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最新专利技术
  • 一种掺杂氧化镍掩埋型中子探测器及制备方法
    一种掺杂氧化镍掩埋型中子探测器及制备方法_江西省通讯终端产业技术研究院有限公司_202511173457.7
    本发明属于半导体器件制备技术领域，涉及一种氧化镍掩埋型中子探测器及制备方法。该氧化镍掩埋型中子探测器包括氧化铝单晶、锌掺杂弱P型氧化镍掩埋区域、强P型氧化镍掩埋区域、低阻氧化锌区域、绝缘层、收集电极、栅电极和中子转换材料填充区域。本发明设计...
    2025-12-30
  • 一种掺杂氧化镍掩埋型α粒子探测器及制备方法
    一种掺杂氧化镍掩埋型α粒子探测器及制备方法_江西省通讯终端产业技术研究院有限公司_202511173349.X
    本发明属于半导体器件制备技术领域，涉及一种掺杂氧化镍掩埋型α粒子探测器及制备方法。该掺杂氧化镍掩埋型α粒子探测器，包括氧化铝单晶、锌掺杂弱P型氧化镍掩埋区域、强P型氧化镍掩埋区域、低阻氧化锌区域、绝缘层、收集电极和栅电极。本发明设计了掺杂氧...
    2025-12-30
  • 一种耐高温智能光电传感器及其制备方法
    一种耐高温智能光电传感器及其制备方法_华中科技大学_202511444652.9
    本发明公开了一种耐高温智能光电传感器及其制备方法，属于光电传感器技术领域，包括基底层和设置在基底层上的源漏电极层和栅极电极层；栅极电极层上设有二维的二硫化钼；以及第一耐热层与第二耐热层，二硫化钼设置在第一耐热层与第二耐热层之间；二硫化钼分别...
    2025-12-30
  • 光电探测器及其制备方法、可见-红外双波段成像系统
    光电探测器及其制备方法、可见-红外双波段成像系统_西安电子科技大学_202511210004.7
    本发明公开一种光电探测器及其制备方法、可见—红外双波段成像系统，属于半导体光电子集成领域，该光电探测器包括：具有热释电特性的衬底；位于衬底上表面的绝缘层；垂直异质结，包括双极性半导体层和位于其上表面的沟道半导体层，双极性半导体层位于开口区域...
    2025-12-30
  • 半导体器件及电子装置
    半导体器件及电子装置_清华大学_202511652971.9
    本申请公开了一种半导体器件及电子装置，半导体器件包括依次层叠设置的第一电极、有源区以及第二电极，有源区包括沿远离第一电极方向层叠设置的第一掺杂结构、第二掺杂结构及第三掺杂结构，第一掺杂结构与第三掺杂结构为第一导电类型掺杂，第二掺杂结构为第二...
    2025-12-30
  • 雪崩倍增光电探测器及制备方法
    雪崩倍增光电探测器及制备方法_国科大杭州高等研究院_202511678221.9
    本发明涉及光电探测技术领域，提供一种雪崩倍增光电探测器及制备方法，探测器包括超表面结构、第二掺杂层及依次层叠布置的第一掺杂层、倍增层、电荷层、吸收层和介质超表面层，超表面结构设置于介质超表面层，或设置于介质超表面层和吸收层靠近介质超表面层的...
    2025-12-30
  • 一种神经形态的光电器件及制备方法及电子设备
    一种神经形态的光电器件及制备方法及电子设备_复旦大学_202511283296.7
    本发明了一种神经形态的光电器件及制备方法及电子设备，包括依次层叠的衬底、底电极、第一氧化锌层、第二氧化锌层以及顶电极。由于第一氧化锌层的含氧浓度大于第二氧化锌层的含氧浓度，因此双层结构中会形成异质结和氧空位梯度，以使光电器件根据光刺激产生神...
    2025-12-30
  • 一种双极性响应自供电宽光谱光电探测器及其制备方法
    一种双极性响应自供电宽光谱光电探测器及其制备方法_中国科学院赣江创新研究院_202511256294.9
    本发明提供了一种双极性响应自供电宽光谱光电探测器及其制备方法。所述双极性响应自供电宽光谱光电探测器包括依次层叠设置的衬底、缓冲层、n型半导体层和p型半导体层；所述p型半导体层远离n型半导体层的一侧表面设置有金属电极；所述n型半导体层的材质包...
    2025-12-30
  • 带AlSb/AlAsSb超晶格势垒的高工作温度中波红外探测器材料
    带AlSb/AlAsSb超晶格势垒的高工作温度中波红外探测器材料_浙江焜腾红外技术股份有限公司_202511228373.9
    本发明公开了带AlSb/AlAsSb超晶格势垒的高工作温度中波红外探测器材料，包括有从下往上依次设置的GaSb衬底、n+型InAsSb下接触层、非掺或低掺InAsSb吸收区、p型AlSb/AlAsSb超晶格势垒、p+型GaSb上接触层。本发...
    2025-12-30
  • 同时适配P-on-N和N-on-P读出电路的InAs-GaSb二类超晶格红外探测器材料
    同时适配P-on-N和N-on-P读出电路的InAs-GaSb二类超晶格红外探测器材料_浙江焜腾红外技术股份有限公司_202511228372.4
    本发明公开了同时适配P‑on‑N和N‑on‑P读出电路的InAs‑GaSb二类超晶格红外探测器材料，包括有pBπBp型InAs/GaSb超晶格材料或者nBπBn型InAs/GaSb超晶格材料。本发明的InAs‑GaSb二类超晶格红外探测器材...
    2025-12-30
  • 用于弱光探测的三硫化钛/二硫化钨异质结光电探测器及其制备方法和应用
    用于弱光探测的三硫化钛/二硫化钨异质结光电探测器及其制备方法和应用_广东工业大学_202511085064.0
    本发明公开用于弱光探测的三硫化钛/二硫化钨异质结光电探测器及其制备方法和应用，属于微纳光电器件制造技术领域，本发明使用二硫化钨纳米片与机械剥离得到的三硫化钛纳米片形成异质结光电探测器，该光电探测器从下而上依次设有二氧化硅/硅衬底、三硫化钛纳...
    2025-12-30
  • 具有运动轨迹识别功能的二维硒化铟光传感器及其制备方法
    具有运动轨迹识别功能的二维硒化铟光传感器及其制备方法_东北师范大学_202511271615.2
    本发明公开了具有运动轨迹识别功能的二维硒化铟光传感器及其制备方法。所述光传感器器件包括SiO2/Si衬底、位于衬底上的γ‑InSe半导体光吸收层以及设置于光吸收层两端的不对称Au电极结构。通过选用非中心对称结构的γ‑InSe半导体材料，并结...
    2025-12-30
  • 光纤耦合型可见光探测器
    光纤耦合型可见光探测器_中国移动通信有限公司研究院_202411632269.1
    本申请提供一种光纤耦合型可见光探测器，包括：光探测芯片和光纤波导耦合器，光探测芯片包括：衬底；第一半导体掺杂层：位于衬底的一侧；第一波导层：位于第一半导体掺杂层与量子阱之间；量子阱：位于第一波导层与电子阻挡层之间，光纤波导耦合器用于将光纤传...
    2025-12-30
  • 光伏组件
    光伏组件_晶科能源股份有限公司_202511501451.8
    本申请涉及光伏领域，提供一种光伏组件，包括：背接触电池片，以及位于背接触电池片上的第一主栅线以及第二主栅线，连接第一主栅线的第一贯穿连接线以及连接第二主栅线的第二贯穿连接线；第一焊带与第一主栅线连接，且与第二贯穿连接线之间具有第一重叠区域；...
    2025-12-30
  • 绝缘镀锡铜带预制结构及其制备方法和光伏组件
    绝缘镀锡铜带预制结构及其制备方法和光伏组件_环晟新能源(江苏)有限公司_202511302440.7
    本发明提供了一种绝缘镀锡铜带预制结构及其制备方法和光伏组件，具体涉及太阳能电池制备技术领域。该绝缘镀锡铜带预制结构，包括：镀锡铜带本体和设置于所述镀锡铜带本体至少一侧表面的绝缘层；所述绝缘层通过粘接或喷涂方式形成于所述镀锡铜带本体上，所述绝...
    2025-12-30
  • 一种跳线贴膜组件结构
    一种跳线贴膜组件结构_弘元光能(无锡)有限公司_202511221790.0
    本发明公开了一种跳线贴膜组件结构，本发明涉及跳线贴膜领域，包括光伏电池组件，所述光伏电池组件包括电池片串，所述电池片串为相邻的两个电池片组成，所述电池片串共有三串，所述电池片串处安装有跳线一、跳线二，所述电池片串处安装有中间汇流条组件，所述...
    2025-12-30
  • 一种光伏组件
    一种光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202511178620.9
    本申请涉及光伏组件技术领域，尤其涉及一种光伏组件，包括若干太阳电池、焊带、多个粘接部以及汇流条。太阳电池具有相对设置的受光面和背光面。若干太阳电池通过焊带电连接，且焊带在至少一个背光面上沿第一方向延伸。至少部分数量的粘接部为背面粘接部，背面...
    2025-12-30
  • 光伏组件
    光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司_202511158307.9
    本发明提供了一种光伏组件，涉及光伏技术领域。光伏组件，包括：依次层叠的背接触电池片、绝缘层、导电层、胶膜层和背板；绝缘层位于背接触电池片和导电层之间；背接触电池片包括：电池本体，以及位于电池本体的背光侧的若干集电栅线，绝缘层与部分集电栅线对...
    2025-12-30
  • 一种光伏组件
    一种光伏组件_嘉兴隆基光伏科技有限公司_202511121093.8
    本申请公开了一种光伏组件，属于光伏组件技术领域。所述光伏组件包括多个电池片，所述电池片具有相对设置的第一表面和第二表面，多个所述电池片包括第一电池片和第二电池片，所述第一电池片和所述第二电池片沿第一方向依次排布，所述第二电池片至少部分叠置于...
    2025-12-30
  • 光伏组件及其制造方法，异构胶膜及其制造系统
    光伏组件及其制造方法，异构胶膜及其制造系统_正泰新能科技股份有限公司_202510258624.1
    本发明公开了一种光伏组件及其制造方法，异构胶膜及其制造系统，涉及光伏行业技术领域。异构胶膜用于背接触电池，包括胶膜和焊带；焊带嵌设于胶膜的一侧且焊带部分凸出胶膜的该侧表面，焊带按照预设规则断开。此种异构胶膜中，焊带埋入胶膜中形成一体式的结构...
    2025-12-30
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