激光的光路垂直照射在样品表面上，样品锁紧座用于放置样品。
    2025-12-30
  • 基于激光退火的光电成像器件异常像素修复装置及方法
    基于激光退火的光电成像器件异常像素修复装置及方法_中国科学院新疆理化技术研究所_202511273898.4
    本公开提供了一种基于激光退火的光电成像器件异常像素修复装置及方法，属于激光退火技术领域。基于激光退火的光电成像器件异常像素修复装置包括：退火激光器，被配置为输出退火激光，并利用退火激光对样品上的异常像素进行退火；定位激光器，被配置为输出定位...
    2025-12-30
  • 阵列基板及其制作方法、平板探测器
    阵列基板及其制作方法、平板探测器_惠科股份有限公司_202511233511.2
    本申请属于显示领域，具体涉及一种阵列基板及其制作方法、平板探测器，阵列基板包括衬底基板、第一金属层、光电转换层、缓冲层和沟道层，第一金属层形成在衬底基板一侧，第一金属层包括间隔设置的第一栅极和下电极，光电转换层形成在下电极远离衬底基板一侧，...
    2025-12-30
  • 平板探测器和X射线成像系统
    平板探测器和X射线成像系统_惠科股份有限公司_202511233122.X
    本申请公开了一种平板探测器和X射线成像系统，平板探测器包括闪烁体层和图像传感器层，图像传感器层包括外围区、过渡区和中间区，外围区环绕过渡区设置，过渡区环绕中间区设置；外围区设置有至少一列第一像素区，过渡区设置有多个第二像素区；每一第一像素区...
    2025-12-30
  • 平板探测器和X射线成像系统
    平板探测器和X射线成像系统_惠科股份有限公司_202511231966.0
    本申请公开了一种平板探测器和X射线成像系统，所述平板探测器包括闪烁体层、图像传感器层和位移复合层，所述闪烁体层用于将X射线转化为可见光，所述图像传感器层阵列设置有多个光电传感器，所述光电传感器用于接收所述可见光，并将可见光转化为电信号；所述...
    2025-12-30
  • 平板探测器和X射线成像系统
    平板探测器和X射线成像系统_惠科股份有限公司_202511231792.8
    本申请公开了一种平板探测器和X射线成像系统，平板探测器包括闪烁体层和图像传感器层，所述图像传感器层包括多个主像素区和多个共享像素区，相邻两个所述主像素区之间至少设置有一个所述共享像素区；所述主像素区和所述共享像素区分别设置有光电传感器，所述...
    2025-12-30
  • 单光子雪崩二极管器件以及制造该单光子雪崩二极管器件的方法
    单光子雪崩二极管器件以及制造该单光子雪崩二极管器件的方法_三星电子株式会社_202510737627.3
    提出了一种单光子雪崩二极管(SPAD)器件以及制造该单光子雪崩二极管器件的方法。单光子雪崩二极管(SPAD)器件可以包括：衬底，包括用于将SPAD器件与另一SPAD器件分离的沟槽；第一导电类型的半导体膜，在沟槽的侧壁上；第一绝缘膜，在沟槽中...
    2025-12-30
  • 图像传感器及其制造方法
    图像传感器及其制造方法_三星电子株式会社_202510199810.2
    提供了图像传感器及其制造方法。图像传感器包括基板、在基板中由隔离结构限定的像素区、在像素区上的第一浮动扩散区、在基板上的源极跟随器栅电极、以及在隔离结构上的第一掩埋线。第一掩埋线将第一浮动扩散区电连接到源极跟随器栅电极，并且第一掩埋线设置在...
    2025-12-30
  • 影像感测器
    影像感测器_采钰科技股份有限公司_202411276361.9
    本公开内容提供一种影像感测器。影像感测器包括单元。单元包括相位检测自动对焦像素、多个感测像素及遮光网格。相位检测自动对焦像素在基板上，其中相位检测自动对焦像素包括四个光电二极管及在四个光电二极管上的第一彩色滤光层。感测像素在基板上及围绕相位...
    2025-12-30
  • 用于图像传感器的半导体器件和制造用于图像传感器的半导体器件的方法
    用于图像传感器的半导体器件和制造用于图像传感器的半导体器件的方法_华为技术有限公司_202410733797.X
    本申请的实施例提供了一种用于图像传感器的半导体器件和相关方法。该半导体器件包括：半导体衬底、TG和FD；半导体衬底包括用于设置TG的上表面和与上表面相对的下表面，其中，上表面包括第一区域和第二区域；TG形成在第一区域上，其中，TG的至少一部...
    2025-12-30
  • 图像传感器装置及其形成方法
    图像传感器装置及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511018220.1
    本发明提供一种图像传感器装置，图像传感器装置的半导体管芯包括半导体管芯衬底层中的掺杂井区。掺杂井区可能包括在延伸导电结构的相邻处，该延伸导电结构垂直穿过衬底层延伸到衬底层相对侧的内连线层中。掺杂井区在延伸导电结构和衬底层(可能由一种或多种半...
    2025-12-30
  • 阵列光电转换器、光电转换设备及供电系统
    阵列光电转换器、光电转换设备及供电系统_艾科思电子科技(常州)有限公司_202511294250.5
    本发明公开了一种阵列光电转换器、光电转换设备及供电系统，属于光电转换器件的技术领域，该阵列光电转换器包括至少一组转换单元，所述转换单元的第一端接入公共阴极，所述转换单元的第二端接入公共阳极；其中，所述转换单元包括雪崩光电二极管、耦合电容和淬...
    2025-12-30
  • 薄膜晶体管、光电二极管以及荧光探测器
    薄膜晶体管、光电二极管以及荧光探测器_惠科股份有限公司_202511073680.4
    本申请提供一种薄膜晶体管、光电二极管以及荧光探测器，薄膜晶体管包括基板、有源层、纳米薄膜层、源极、漏极以及栅极；有源层设置于基板的一侧；其中，有源层包括沟道区和位于沟道区两端的第一掺杂区和第二掺杂区；纳米薄膜层至少部分设置于有源层背离基板的...
    2025-12-30
  • 一种氧化锌/镁锌氧结构α粒子探测器及制备方法
    一种氧化锌/镁锌氧结构α粒子探测器及制备方法_江西省通讯终端产业技术研究院有限公司_202511174284.0
    本发明属于半导体器件制备技术领域，公开了一种氧化锌/镁锌氧α粒子探测器及制备方法。该氧化锌/镁锌氧α粒子探测器包括氧化铝单晶、高阻镁锌氧区域、空穴导电氧化层区域、低阻氧化锌区域、绝缘层、收集电极和栅电极。本发明设计了氧化锌/镁锌氧结构α粒子...
    2025-12-30
  • 一种基于氧化锌/镁锌氧结构中子探测器及制备方法
    一种基于氧化锌/镁锌氧结构中子探测器及制备方法_江西省通讯终端产业技术研究院有限公司_202511173798.4
    本发明属于半导体器件制备技术领域，公开了一种基于氧化锌/镁锌氧结构的半导体中子探测器及制备方法。该基于氧化锌/镁锌氧结构的半导体中子探测器包括氧化铝单晶、高阻镁锌氧区域、空穴导电氧化层区域、低阻氧化锌区域、绝缘层、收集电极、栅电极和中子转换...
    2025-12-30
  • 一种耗尽型镍锌氧中子探测器及制备方法
    一种耗尽型镍锌氧中子探测器及制备方法_江西省通讯终端产业技术研究院有限公司_202511173690.5
    本发明属于半导体器件制备技术领域，公开了一种耗尽型镍锌氧中子探测器及制备方法。包括氧化铝单晶、镍锌氧区域、低阻氧化锌区域、绝缘层、收集电极、栅电极和中子转换材料填充区域。本发明设计了耗尽型镍锌氧中子探测器，对探测灵敏区的背底载流子浓度进行了...
    2025-12-30
  • 一种耗尽型镍锌氧带电粒子探测器及制备方法
    一种耗尽型镍锌氧带电粒子探测器及制备方法_江西省通讯终端产业技术研究院有限公司_202511173550.8
    本发明属于半导体器件制备技术领域，公开了一种耗尽型镍锌氧带电粒子探测器及制备方法。该耗尽型镍锌氧带电粒子探测器，包括氧化铝单晶、镍锌氧区域、低阻氧化锌区域、绝缘层和金属电极。本发明设计了耗尽型镍锌氧带电粒子探测器，对探测灵敏区的背底载流子浓...
    2025-12-30
  • 一种掺杂氧化镍掩埋型中子探测器及制备方法
    一种掺杂氧化镍掩埋型中子探测器及制备方法_江西省通讯终端产业技术研究院有限公司_202511173457.7
    本发明属于半导体器件制备技术领域，涉及一种氧化镍掩埋型中子探测器及制备方法。该氧化镍掩埋型中子探测器包括氧化铝单晶、锌掺杂弱P型氧化镍掩埋区域、强P型氧化镍掩埋区域、低阻氧化锌区域、绝缘层、收集电极、栅电极和中子转换材料填充区域。本发明设计...
    2025-12-30
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